一种芯片封装结构及封装方法与流程

1.本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构及封装方法。


背景技术：

2.随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括球栅阵列封装(ballgridarray，bga)、芯片尺寸封装(chipscalepackage，csp)、晶圆级封装(waferlevelpackage，wlp)、三维封装(3d)和系统封装(systeminpackage，sip)等。目前，为了满足集成电路封装的更低成本、更可靠、更快及更高密度的目标，先进的封装方法主要采用晶圆级系统封装(waferlevelpackagesysteminpackage，wlpsip)，与传统的系统封装相比，晶圆级系统封装是在晶圆上完成封装集成制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。
3.目前，半导体封装发展的趋势向多芯片封装的方向发展。堆叠封装是多芯片封装的一种，小封装尺寸以及良好的散热性能，为功率芯片堆叠封装结构的发展趋势。现有的功率芯片堆叠封装结构，一种是将不同芯片分别封装在不同的封装体内，再将封装体堆叠，通过穿孔、焊球等方式实现多个芯片之间的互连，形成最终的整体封装结构；此种功率芯片堆叠封装结构，每一芯片均需要一基底承载，且需要对每一芯片进行封装，封装结构的尺寸较大，不利于产品的小型化设计。另一种功率芯片堆叠封装结构，将两个或多个芯片封装于同一个封装体内，芯片的电极通过铜线与管脚电连接，以将芯片电极外引；但是，对于相对两面均设有电极的双面电极芯片而言，当需要将两个或多个双面电极芯片堆叠封装，此种封装结构较难在实现芯片间互连以及电极的外引。并且，上述两种功率芯片堆叠封装结构也无法实现高效的散热。
4.因此，期待一种新的芯片封装结构及封装方法，可以解决将双面设有电极的芯片进行堆叠，且可解决封装结构尺寸较大、散热性能不佳等技术问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种芯片封装结构及封装方法，至少能够解决双面设有电极的芯片进行堆叠，且可解决封装结构尺寸较大、散热性能不佳等技术问题。
6.为了实现上述目的，一方面，本发明提供一种芯片封装结构，包括：
7.承载衬底，所述承载衬底具有多个凹槽；
8.金属片，所述金属片位于所述承载衬底上并覆盖所述凹槽形成空腔；
9.第一芯片，所述第一芯片位于所述金属片上并与所述金属片电连接；
10.金属框架结构，所述金属框架结构位于所述第一芯片上，所述金属框架结构包括第一导电部、与所述第一导电部电连接的第二导电部、以及与所述第一导电部绝缘的第三导电部；
11.第二芯片，所述第二芯片位于所述金属框架结构上；
12.所述第一芯片相对的两面设有第一电极和第二电极，所述第二芯片相对的两面设有第三电极和第四电极；所述第一电极与所述金属片电连接；所述第二电极和第三电极与所述第一导电部电连接；所述第四电极与所述第三导电部电连接；
13.所述第二导电部和所述第三导电部的部分位于该封装结构的外围。
14.另一方面，本发明还提供一种芯片封装结构的封装方法，包括：
15.提供承载衬底，所述承载衬底形成有多个凹槽；
16.在所述承载衬底上形成金属片，所述金属片覆盖所述凹槽形成空腔；
17.提供第一芯片，所述第一芯片形成于所述金属片上并与所述金属片电连接；
18.提供金属框架结构，所述金属框架结构键合在所述第一芯片上，所述金属框架结构包括第一导电部、与所述第一导电部电连接的第二导电部、以及与所述第一导电部绝缘的第三导电部；
19.提供第二芯片，所述第二芯片键合在所述金属框架结构上；
20.所述第一芯片相对的两面设有第一电极和第二电极，所述第二芯片相对的两面设有第三电极和第四电极；所述第一电极与所述金属片电连接；所述第二电极和第三电极与所述第一导电部电连接；所述第四电极与所述第三导电部电连接；
21.所述第二导电部和所述第三导电部的部分位于该封装结构的外围。
22.本发明的有益效果在于：
23.通过将两个双面设有电极的第一芯片和第二芯片固定在金属框架结构相对的两侧进行堆叠封装，并且将金属片的部分处于空腔中，在缩小了封装结构的尺寸的同时，兼具更优的散热性能，适用范围更广，更加可靠。
24.进一步的，通过在承载衬底上设置金属片并将金属片与第一芯片结合以及在第二芯片上设置金属桥，第四电极通过金属桥与第三导电部电连接；可以增大第一电极与金属片以及第四电极与金属桥之间的接触面积，可增大电和热的传导面积，从而降低电阻和热阻，降低热耗、提高散热效率，从而提升散热性能。本发明的封装结构，缩小了各元件之间的间隙，既缩小了封装解结构的尺寸，又兼具良好的散热性能，其适用性更广，可靠性更高。
25.进一步地，在承载衬底上设有贯穿承载衬底的通孔，该通孔与空腔连通，能够将金属片处于大气中，进一步的提高了金属片的散热性能。
附图说明
26.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1为本发明实施例1所提供的芯片封装结构的结构示意图；
28.图2至图10为本发明实施例2所提供的芯片封装结构的制作方法中不同步骤对应的结构示意图。
29.附图标记：100、承载衬底；101、第一导电结合层；102、第二导电结合层；103、金属框架结构；1031、第一导电部；1032、第二导电部；1033、第三导电部；104、第三导电结合层；105、第四导电结合层；106、金属桥；110a、凹槽；110、空腔；120、金属片；130、通孔；200、第一
芯片；300、第二芯片；400、塑封层。
具体实施方式
30.以下结合附图和具体实施例对本发明的芯片封装结构及封装方法作进一步详细说明。根据下面的说明和附图，本发明的优点和特征将更清楚，然而，需说明的是，本发明技术方案的构思可按照多种不同的形式实施，并不局限于在此阐述的特定实施例。附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
31.在说明书和权利要求书中的术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换，例如可使得本文所述的本发明实施例能够以不同于本文所述的或所示的其他顺序来操作。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。若某附图中的构件与其他附图中的构件相同，虽然在所有附图中都可轻易辨认出这些构件，但为了使附图的说明更为清楚，本说明书不会将所有相同构件的标号标于每一图中。
32.实施例1
33.参考图1，本实施例提供了一种芯片封装结构，图1示出了实施例1的一种芯片封装结构的结构示意图，请参考图1，所述封装结构包括：
34.承载衬底100，所述承载衬底100具有多个凹槽；
35.金属片120，所述金属片120位于所述承载衬底100上并覆盖所述凹槽形成空腔110；
36.第一芯片200，所述第一芯片200位于所述金属片120上并与所述金属片120电连接；
37.金属框架结构103，所述金属框架结构103位于所述第一芯片200上，所述金属框架结构103包括第一导电部1031、与所述第一导电部1031电连接的第二导电部1032、以及与所述第一导电部1031绝缘的第三导电部1033；
38.第二芯片300，所述第二芯片300位于所述金属框架结构103上；
39.所述第一芯片200相对的两面设有第一电极和第二电极，所述第二芯片300相对的两面设有第三电极和第四电极；所述第一电极与所述金属片120电连接；所述第二电极和第三电极与所述第一导电部1031电连接；所述第四电极与所述第三导电部1033电连接；
40.塑封层400，所述塑封层400覆盖该封装结构，所述第二导电部1032和所述第三导电部1033的部分超出所述塑封层400。
41.承载衬底100可以为以下所提到的材料中的至少一种：硅(si)、锗(ge)、锗硅(sige)、碳硅(sic)、碳锗硅(sigec)、砷化铟(inas)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)或者其它iii/v化合物半导体，还包括这些半导体构成的多层结构等，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。
42.凹槽的底面的形状为矩形，但在本发明的其他实施例中，凹槽的形状还可以是圆形、椭圆形或是矩形以外的多边形，例如五边形、六边形等，凹槽的形状在本技术方案中并
不做任何限定。
43.金属片120位于承载衬底100上且覆盖凹槽形成空腔110，使得部分金属片120处于空腔110中，可以增强金属片120的散热性能，金属片120的材料优选为铜，但并不做材料的限定。
44.第一芯片200包括相对的两个面，两个面分别设有第一电极和第二电极，为方便说明，在第一芯片200的正面设有第一电极，背面设第二电极，其中，将第一芯片200朝向承载衬底100的一面为第一芯片200的正面；第二芯片300包括相对的两个面，两个面分别设有第三电极和第四电极，为方便说明，在第二芯片300的正面设有第三电极，背面设第四电极，其中，将第二芯片300朝向第一芯片200的一面第二芯片300的正面；金属框架结构103位于所述第一芯片200上，所述金属框架结构103包括第一导电部1031、与所述第一导电部1031电连接的第二导电部1032、以及与所述第一导电部1031绝缘的第三导电部1033，其中，第二导电部1032与第一导电部1031为一体，第一导电部1031包括相对的正面和背面，所述金属片120与所述第一电极通过第一导电结合层101结合，所述第二电极与所述第一导电部1031的正面通过第二导电结合层102结合，所述第一导电部1031的背面与所述第三电极通过第三导电结合层104结合，所述第四电极通过第四导电结合层105与金属桥106结合。
45.第四电极与金属桥106电连接，所述金属桥106的正面通过第四导电结合层105与所述第四电极结合，所述金属桥106的背面与所述第三导电部1033电连接。
46.其中，第一导电部1031指的是一体结构位于塑封层400内的部分，第二导电部1032指的是一体结构露出塑封层400外的部分，第三导电部1033指的是与第一导电部1031绝缘且露出塑封层400外的部分。
47.在本实施例中，第二导电部1032由塑封层400的其一侧壁向外伸出。
48.导电结合层由导电结合材料固化形成，在第一电极与金属片120之间、在第二电极与第一导电部1031之间、在第三电极与第一导电部1031之间以及在第四电极与金属桥之间提供导电结合材料，通过焊接或粘合的方式，实现结合。其中，导电结合材料可以为铅锡银合金、金硅合金、银浆中的一种或多种，也可以为其他结合材料，导电结合材料的成分不作为对本发明的限制。其中，第一芯片200与第一导电部1031结合时，可以是将第一芯片200设有第二电极的一整面覆盖导电结合材料，也可以是仅在第二电极的电极区域覆盖导电结合材料；第二芯片300与第一导电部1031结合以及第二芯片300与金属桥106结合时与第一芯片200与第一导电部1031结合相同，此处不做过多赘述。
49.本发明中的金属片120可以为但不限于铜片，金属桥106可以为但不限于铜片。
50.本实施例中，所述塑封层400的材料为环氧树脂(epoxy)。环氧树脂具有收缩率低、粘结性好、耐腐蚀性好、电性能优异及成本较低等优点，因此广泛用作电子器件和集成电路的封装材料。在其他实施例中，所述塑封层400的材料还可以为聚酰亚胺或硅胶等热固性材料。具体地，所述塑封层400通过注塑成型工艺所形成，所述塑封层400的形状为晶圆状。在其他实施例中，所述塑封层400也可以为其它合适的形状。
51.本发明的封装结构，将第一芯片200和第二芯片300通过导电结合层分别结合于第一导电部1031相对的两侧，既可实现第一芯片200的第二电极与第二芯片300的第三电极之间的互连，又可通过第二导电部1032将第二电极和第三电极外引，如此，既可缩小第一芯片200与第二芯片300之间的间隙，可缩小封装尺寸，也满足了两个芯片的电极之间互连且外
引的设计需求。
52.本发明的封装结构，在第一芯片200的正面设置金属片120，金属片120与第一电极电连接，金属片120既用于将第一电极与其他电子器件连接，又用于向外散热；相对于通过金属导线、管脚将第一电极外引的方式，本发明可缩短电传导路径，降低电阻，从而降低热耗，封装结构内部的热量也可通过金属片120外露的部分直接快速地向外散出，无需管脚传导，可缩短热传导路径，提高传热效率，散热效率高；再者，金属片120面积大，金属片120与第一电极之间的接触面积大，可增大电和热的传导面积，降低电阻，降低热耗，提高散热效率，从而提升散热性能。
53.在采用金属片120将第一芯片200背离第一导电部1031一面上的第一电极外引的基础上，本发明还采用了金属桥106，通过在第二芯片300的背面设置金属桥106，第四电极通过金属桥106与第三导电部1033电连接；相对于采用金属线的方式，采用面积较大的金属桥106，可以增大第四电极与金属桥106之间的接触面积，可增大电和热的传导面积，从而降低电阻和热阻，降低热耗、提高散热效率，从而提升散热性能。本发明的封装结构，缩小了各元件之间的间隙，既缩小了封装解结构的尺寸，又兼具良好的散热性能，其适用性更广，可靠性更高。
54.为了进一步的提高金属片120的散热性能，在所述承载衬底100上设有贯穿所述承载衬底100的通孔130，所述通孔130与所述空腔110连通。
55.通过在承载衬底100上设置贯穿其的通孔130，其通孔130与空腔110连通，使得金属片120部分处于外部空气中，使得封装内部的热量能够更直接且更快速的向外散出，提高了散热的效率。
56.为了进一步提升该封装结构的散热性能，将金属桥106配置为：背离第二芯片300的一面露出塑封层400，即金属桥106的背面露出塑封层400。如此，该封装结构为双面散热结构，从而能够更加高效地将封装结构内部的热量向外散出。
57.本发明的封装结构，第一芯片200和第二芯片300中，其一为三极管芯片，另一为二极管芯片；该功率芯片堆叠封装结构应用时，二极管芯片具有正向导通、反向截止的功能，将三极管芯片与二极管芯片的配合，在栅极关闭的情况下，由于电感等原因产生的反向电流可被二极管芯片截止。从而使该封装结构满足更高功率的工作需求。对于三极管芯片和二极管芯片的设置，至少可采用如下两种实施方式实施：
58.方式一：第一芯片200为三极管芯片，第二芯片300为二极管芯片；三极管相对的两面分别设有源极和漏极，二极管芯片相对的两面分别设有阳极和阴极；第一电极为源极，第二电极为漏极，第三电极为阴极，第四电极为阳极。在该功率芯片堆叠封装结构应用时，在三极管芯片与电路板的电路中，并联二极管芯片，将三极管芯片的漏极和二极管芯片的阴极相连，可通过二极管芯片截止反向电流。本实施方式中，将三极管芯片作为第一芯片200，如此，源极与金属片120焊接，在应用时，金属片120可直接通过承载衬底100的电连接结构与电路板实现电连，最终实现源极与电路板的连接。
59.方式二：第一芯片200为二极管芯片，第二芯片300为三极管芯片。
60.两面分别设有源极和漏极，二极管芯片相对的两面分别设有阳极和阴极；第一电极为阳极、第二电极为阴极，第三电极为漏极、第四电极为源极。本发明中所述的三极管芯片，可以为但不限于mosfet芯片；三极管芯片为开关器件。
61.为了便于加工，金属片120的正面与塑封层400的底面齐平，金属桥106的背面与塑封层400的顶面齐平。
62.通过将两个双面设有电极的第一芯片200和第二芯片300固定在金属框架结构103相对的两侧进行堆叠封装，并且将金属片120的部分处于空腔110中，在缩小了封装结构的尺寸的同时，兼具更优的散热性能，适用范围更广，更加可靠。
63.进一步地，在承载衬底100上设有贯穿承载衬底100的通孔130，该通孔130与空腔110连通，能够将金属片120处于大气中，进一步的提高了金属片120的散热性能。
64.实施例2
65.本实施例2提供了一种芯片封装结构的封装方法，包括以下步骤：
66.s01：提供承载衬底100，所述承载衬底100形成有多个凹槽110a；
67.s02:在所述承载衬底100上形成金属片120，所述金属片120覆盖所述凹槽110a形成空腔110；
68.s03:提供第一芯片200，所述第一芯片200形成于所述金属片120上并与所述金属片120电连接；
69.s04:提供金属框架结构103，所述金属框架结构103键合在所述第一芯片200上，所述金属框架结构103包括第一导电部1031、与所述第一导电部1031电连接的第二导电部1032、以及与所述第一导电部1031绝缘的第三导电部1033；
70.s05:提供第二芯片300，所述第二芯片300键合在所述金属框架结构103上；
71.s06:所述第一芯片200相对的两面设有第一电极和第二电极，所述第二芯片300相对的两面设有第三电极和第四电极；所述第一电极与所述金属片120电连接；所述第二电极和第三电极与所述第一导电部1031电连接；所述第四电极与所述第三导电部1033电连接；
72.s07：所述第二导电部1032和所述第三导电部1033的部分位于该封装结构的外围。
73.需要说明的是，步骤s0n不代表先后顺序。
74.图2至图10是本实施例芯片封装结构各步骤对应的结构示意图。下面请参考图2至图10对芯片封装结构的封装方法进行阐述。
75.参考图2，提供承载衬底100，所述承载衬底100形成有多个凹槽110a。
76.承载衬底100可以为以下所提到的材料中的至少一种：硅(si)、锗(ge)、锗硅(sige)、碳硅(sic)、碳锗硅(sigec)、砷化铟(inas)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)或者其它iii/v化合物半导体，还包括这些半导体构成的多层结构等，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。
77.凹槽110a的底面的形状为矩形，但在本发明的其他实施例中，凹槽110a的形状还可以是圆形、椭圆形或是矩形以外的多边形，例如五边形、六边形等，凹槽110a的形状在本技术方案中并不做任何限定。
78.在承载衬底100上形成多个凹槽110a，为了后续将形成的金属片120处于凹槽110a中，可以增强金属片120的散热性能。
79.参考图3，在所述承载衬底100上形成金属片120，所述金属片120覆盖所述凹槽110a形成空腔110。
80.金属片120位于承载衬底100上且覆盖凹槽110a形成空腔110，使得部分金属片120处于空腔110中，可以增强金属片120的散热性能，金属片120的材料优选为铜，但并不做材
料的限定。
81.金属片120既用于将后续形成的第一芯片200的第一电极与其他电子器件连接，又用于向外散热；相对于通过金属导线、管脚将第一电极外引的方式，本发明可缩短电传导路径，降低电阻，从而降低热耗，封装结构内部的热量也可通过金属片120外露的部分直接快速地向外散出，无需管脚传导，可缩短热传导路径，提高传热效率，散热效率高；再者，金属片120面积大，金属片120与第一电极之间的接触面积大，可增大电和热的传导面积，降低电阻，降低热耗，提高散热效率，从而提升散热性能。
82.参考图4，提供第一芯片200，所述第一芯片200形成于所述金属片120上并与所述金属片120电连接。
83.在第一芯片200上形成金属片120之前，在所述金属片120上形成第一导电结合材料层，对所述第一导电结合材料层图形化得到第一导电结合层101，第一芯片200通过第一导电结合层101与所述金属片120电连接，第一导电结合材料层的材料可以为铅锡银合金、金硅合金、银浆中的一种或多种，也可以为其他结合材料，结合材料的成分不作为对本发明的限制。
84.在本实施例中，第一芯片200为三极管芯片，后续形成的第二芯片300为二极管芯片；三极管相对的两面分别设有源极和漏极，二极管芯片相对的两面分别设有阳极和阴极；第一电极为源极，第二电极为漏极，第三电极为阴极，第四电极为阳极。在该功率芯片堆叠封装结构应用时，在三极管芯片与电路板的电路中，并联二极管芯片，将三极管芯片的漏极和二极管芯片的阴极相连，可通过二极管芯片截止反向电流。本实施方式中，将三极管芯片作为第一芯片200，如此，源极与金属片120焊接，在应用时，金属片120可直接通过承载衬底100的电连接结构与电路板实现电连，最终实现源极与电路板的连接。
85.在另一实施例中，第一芯片200为二极管芯片，第二芯片300为三极管芯片，两面分别设有源极和漏极，二极管芯片相对的两面分别设有阳极和阴极；第一电极为阳极、第二电极为阴极，第三电极为漏极、第四电极为源极。
86.需要说明的是，本发明中所述的三极管芯片，可以为但不限于mosfet芯片；三极管芯片为开关器件。
87.参考图5和图6，提供金属框架结构103，所述金属框架结构103键合在所述第一芯片200上，所述金属框架结构103包括第一导电部1031、与所述第一导电部1031电连接的第二导电部1032、以及与所述第一导电部1031绝缘的第三导电部1033。
88.在形成第一芯片200之后且第一芯片200与金属框架结构103键合之前，在第一芯片200上形成第二导电结合材料层，对第二导电结合材料层图形化形成第二导电结合层102，第二导电结合材料层的材料与第一导电结合材料层相同，此处不再赘述，金属框架结构103通过第二导电结合层102与第一芯片200实现电连接。
89.其中，第二导电部1032与第一导电部1031为一体，第一导电部1031包括相对的正面和背面，所述金属片120与所述第一电极通过第一导电结合层101结合，所述第二电极与所述第一导电部1031的正面通过第二导电结合层102结合，所述第一导电部1031的背面与后续形成的第三电极结合；第三导电部1033与后续形成的金属桥106的背面电连接。
90.其中，第一导电部1031指的是一体结构位于后续形成的塑封层400内的部分，第二导电部1032指的是一体结构露出塑封层400外的部分，第三导电部1033指的是与第一导电
部1031绝缘且露出塑封层400外的部分。
91.金属框架结构103的材料为导电材料，可以为铜、铬、金硅合金等的一种或多种，材料不做限定。
92.参考图7，提供第二芯片300，所述第二芯片300键合在所述金属框架结构103上。
93.在本实施例中，第二芯片300为二极管芯片，二极管的相对的两面为第三电极和第四电极，两面分别设有阳极和阴极，第三电极为阴极，第四电极为阳极。第三电极与所述第一导电部1031的背面电连接；所述第四电极与所述第三导电部1033电连接；在其它实施例中，第二芯片300也可以是三极管芯片，具体请参考前述，此处不再赘述。
94.在形成金属框架结构103之前且键合第二芯片300之前，在金属框架结构103上形成第三导电结合材料层，图形化第三导电结合材料层形成第三导电结合层104，第三电极通过第三导电结合层104与第一导电部1031电连接，第二芯片300与金属框架结构103结合之后，在第二芯片300上形成第四导电结合材料层，图形化第四导电结合材料层形成第四导电结合层105，用于后续与形成的金属桥106结合。第三导电结合材料层和第四导电结合材料层与第一导电结合材料层的材料相同，此处不做说明。
95.参考图8，在第三导电结合层104上形成金属桥106，所述第四电极与金属桥106电连接。
96.所述金属桥106包括相对的正面和背面，所述金属桥106的正面通过第四导电结合层105与所述第四电极结合，所述金属桥106的背面与所述第三导电部1033电连接。
97.金属桥106可以为但不限于铜片，通过在第二芯片300的背面设置金属桥106，第四电极通过金属桥106与第三导电部1033电连接；相对于采用金属线的方式，采用面积较大的金属桥106，可以增大第四电极与金属桥106之间的接触面积，可增大电和热的传导面积，从而降低电阻和热阻，降低热耗、提高散热效率，从而提升散热性能。本发明的封装结构，缩小了各元件之间的间隙，既缩小了封装解结构的尺寸，又兼具良好的散热性能，其适用性更广，可靠性更高。
98.参考图9和图10，还包括形成塑封层400，所述塑封层400覆盖该封装结构，所述第二导电部1032和所述第三导电部1033的部分超出所述塑封层400。
99.本实施例中，所述塑封层400的材料为环氧树脂(epoxy)。环氧树脂具有收缩率低、粘结性好、耐腐蚀性好、电性能优异及成本较低等优点，因此广泛用作电子器件和集成电路的封装材料。在其他实施例中，所述塑封层400的材料还可以为聚酰亚胺或硅胶等热固性材料。具体地，所述塑封层400通过注塑成型工艺所形成，所述塑封层400的形状为晶圆状。在其他实施例中，所述塑封层400也可以为其它合适的形状。
100.参考图10，形成塑封层400之前或之后，形成贯穿所述承载衬底100的通孔130，所述通孔130与所述空腔110连通。
101.在承载衬底100上设有贯穿承载衬底100的通孔130，该通孔130与空腔110连通，能够将金属片120处于大气中，进一步的提高金属片120的散热性能。
102.通过将两个双面设有电极的第一芯片和第二芯片固定在金属框架结构相对的两侧进行堆叠封装，并且将金属片的部分处于空腔中，在缩小了封装结构的尺寸的同时，兼具更优的散热性能，适用范围更广，更加可靠。
103.通过在承载衬底上设置金属片并将金属片与第一芯片结合以及在第二芯片上设
置金属桥，第四电极通过金属桥与第三导电部电连接；可以增大第一电极与金属片以及第四电极与金属桥之间的接触面积，可增大电和热的传导面积，从而降低电阻和热阻，降低热耗、提高散热效率，从而提升散热性能。本发明的封装结构，缩小了各元件之间的间隙，既缩小了封装解结构的尺寸，又兼具良好的散热性能，其适用性更广，可靠性更高。
104.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
105.上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。