阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。


背景技术：

2.本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
3.目前，大多数触控装置的触控面板与液晶显示面板是独立设置的，触控面板设置于液晶显示面板之上，且液晶显示面板和触控面板之间存在物理空间，因此，在液晶显示面板的上表面和触控面板的下表面上会反射外来光线，这会导致在室外等光线明亮的环境下液晶显示面板的可视性降低。如果能够实现触控面板的可视性，二者实现一体化还可以实现整个显示面板的薄型化和轻量化。
4.在此技术发展需求下，in cell触控技术得以出现并迅速发展，在in cell触控技术中，大多使用分割方式对公共电极(vcom)进行分割。即公共电极被分割为多个大小面积相等的区域，这些区域分别作为触控阶段的触控电极，每个区域均通过触控线连接至tddi(触控显示集成ic)。
5.在相关技术中，触控线形成在显示面板的阵列基板上。触控线通常与数据线同层设置，并且触控线处于显示面板的像素区域之外。受到触控线的线宽的限制，像素区域的可用空间有限，由此限制了透过率的进一步提高。


技术实现要素：

6.本技术实施例提出了一种显示面板及其制作方法、显示装置，以提高显示面板的透过率。为解决上述技术问题，本技术实施例提供技术方案如下：
7.本技术第一方面的实施例提出了一种阵列基板，包括：
8.衬底基板；
9.数据线，数据线设置在所述衬底基板的一侧；
10.第一保护层，所述第一保护层覆盖所述数据线；
11.像素电极，所述像素电极设置在第一保护层的远离所述衬底基板的一侧；
12.第二保护层，所述第二保护层设置在所述第一保护层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二保护层覆盖像素电极；
13.公共电极层，所述公共电极层包括多个设置在第二保护层的远离第一保护层的一侧的公共电极，每一所述像素电极与一部分所述公共电极在所述阵列基板的厚度方向上呈相对布置；
14.触控线，所述触控线包括第一部段和与所述第一部段连接的第二部段，所述第一部段和所述数据线同层设置，所述第二部段与一个所述公共电极连接。
15.在本技术的一些实施例中，阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、第一极、第二极和有源层，所述数据线连接所述第一极和所述第二极中的一者，所述像
素电极连接所述第一极和所述第二极中的另一者。
16.在本技术的一些实施例中，所述公共电极为条状电极，各所述条状电极之间相互平行，任意相邻的两个条状电极之间具有间隙，所述像素电极与三个或四个所述公共电极在阵列基板的厚度方向上呈相对布置。
17.在本技术的一些实施例中，所述触控线的宽度小于等于3μm。
18.在本技术的一些实施例中，所述数据线的线宽小于等于3μm，所述触控线和所述数据线之间的距离不超过3.5μm。
19.在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括栅线，所述栅线和所述数据线呈交叉布置，所述栅线与所述栅极连接。
20.在本技术的一些实施例中，与所述第二部段连接的所述公共电极在所述衬底基板上的投影，位于所述像素电极在所述衬底基板上的投影之外。
21.在本技术的一些实施例中，在所述第一保护层上设置有第一过孔，所述第二部段通过所述第一过孔与所述第一部段连接。
22.在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括栅极绝缘层，所述栅极和所述有源层通过所述栅极绝缘层隔开。
23.本技术第二方面的实施例提出了一种阵列基板的制作方法，包括：
24.在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极和与所述栅极绝缘设置的有源层；
25.形成与所述有源层连接的第一极和第二极，以及形成与第一极和第二极中的一者连接的数据线；
26.形成与所述数据线同层设置的触控线的第一部段；
27.形成覆盖所述有源层、所述第一极、所述第二极、所述数据线和所述触控线的第一保护层；
28.在所述第一保护层上设置第一过孔；
29.在第一保护层上形成像素电极，像素电极连接第一极和第二极中的另一者；
30.在所述第一保护层上形成触控线的第二部段，所述第二部段通过所述第一过孔与所述第一部段连接；
31.在第一保护层上形成覆盖像素电极和第二部段的第二保护层；
32.在第二保护层上设置第二过孔；
33.在第二保护层上形成公共电极层，公共电极层包括多个公共电极，公共电极通过所述第二过孔与第二部段连接。
34.本技术第三方面的实施例提出了一种显示面板，包括上述第一方面的实施例中的阵列基板，显示面板还包括和阵列基板对盒设置的对置基板。
35.本技术第四方面的实施例提出了一种显示装置，包括上述第三方面的实施例中的显示面板。
36.本技术实施例提出的阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，其阵列基板中的每一像素电极与公共电极层的一部分公共电极在阵列基板的厚度方向上相对，同时，触控线也与一个公共电极连接，由此，使公共电极层既可以接收公共电极信号，也可以在触控阶段接收触控感应信号。具体地，本实施例中的触控线包括第一部段和第二部段，其中，第一部段和第一保护层同层设置，第二部段穿过第二保护层且与一个公共电极连接，由此，使
触控线穿过了第一保护层和第二保护层两个层结构，这样，就使得触控线在阵列基板的厚度方向上的尺寸增大了(相比于相关技术中的触控线)，从而使触控线的电阻有所增大，进而使通过触控线的电流载荷变小。基于电流载荷变小的情况，可以适当减小触控线的宽度(保证触控线能够承载当前的电流载荷即可)。随着触控线的宽度的减小，可以释放出一部分空间，释放出的空间可以使像素电极的宽度增大。另外，利用工艺极限制作，可以增加公共电极层的公共电极的数量，这样，可以使与像素电极相对的公共电极的数量增加，由此来提高显示面板的透过率。
附图说明
37.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面对本技术实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
38.图1为本技术实施例的显示面板的结构示意图；
39.图2为本技术实施例的薄膜晶体管的示意图；
40.图3为本技术实施例的像素区域的示意图；
41.图4为本技术实施例的显示面板和相关技术中的显示面板的透过率的对比示意图。
具体实施方式
42.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
43.如图1所示，本技术第一方面的实施例提出了一种阵列基板10，包括衬底基板100、数据线300、第一保护层400、像素电极500、第二保护层600、公共电极层以及触控线700。具体地，数据线300设置在衬底基板100的一侧。第一保护层400覆盖数据线300。像素电极500的数量为多个，像素电极500设置在第一保护层400的远离衬底基板100的一侧。第二保护层600设置在第一保护层400的远离衬底基板100的一侧，并且，第二保护层600覆盖像素电极500。公共电极层包括多个设置在第二保护层600的远离第一保护层400的一侧的公共电极800，每一像素电极500与一部分公共电极800在阵列基板10的厚度方向上呈相对布置。触控线700包括第一部段710和与第一部段710连接的第二部段720，其中，第一部段710和数据线300同层设置，第二部段720与一个公共电极800连接。
44.可以理解的是，如图1和图2所示，显示基板中数据线300的数量为多个，多个数据线300相互平行，相邻的两个数据线300限定出一个像素区域s1在阵列基板10的行向上的范围。
45.根据本技术实施例的阵列基板10，其每一像素电极500与公共电极层的一部分公共电极800在阵列基板10的厚度方向上相对，同时，触控线700也与一个公共电极800连接，由此，使公共电极层既可以接收公共电极800信号，也可以在触控阶段接收触控感应信号。
具体地，本实施例中的触控线700包括第一部段710和第二部段720，其中，第一部段710和第一保护层400同层设置，第二部段720穿过第二保护层600且与一个公共电极800连接，由此，使触控线700穿过了第一保护层400和第二保护层600两个层结构，这样，就使得触控线700在阵列基板10的厚度方向上的尺寸增大了(相比于相关技术中的触控线700)，从而使触控线700的电阻有所增大，进而使通过触控线700的电流载荷变小。基于电流载荷变小的情况，可以适当减小触控线700的宽度(保证触控线700能够承载当前的电流载荷即可)。随着触控线700的宽度的减小，可以释放出一部分空间，释放出的空间可以使像素电极500的宽度增大。另外，利用工艺极限制作，可以增加公共电极层的公共电极800的数量，这样，可以使与像素电极500相对的公共电极800的数量增加，由此来提高显示面板1的透过率。
46.进一步地，可以在第一保护层上设置第一过孔，触控线700的第二部段720通过第一过孔与第一部段710连接。
47.在本技术的一些实施例中，如图2所示，阵列基板10还包括薄膜晶体管900，薄膜晶体管900包括栅极910、第一极920、第二极930和有源层940，数据线300连接第一极920和第二极930中的一者，像素电极500连接第一极920和第二极930中的另一者。具体地，第一极920可以是源极或漏极，当第一极920为源极时，则第二极930为漏极；当第一极920为漏极时，则第二极930为源极。在一般情况下，数据线300可以与第一极920和第二极930中作为源极的一个连接，像素电极500可以与第一极920和第二极930中作为漏极的一个连接。进一步地，薄膜晶体管900的第一极920和第二极930，可以与数据线300同层设置，即触控线700的第一部段710与第一极920、第二极930也为同层设置的关系。可以理解的是，像素电极500在衬底基板100上的投影，与第一极920、第二极930在衬底基板100上的投影，可以有重叠区域，因此，第一极920和第二极930的宽度不会对像素区域s1的范围形成限制。
48.在本技术的一些实施例中，公共电极800为条状电极，各条状电极之间相互平行，任意相邻的两个条状电极之间具有间隙。像素电极500与三个或四个公共电极800在阵列基板10的厚度方向上呈相对布置。可以理解的是，基于像素电极500宽度的增大以及公共电极800的数量的增加，可以提高与像素电极500相对的公共电极800的数量，当每一个像素电极500与三个公共电极800或四个公共电极800在阵列基板10的厚度方向上相对时，即可使显示面板1的透过率有明显的提高。并且，上述方案在现有的制作工艺条件下是能够实现的。
49.进一步地，触控线700的宽度可以小于等于3μm，此时，触控线700的线宽可以满足电流载荷的承载要求，同时，也有利于释放出一些空间给像素区域s1。
50.更进一步地，数据线300的线宽小于等于3μm，触控线700和数据线300之间的距离不超过3.5μm。也就是说，和相关技术中的数据线300的相比，本技术实施例中的数据线300的宽度也可以减小一些，同时，触控线700和数据线300之间的距离也有所减小，这样，可以释放出更多的空间给像素区域s1，使像素电极500的宽度尽可能地大，再利用工艺极限使公共电极800的数量达到最大化，此时，可以确保一个像素电极500与四个公共电极800在阵列基板10的厚度方向上相对。
51.在本技术的一些实施例中，如图3所示，阵列基板10还包括栅线1000，栅线1000和数据线300呈交叉布置，栅线1000与栅极910连接。进一步地，相邻的两个栅线1000限定出一个像素区域s1在阵列基板10的列向上的范围。也就是说，通过数据线300和栅线，可以界定出一个像素区域s1的范围。
52.在本技术的一些实施例中，与第二部段720连接的公共电极800在衬底基板100上的投影，位于像素电极500在衬底基板100上的投影之外。与像素电极500相对的公共电极800，与像素电极500之间构成电容结构。本技术将与触控线700连接的公共电极800，与像素电极500向错开布置，这样，可以在一定程度上减小位于上述电容结构对该公共电极800的影响，从而削弱显示阶段和触控阶段相互切换时，公共电极800所产生的电压跳变现象，以抑制显示面板1的横纹问题。
53.在本技术的一些实施例中，阵列基板10还包括栅极绝缘层200，栅极910和有源层940通过栅极绝缘层200隔开，以实现栅极910和有源层940之间的电绝缘。
54.下面举一具体示例来说明本技术的有益效果：在一个具体的示例中，触控线700的宽度为2.5μm，数据线300的宽度为2.5μm，触控线700与数据线300之间的距离为3.5μm，并且，每个像素电极500与四个公共电极800在阵列基板10的厚度方向上相对。在一个对比例中，触控线的宽度为6.3μm，数据线的宽度为3μm，触控线与数据线之间的距离为4.3μm，并且，每个像素电极与两个公共电极在阵列基板的厚度方向上相对。图4给出了上述示例和对比例的测试结果对比，由图中可以看出，上述示例的透过率提升了11％。
55.本技术第二方面的实施例提出了一种阵列基板10的制作方法，包括：
56.在衬底基板100上形成薄膜晶体管900的栅极910和栅极910绝缘设置的有源层940；
57.形成与有源层940连接的第一极920和第二极930，以及形成与第一极920和第二极930中的一者连接的数据线300；
58.形成与数据线300同层设置的触控线700的第一部段710；
59.形成覆盖有源层940、第一极920、第二极930、数据线300和触控线700的第一保护层400；
60.在第一保护层400上设置第一过孔；
61.在第一保护层400上形成像素电极500，像素电极500连接第一极920和第二极930中的另一者；
62.在第一保护层400上形成触控线700的第二部段720，第二部段720通过第一过孔与第一部段710连接；
63.在第一保护层400上形成覆盖像素电极500和第二部段720的第二保护层600；
64.在第二保护层600上设置第二过孔；
65.在第二保护层600上形成公共电极层，公共电极层包括多个公共电极800，并且，像素电极500与一部分公共电极800在阵列基板10的厚度方向上相对，触控线700的第二部段720通过第二过孔与一个公共电极800连接。
66.根据本技术实施例的阵列基板10的制作方法，所制作出的触控线700包括第一部段710和第二部段720，其中，第一部段710和第一保护层400同层设置，第二部段720穿过第二保护层600且与一个公共电极800连接，由此，使触控线700穿过了第一保护层400和第二保护层600两个层结构，这样，就使得触控线700在阵列基板10的厚度方向上的尺寸增大了(相比于相关技术中的触控线700)，从而使触控线700的电阻有所增大，进而使通过触控线700的电流载荷变小。基于电流载荷变小的情况，可以适当减小触控线700的宽度(保证触控线700能够承载当前的电流载荷即可)。随着触控线700的宽度的减小，可以释放出一部分空
间，释放出的空间可以使像素电极500的宽度增大。另外，利用工艺极限制作，可以增加公共电极层的公共电极800的数量，这样，可以使与像素电极500相对的公共电极800的数量增加，由此来提高显示面板1的透过率。
67.本技术第三方面的实施例提出了一种显示面板1，包括上述第一方面的实施例中的阵列基板10。显示面板1还包括和阵列基板10对盒设置的对置基板20。
68.根据本技术实施例的显示面板1，其阵列基板10中的每一像素电极500与公共电极层的一部分公共电极800在阵列基板10的厚度方向上相对，同时，触控线700也与一个公共电极800连接，由此，使公共电极层既可以接收公共电极800信号，也可以在触控阶段接收触控感应信号。具体地，本实施例中的触控线700包括第一部段710和第二部段720，其中，第一部段710和第一保护层400同层设置，第二部段720穿过第二保护层600且与一个公共电极800连接，由此，使触控线700穿过了第一保护层400和第二保护层600两个层结构，这样，就使得触控线700在阵列基板10的厚度方向上的尺寸增大了(相比于相关技术中的触控线700)，从而使触控线700的电阻有所增大，进而使通过触控线700的电流载荷变小。基于电流载荷变小的情况，可以适当减小触控线700的宽度(保证触控线700能够承载当前的电流载荷即可)。随着触控线700的宽度的减小，可以释放出一部分空间，释放出的空间可以使像素电极500的宽度增大。另外，利用工艺极限制作，可以增加公共电极层的公共电极800的数量，这样，可以使与像素电极500相对的公共电极800的数量增加，由此来提高显示面板1的透过率。
69.进一步地，对置基板可以是彩膜基板。
70.本技术第四方面的实施例提出了一种显示装置，包括上述第三方面的实施例中的显示面板1。其中，显示装置的具体类型不限，例如可以是手机、平板电脑、液晶电视等。
71.由于本技术实施例中的显示装置，和第三方面的实施例中的显示面板1出于相同的发明构思，因此，本技术实施例中的显示装置，可以获得第三方面的实施例中的显示面板1所具有的全部有益效果。
72.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其它要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
73.本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。
74.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并非用于限定本技术的保护范围。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本技术的保护范围内。