一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置的制作方法

技术特征：
1.一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：包括位于真空腔室内的用于装配靶材的溅射靶座，用于向真空腔室内通入溅射工艺气体的布气组件，溅射靶座上设置有磁控主体，磁控主体包括磁体安装座和磁体安装座上安装的磁条组件，磁条组件包括长条形的a磁条单元和b磁条单元，a、b磁条单元的长度方向相同，记a磁条单元的长度方向为a1方向，a、b磁条单元沿着a2方向间隔交错设置，a1、a2方向相垂直布置，沿a2方向的始、末端均为a磁条单元且始、末端的两a磁条单元通过两c磁条单元相连接，a磁条单元由n极磁铁组成，b磁条单元由s极磁铁组成，c磁条单元由n极磁铁组成。2.根据权利要求1所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：a磁条单元设置有4个，b磁条单元设置有3个。3.根据权利要求1或2所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：磁体安装座上设置有安装槽，a、b、c磁条单元分别可拆卸式装配在安装槽内。4.根据权利要求1或2所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：还包括冷却机构。5.根据权利要求1或2所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：溅射靶座由槽型件组成，槽型件包括构成槽底的绝缘板和绝缘板四周分别设置的侧板，绝缘板上设置有下底座，下底座的上侧设置磁体安装座，磁体安装座的上部设置有用于布置靶材的铜背板，槽型件的槽口处设置有用于阻止靶材从槽型件内脱离的压扣件。6.根据权利要求5所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：还包括装配法兰，溅射靶座设置在装配法兰的内表面上，内表面为装配法兰与真空腔室进行装配的表面，装配法兰的外表面上装配有外罩体，外罩体上设置有冷却机构。7.根据权利要求5所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：布气组件包括槽型件外侧设置的布气管。8.根据权利要求7所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：布气管与装配法兰上设置的布气孔相连通连接。9.根据权利要求6所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：冷却机构包括装配法兰的外表面上设置的冷却水管。10.根据权利要求8所述的提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，其特征在于：侧壁包括沿a1方向布置的两a槽壁，a槽壁的外侧分别设置有长条形的布气管，布气管的长度方向与a1方向相一致，布气管的上表面上设置有出气口，出气口沿着a1方向间隔设置，布气管通过连接管与布气孔相连通连接。

技术总结
本发明涉及一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置，包括位于真空腔室内的用于装配靶材的溅射靶座，用于向真空腔室内通入溅射工艺气体的布气组件，溅射靶座上设置有磁控主体，磁控主体包括磁体安装座和磁体安装座上安装的磁条组件，磁条组件包括长条形的A磁条单元和B磁条单元，A、B磁条单元的长度方向相同，记A磁条单元的长度方向为a1方向，A、B磁条单元沿着a2方向间隔交错设置，a1、a2方向相垂直布置，沿a2方向的始、末端均为A磁条单元且始、末端的两A磁条单元通过两C磁条单元相连接，A磁条单元由N极磁铁组成，B磁条单元由S极磁铁组成，C磁条单元由N极磁铁组成。将磁控主体设置成由各个磁条单元组成，各磁条单元形成多路磁场，极大提高了靶材的利用率，靶材的利用率可达40%以上。达40%以上。达40%以上。


技术研发人员：夏正卫 张心凤 范宏跃
受保护的技术使用者：安徽纯源镀膜科技有限公司
技术研发日：2021.05.28
技术公布日：2021/10/19