一种芯片封装结构及封装方法与流程

技术特征：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：承载衬底，所述承载衬底具有多个凹槽；金属片，所述金属片位于所述承载衬底上并覆盖所述凹槽形成空腔；第一芯片，所述第一芯片位于所述金属片上并与所述金属片电连接；金属框架结构，所述金属框架结构位于所述第一芯片上，所述金属框架结构包括第一导电部、与所述第一导电部电连接的第二导电部、以及与所述第一导电部绝缘的第三导电部；第二芯片，所述第二芯片位于所述金属框架结构上；所述第一芯片相对的两面设有第一电极和第二电极，所述第二芯片相对的两面设有第三电极和第四电极；所述第一电极与所述金属片电连接；所述第二电极和第三电极与所述第一导电部电连接；所述第四电极与所述第三导电部电连接；所述第二导电部和所述第三导电部的部分位于该封装结构的外围。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述承载衬底上设有贯穿所述承载衬底的通孔，所述通孔与所述空腔连通。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一导电部包括相对的正面和背面，所述金属片与所述第一电极、所述第二电极与所述第一导电部的正面、所述第一导电部的背面与所述第三电极分别通过导电结合层结合；所述第四电极与所述第三导电部电连接。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第四电极与金属桥电连接，所述金属桥的正面通过导电结合层与所述第四电极结合，所述金属桥的背面与所述第三导电部电连接。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一导电部与所述第二导电部为一体结构。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片为三极管芯片，所述第二芯片为二极管芯片；或，所述第一芯片为二极管芯片，所述第二芯片为三极管芯片。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述三极管芯片相对的两面分别设有源极和漏极；所述二极管芯片的相对两面分别设有阳极和阴极；当所述第一芯片为三极管芯片时，所述第二电极为所述漏极，所述第三电极为所述阴极；当所述第一芯片为二极管芯片时，所述第二电极为所述阴极，所述第三电极为所述漏极。8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括塑封层，所述塑封层覆盖该封装结构，所述第二导电部和所述第三导电部的部分超出所述塑封层。9.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属片为铜。10.一种芯片封装结构的封装方法，其特征在于，包括：提供承载衬底，所述承载衬底形成有多个凹槽；在所述承载衬底上形成金属片，所述金属片覆盖所述凹槽形成空腔；提供第一芯片，所述第一芯片形成于所述金属片上并与所述金属片电连接；提供金属框架结构，所述金属框架结构键合在所述第一芯片上，所述金属框架结构包括第一导电部、与所述第一导电部电连接的第二导电部、以及与所述第一导电部绝缘的第三导电部；
提供第二芯片，所述第二芯片键合在所述金属框架结构上；所述第一芯片相对的两面设有第一电极和第二电极，所述第二芯片相对的两面设有第三电极和第四电极；所述第一电极与所述金属片电连接；所述第二电极和第三电极与所述第一导电部电连接；所述第四电极与所述第三导电部电连接；所述第二导电部和所述第三导电部的部分位于该封装结构的外围。11.根据权利要求10所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述凹槽的形成方法包括：提供承载衬底；刻蚀所述承载衬底形成所述凹槽；或者，在形成所述承载衬底时形成牺牲层；承载衬底形成之后释放所述牺牲层，形成所述凹槽。12.根据权利要求10所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，形成塑封层之前或之后，形成贯穿所述承载衬底的通孔，所述通孔与所述空腔连通。13.根据权利要求10所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述第一导电部包括相对的正面和背面，所述金属片与所述第一电极、所述第二电极与所述第一导电部的正面、所述第一导电部的背面与所述第三电极分别通过导电结合层结合；所述第四电极与所述第三导电部电连接。14.根据权利要求13所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述第四电极与金属桥电连接，所述金属桥的正面通过导电结合层与所述第四电极结合，所述金属桥的背面与所述第三导电部电连接。15.根据权利要求10所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述第一导电部与所述第二导电部为一体结构。16.根据权利要求10所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述第一芯片为三极管芯片，所述第二芯片为二极管芯片；或，所述第一芯片为二极管芯片，所述第二芯片为三极管芯片。17.根据权利要求16所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述三极管芯片相对的两面分别设有源极和漏极；所述二极管芯片的相对两面分别设有阳极和阴极；当所述第一芯片为三极管芯片时，所述第二电极为所述漏极，所述第三电极为所述阴极；当所述第一芯片为二极管芯片时，所述第二电极为所述阴极，所述第三电极为所述漏极。18.根据权利要求10所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，还包括形成塑封层，所述塑封层覆盖该封装结构，所述第二导电部和所述第三导电部的部分超出所述塑封层。19.根据权利要求14所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述金属桥的材料为铜。20.根据权利要求18所述的芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述塑封层的材料为环氧树脂(epoxy)、聚酰亚胺或硅胶等热固性材料。

技术总结
本发明提供一种芯片封装结构及封装方法，包括：具有多个凹槽的承载衬底；金属片，位于承载衬底上并覆盖凹槽形成空腔；第一芯片，位于金属片上并与金属片电连接；金属框架结构，位于第一芯片上，包括第一导电部、与第一导电部电连接的第二导电部、以及与第一导电部绝缘的第三导电部；第二芯片，位于金属框架结构上；第一芯片相对的两面分别与金属片和第一导电部电连，第二芯片相对的两面分别与第一导电部和第三导电部电连；第二导电部和第三导电部的部分位于该封装结构的外围。本发明通过将两个双面设有电极的第一芯片和第二芯片固定在金属框架结构相对的两侧进行堆叠封装，并且将金属片的部分处于空腔中，缩小封装结构的尺寸，提高散热性能。高散热性能。高散热性能。


技术研发人员：蔺光磊
受保护的技术使用者：芯知微（上海）电子科技有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2021/10/23