晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法与流程

技术特征：
1.一种晶体管，包括：栅电极；介电层；源电极和漏电极；以及沟道层，具有上表面、下表面与位于所述上表面和所述下表面之间的中间部分，其中，所述源电极和所述漏电极与所述沟道层的所述上表面电接触，并且所述沟道层具有靠近所述沟道层的所述上表面的第一载流子浓度和所述沟道层的所述中间部分中的第二载流子浓度，并且所述第一载流子浓度小于所述第二载流子浓度。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述沟道层具有靠近所述沟道层的所述下表面的第三载流子浓度，并且所述第三载流子浓度小于所述第二载流子浓度。3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述沟道层包括：第一氧化物半导体层，具有第一氧浓度；第二氧化物半导体层，具有第二氧浓度；以及第三氧化物半导体层，具有第三氧浓度，其中，所述第二氧化物半导体层位于所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层之间；并且其中，所述第二氧浓度低于所述第一氧浓度和所述第三氧浓度。4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述第一氧浓度和所述第三氧浓度相等。5.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述介电层与所述第一氧化物半导体层相邻，与所述第二氧化物半导体层相对，并且所述栅电极与所述介电层相邻，与所述第一氧化物半导体层相对。6.根据权利要求5所述的晶体管，其中，所述介电层包括选自由氧化铪(hfo2)、氧化铪硅(hfsio)、氧化铪钽(hftao)、氧化铪钛(hftio)、氧化铪锆(hfzro)、氧化锆(zro2)、氧化钛(tio2)、氧化铝(al2o3)、二氧化铪
‑
氧化铝(hfo2‑
al2o3)、氧化钽(ta2o5)、sio
x
/sin
y
/sio
x
或铁电体组成的组。7.根据权利要求3所述的晶体管，其中：所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层包括in
x
ga
y
zn
z
mo，其中，m选自由ti、al、ag、si、sn和它们的组合组成的组，并且0<(x、y、z)<1；并且所述源电极和所述漏电极包括导电金属材料。8.根据权利要求7所述的晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层包括in
x
ga
y
zn
z
m
w
的不同组分。9.一种形成氧化物半导体晶体管的方法，包括：沉积栅电极；沉积介电层；沉积沟道层，包括：沉积包括in
x
ga
y
zn
z
mo的第一氧化物半导体层，其中，m选自由ti、al、ag、si、sn和它们的组合组成的组，并且0＜(x、y、z)＜1；沉积包括in
x
ga
y
zn
z
mo的第二氧化物半导体层，其中，m选自由ti、al、ag、si、sn和它们的
组合组成的组，其中，所述第二氧化物半导体层的组分与所述第一氧化物半导体层的组分不同；沉积包括in
x
ga
y
zn
z
mo的第三氧化物半导体层，其中，m选自由ti、al、ag、si、sn和它们的组合组成的组，其中，所述第三氧化物半导体层的组分与所述第二氧化物半导体层的组分不同；其中，所述第二氧化物半导体层的第二氧浓度低于所述第一氧化物半导体层的第一氧浓度；以及形成与所述沟道层接触的源电极和漏电极。10.一种形成氧化物半导体晶体管的方法，包括：沉积栅电极；沉积介电层；沉积沟道层，包括：在具有o2/(ar o2)的第一流量比率的环境中使用物理气相沉积工艺沉积具有第一氧浓度的第一氧化物半导体层；在具有o2/(ar o2)的第二流量比率的环境中使用物理气相沉积工艺沉积具有第二氧浓度的第二氧化物半导体层；在具有o2/(ar o2)的第三流量比率的环境中使用物理气相沉积具有第三氧浓度的第三氧化物半导体层，其中，o2/(ar o2)的所述第二流量比率低于o2/(ar o2)的所述第一流量比率和所述第三流量比率，并且其中，所述第二氧浓度低于所述第一氧浓度和所述第三氧浓度；以及形成与所述沟道层接触的源电极和漏电极。

技术总结
包括沟道层的晶体管及其制造方法，沟道层包括氧化物半导体材料。该晶体管包括沟道层，该沟道层包括具有第一氧浓度的第一氧化物半导体层、具有第二氧浓度的第二氧化物半导体层和具有第三氧浓度的第三氧化物半导体层。第二氧化物半导体层位于第一半导体氧化物层和第三氧化物半导体层之间。第二氧浓度低于第一氧浓度和第三氧浓度。本发明的实施例还涉及形成氧化物半导体晶体管的方法。氧化物半导体晶体管的方法。氧化物半导体晶体管的方法。


技术研发人员：蒋国璋 孙宏彰 杨子庆 赖昇志 江昱维 谢佑刚 杨丰诚
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2021/10/23