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一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制作
一种秧草收获机用电力驱动行走机构的
晶体管
适用于高频宽带的准单片集成放大电路
本专利涉及一种适用于高频宽带的准单片集成放大电路,尤其是包括了片上输入匹配电路,片外功率分配电路,多个晶体管合成的放大电路以及片上输出匹配电路,片外功率合成电路。
标签:
电路
外功
多个
适用于
晶体管
2023-10-08
异质结双极晶体管结构及其形成方法与流程
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种异质结双极晶体管结构及其形成方法。
标签:
晶体管
半导体
结构
异质
方法
2023-08-15
使用场效应晶体管结构中的随机阈值电压变化作为物理不可克隆功能的安全芯片识别的制作方法
使用场效应晶体管结构中的随机阈值电压变化作为物理不可克隆功能的安全芯片识别
标签:
阈值
晶体管
电压
效应
芯片
2023-08-15
异质结双极晶体管结构及其形成方法与流程
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种异质结双极晶体管结构及其形成方法。
标签:
晶体管
半导体
结构
异质
方法
2023-08-15
一种高电子迁移率晶体管及制备方法与流程
一种高电子迁移率晶体管及制备方法本技术是以下申请的分案申请:申请日:2021年06月29日;申请号:202110729642.5;发明名称“一种高电子迁移率晶体管及制备方法”。技术领域2.本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种高电子迁移率晶体管及制备方法。
标签:
晶体管
制备方法
电子
半导体
名称
2023-08-01
一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法与流程
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。
标签:
晶体管
半导体
制备方法
效应
2023-07-13
显示装置的制作方法
本发明涉及显示装置,涉及具备氧化物晶体管的显示装置。
标签:
装置
晶体管
氧化物
2023-04-12
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-12
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-12
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-11
显示装置的制作方法
本发明涉及显示装置,涉及具备氧化物晶体管的显示装置。
标签:
装置
晶体管
氧化物
2023-04-11
显示装置的制作方法
本发明涉及显示装置,涉及具备氧化物晶体管的显示装置。
标签:
装置
晶体管
氧化物
2023-04-11
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-11
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.本技术要求于2021年6月1日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请no.10-2021-0070658的优先权,其全部内容由此通过引用合并于此。技术领域3.本发明构思涉及半导体器件,更具体地,涉及包括场效应晶体管的半导体器件。
标签:
韩国
半导体器件
优先权
晶体管
知识产权局
2023-04-11
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.本技术要求于2021年6月1日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请no.10-2021-0070658的优先权,其全部内容由此通过引用合并于此。技术领域3.本发明构思涉及半导体器件,更具体地,涉及包括场效应晶体管的半导体器件。
标签:
韩国
半导体器件
优先权
晶体管
知识产权局
2023-04-10
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-10
显示装置的制作方法
本发明涉及显示装置,涉及具备氧化物晶体管的显示装置。
标签:
装置
晶体管
氧化物
2023-04-10
半导体装置的制作方法
本发明涉及一种用于常开型晶体管的共源共栅电路(cascode circuit),且特别涉及一种具有金属栅极mosfet(金氧半场效晶体管)与常开型晶体管的半导体装置。
标签:
常开
晶体管
栅极
半导体
半场
2023-04-10
半导体器件的制作方法
半导体器件相关申请的交叉引用2.于2021年5月21日提交的日本专利申请号2021-085964的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。技术领域3.本发明涉及一种半导体器件,并且例如涉及适用于包括横向扩散mosfet(ldmosfet:横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体器件的技术。
标签:
半导体器件
横向
适用于
晶体管
氧化物
2023-04-09
显示装置的制作方法
本发明涉及显示装置,涉及具备氧化物晶体管的显示装置。
标签:
装置
晶体管
氧化物
2023-04-09
晶体管反熔丝以及相关装置、系统和方法与流程
晶体管反熔丝以及相关装置、系统和方法优先权要求2.本技术要求2021年9月7日申请的题为“晶体管反熔丝以及相关装置、系统和方法(transistor antifuse,and related devices,systems,and methods)”的第17/468 523号美国专利申请的申请日的权益,其公开内容特此以引用的方式全部并入本文中。技术领域3.本公开的实施例涉及反熔丝。更具体地说,各种实施例涉及晶体管反熔丝以及相关方法、装置和系统。
标签:
晶体管
装置
方法
系统
地说
2023-04-05
异质结双极晶体管结构及其形成方法与流程
本发明涉及半导体技术领技,尤其涉及一种异质结双极晶体管结构及其形成方法。
标签:
晶体管
半导体
结构
异质
方法
2023-04-05
具有缺陷层的半导体装置和其制造方法与流程
本文所描述的主题的实施例大体上涉及半导体装置,包括双极结晶体管(bjt)和异质结双极晶体管(hbt)。
标签:
结晶体
晶体管
半导体
装置
本文
2023-04-05
一种碳化硅晶体管加工用的定位装置的制作方法
本实用新型涉及碳化硅加工领域,更具体地说,涉及一种碳化硅晶体管加工用的定位装置。
标签:
碳化硅
工用
地说
晶体管
装置
2023-04-04
半导体结构及其制造方法与流程
本发明是有关于一种半导体结构及其制作方法,特别是有关于一种增强型(enhancement-mode)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)的结构及其制作方法。
标签:
是有
制作方法
结构
晶体管
半导体
2023-04-01
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