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特别是设计成用于检测转向柱中的扭转的位置传感器的制作方法

2021-10-20 03:18:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种位置传感器,所述位置传感器特别地设计成用以检测转向柱中的扭转,所述位置传感器由包括多个磁体的第一磁化磁性转子结构件(100)和限定其中定位有至少一个磁敏元件(300、301、302)的至少一个气隙的两个通量收集部件(210、220)构成,其特征在于,每个收集部件(210、220)均具有至少一个初级收集区(211、221),所述至少一个初级收集区(211、221)延伸有具有至少一个次级收集区(214、215、224、225)的至少一个延伸部(216、219、226、229),所述次级收集区(214、215、224、225)以形成所述气隙的两个极的平坦底板结束,并且所述气隙的横向中间平面(350)与所述延伸部(216、219、226、229)中的至少一个延伸部相交,以及所述第一收集部件(210)的所述至少一个初级收集区(211)具有带有中间平面pp1的至少一个收集表面(211b),所述第二收集部件(220)的所述至少一个初级收集区(221)具有带有中间平面pp2的至少一个收集表面(221b),所述至少一个次级收集区(214、215)具有用于所述第一收集部件(210)的带有中间平面ps1的至少一个收集表面(214b、215b),并且所述第二收集部件(220)的所述至少一个次级收集区(224、225)具有带有中间平面ps2的至少一个收集表面(224b、225b),并且pp1不垂直于ps2或者pp2不垂直于ps1。2.根据权利要求1所述的位置传感器,其特征在于,至少一个齿圈(130、140)与所述磁化结构件(100)相对地定位。3.根据权利要求1所述的位置传感器,其特征在于,所述中间平面(350)平行于所述初级收集区(211、221)的所述平面。4.根据权利要求1所述的位置传感器,其特征在于,至少一个初级收集区(211、221)还具有意在收集来自所述磁化磁性转子结构件(100)的有用通量的额外表面(211a、221a)。5.根据权利要求1所述的位置传感器,其特征在于,所述至少一个初级收集区(211)具有带有中间平面pp1’的至少一个额外收集表面(211c、211d),所述至少一个初级收集区(221)具有带有中间平面pp2’的至少一个收集表面(221c、221d),所述至少一个次级收集区(214、215)具有带有中间平面ps1’的至少一个收集表面(214b、215b),并且所述至少一个次级收集区(224、225)具有带有中间平面ps2’的至少一个收集表面(224b、225b),并且pp1’不垂直于ps2’或者pp2’不垂直于ps1’。6.根据权利要求1所述的位置传感器,其特征在于,所述延伸部(216、219、226、229)轴向地且与所述初级收集区(211)的所述平面垂直地延伸超出所述横向中间平面(350)。7.根据权利要求1所述的位置传感器,其特征在于,所述次级收集区(214、215、224、225)的总面积等于所述初级收集区(211、221)的总面积。8.一种用于检测转向柱的绝对位置的装置,其特征在于,所述装置进一步包括感测所述转向柱中的扭转的传感器,所述传感器由包括多个磁体的第一磁化磁性转子结构件(100)和限定其中定位有至少一个磁敏元件(300、301、302)的至少一个气隙的两个通量收集部件(210、220)构成,每个收集部件(210、220)均具有至少一个初级收集区(211、221),所述至少一个初级收集区(211、221)延伸有具有至少一个次级收集区(214、215、224、225)的至少一个延伸部(216、219、226、229),所述次级收集区(214、215、224、225)以形成所述气隙的两个极的平坦底板结束,并且所述气隙的横向中间平面(350)与所述延伸部(216、219、226、229)中的至少一个延伸部相交。

技术总结
本发明涉及一种位置传感器,该位置传感器特别地设计成用于检测转向柱中的扭转,该位置传感器由包括多个磁体的第一磁化磁性转子结构件(100)和限定其中定位有至少一个磁敏元件(300、301、302)的至少一个气隙的两个通量收集部件(210、220)构成,该位置传感器限定成使得每个收集部件(210、220)均具有至少一个初级收集区(211、221),所述至少一个初级收集区延伸有具有至少一个次级收集区(214、215、224、225)的至少一个延伸部(216、219、226、229),其中,所述次级收集区(214、215、224、225)以形成所述气隙的两个极的平坦底板结束,并且所述气隙的横向中间平面(350)与所述延伸部(216、219、226、229)的至少一个延伸部相交。229)的至少一个延伸部相交。229)的至少一个延伸部相交。


技术研发人员:迪迪埃
受保护的技术使用者:移动磁体技术公司
技术研发日:2020.02.25
技术公布日:2021/10/19
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本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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