一种系统级封装方法及其封装结构与流程

1.本发明属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种系统级封装方法及其封装结构。


背景技术：

2.系统级封装采用任何组合，将多个具有不同功能和采用不同工艺制备的有源元/器件、无源元/器件、mems器件、分立的kgd(known good die)诸如光电芯片、生物芯片等，在三维(x方向、y方向和z方向)集成组装成为具有多层器件结构，并且可以提供多种功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。
3.倒装芯片(fc，flip
‑
chip)焊接为目前比较常用的一种系统级封装方法。该系统级封装的方法包括：提供pcb电路板，其中pcb电路板上形成有按一定要求排列的焊球(利用植球工艺形成)；在电路板上浸蘸助焊剂，然后将芯片倒装贴片在电路板上；利用回流焊工艺将芯片上的焊垫(pad)与电路板上的焊球进行焊接后电连接；之后，在芯片底部和电路板之间充填灌胶，以增加整个结构的机械强度；但是，现有的系统级封装的方法，存在以下缺点：1、工艺复杂，造成封装效率低；2、需要将各个芯片依次焊接在焊球上，封装效率低；3、封装高度较高、集成度低。
4.因此，期待一种新的系统级封装方法及封装结构，可以解决工艺控制的难度大、封装尺寸大、集成度低以及封装效果差等技术问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的是提供一种系统级封装方法及其封装结构，能够解决工艺难度大、封装尺寸大、集成度低以及封装效果差等技术问题。
6.为了实现上述目的，本发明提供一种系统级封装方法，包括步骤：
7.提供pcb板，所述pcb板的表面具有多个裸露的第一焊垫；
8.提供器件晶圆，所述器件晶圆内包括多个第一芯片，所述第一芯片的表面具有多个裸露的第二焊垫；
9.将所述器件晶圆通过连接层键合至所述pcb板表面，所述第一焊垫与所述第二焊垫相对以围成空隙；
10.对所述器件晶圆进行切割，形成独立的芯片结构；
11.通过电镀工艺在所述空隙中形成导电凸块，所述第一焊垫与所述第二焊垫通过所述导电凸块电连接
12.本发明还提供一种系统级封装结构，包括：
13.pcb板，所述pcb板包括相对的正面和背面，在所述pcb板的正面具有多个裸露的第一焊垫；
14.器件晶圆，所述器件晶圆具有第一芯片，所述第一芯片的表面具有多个裸露的第二焊垫，所述器件晶圆通过连接层键合在所述pcb板表面，所述第一焊垫与所述第二焊垫相对设置；
15.导电凸块，通过电镀工艺形成于所述第一焊垫与所述第二焊垫之间以电连接所述第一焊垫与所述第二焊垫。
16.有益效果：
17.本发明通过将器件晶圆上键合至pcb板上之后，对器件晶圆进行切割形成独立的芯片结构，再对芯片结构中的空隙通过电镀工艺形成导电凸块，满足了电镀液容易进入空隙进行电镀，降低电镀工艺的难度，提高封装结构的导电性能。
18.其次，通过将器件晶圆键合至pcb板上，省去传统的将芯片键合在晶圆上的步骤，简化工艺，降低工艺难度，提高集成度，提高封装结构的导电性能。
19.进一步，将所有的芯片均键合在pcb板上之后，对器件晶圆切割，使每个第一芯片独立，通过电镀工艺使器件晶圆切割后形成的每一芯片与所述pcb板的电连接，相较于传统的每个芯片单独焊接与pcb板实现电连接，极大的提高了封装效率。
20.进一步的，器件晶圆与pcb板之间通过可光刻键合材料实现物理连接且覆盖所述导电凸块外围的区域，可以省去现有技术的充填灌胶工艺。另外，可光刻键合材料由于弹性模量比较小，在受到热应力时可以很容易变形而不至于破损，从而减小器件晶圆与pcb板的结合应力。
21.进一步的，可光刻键合材料可以定义导电凸块的位置，防止电镀工艺中导电凸块横向外溢。
22.进一步地，通过在器件晶圆上键合第二芯片，提高了空间利用率并提高器件的多功能性。
23.进一步地，在器件晶圆上开设连通孔，贯穿器件晶圆并延伸至所述第一芯片，使第一芯片暴露在外部大气中，从而提升封装结构的工作性能，提高了其利用率，且能在更多的场合使用，使其更具有灵活性。
24.本发明的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
25.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1至图7为本发明实施例1所提供的系统级封装方法中不同步骤对应的结构示意图；
27.图8为本发明实施例2所提供的系统级封装方法中不同步骤对应的结构示意图；
28.图9为本发明实施例5所提供的系统级封装结构示意图；
29.图10为本发明实施例6所提供的系统级封装结构示意图。
30.附图标记：
31.21、基板；31、第一连接块；32、导电插塞；40、第一焊垫；50、可光刻键合材料；51、空腔；60、第二焊垫；61、第三焊垫；62、第四焊垫；70、导电凸块；70a、空隙；100、器件晶圆；101、第一芯片；200、第二芯片；80、连通孔。
具体实施方式
32.以下结合附图和具体实施例对本发明的系统级封装方法及其封装结构作进一步详细说明。根据下面的说明和附图，本发明的优点和特征将更清楚，然而，需说明的是，本发明技术方案的构思可按照多种不同的形式实施，并不局限于在此阐述的特定实施例。附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
33.在说明书和权利要求书中的术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换，例如可使得本文所述的本发明实施例能够以不同于本文所述的或所示的其他顺序来操作。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。若某附图中的构件与其他附图中的构件相同，虽然在所有附图中都可轻易辨认出这些构件，但为了使附图的说明更为清楚，本说明书不会将所有相同构件的标号标于每一图中。
34.实施例1
35.参考图1至图7，本实施例1提供一种系统级封装方法，包括以下步骤：
36.s01：提供pcb板，pcb板的表面具有多个裸露的第一焊垫40；
37.s02：提供器件晶圆100，器件晶圆100内包括多个第一芯片101，第一芯片101的表面具有多个裸露的第二焊垫60；
38.s03：将器件晶圆100通过连接层键合至pcb板表面，第一焊垫40与第二焊垫60相对以围成空隙70a；
39.s04：对器件晶圆100进行切割，形成独立的芯片结构；
40.s05：通过电镀工艺在空隙70a中形成导电凸块70，第一焊垫40与第二焊垫60通过导电凸块70电连接。
41.需要说明的是，步骤s0n不代表先后顺序。
42.图1至图7是本实施系统级封装方法各步骤对应的结构示意图。下面请参考图1至图7对系统级封装方法进行阐述。
43.参考图1，执行步骤s01，提供pcb板，pcb板的表面具有多个裸露的第一焊垫40。
44.具体地，pcb板包括至少一层板，每层板至少包括基板21以及位于基板21内的互连结构，第一焊垫40位于顶层基板21上与互连结构电连接；
45.继续参考图1，提供基板21，基板21的材料包括半导体材料，如硅(si)、锗(ge)、锗硅(sige)、碳硅(sic)、碳锗硅(sigec)、砷化铟(inas)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)或者其它iii/v化合物半导体等。
46.pcb板包括：至少一基板21，位于基板21内的导电插塞32，第一焊垫40位于顶层基板21上且与导电插塞32电连接。基板21可以是单层板，双层板，三层板，四层板等，具体的，基板21的层数可以根据实际需求确定。本实施例中，基板21为双层板，pcb板包括基板21以及位于基板21表面的第一焊垫40、与第一焊垫40电连接的互连结构，互连结构包括导电插塞32以及与第一焊垫40相对一面上形成的第一连接块31，第一连接块31与导电插塞32电连接。本发明中，基板21可以为陶瓷基板。
47.现有技术中，pcb板顶层为阻焊层、助焊层，阻焊剂覆盖pcb板顶面且暴露出焊垫。本发明中，pcb板的顶层可以同现有技术相同，在顶面设置阻焊层、阻焊；由于本发明中，第一芯片与pcb板的电连接无需通过焊接实现，因此顶面可以不设置阻焊层(绿油)，也可以不设置助焊层。第一焊垫40埋设于基板21内且部分暴露在外。
48.第一焊垫40用于与第一芯片电连接，第一焊垫40的材料为导电材料，具体可以为铜、钛、铝、金、锌或铬中的任意一种或它们的任意组合。
49.参考图2，形成pcb板之后，在pcb板的正面形成连接层，连接层覆盖后续形成的导电凸块外围的区域。
50.连接层包括可光刻键合材料50，芯片粘结膜，金属，介质层，或聚合物材料之一或组合。
51.本实施例中，连接层为可光刻键合材料50，可光刻键合材料50的厚度为60
‑
160μm，可光刻键合材料50至少覆盖后续第一芯片面积的10％。在后续粘合第一芯片和pcb板时，形成较大面积的可光刻键合材料50，能够提高器件的结构强度，提高成品率。
52.可光刻键合材料50材料可以为液体干膜，也可以是膜状干膜，液态干膜可以旋涂在pcb板的表面上，膜状干膜可以贴覆在pcb板的表面上。由于弹性模量比较小，在受到热应力时可以很容易变形而不至于破损，从而减小后续第一芯片与pcb板的结合应力。可光刻键合材料50覆盖后续形成的导电凸块外围的区域，直接增强了整个结构的机械强度，可以省去现有技术的充填灌胶工艺。
53.参考图3，执行步骤s02，提供器件晶圆100，器件晶圆100内包括多个第一芯片101，第一芯片101的表面具有多个裸露的第二焊垫60。
54.第一芯片101为多个，多个第一芯片101可以为具有同功能的芯片；也可以是多个第一芯片101至少包括两种不同功能的芯片，多种不同功能的芯片集成在一起实现一定的功能。第一芯片101可以是无源器件或者有源器件，无源器件包括电容、电感、连接芯片(起电连接作用的电连接块)，有源器件可以包括传感器模组芯片、mems芯片、滤波器芯片、逻辑芯片、存储芯片。
55.传感器模组芯片包括至少传感射频信号、红外辐射信号、可见光信号、声波信号、电磁波信号其中之一的模组芯片。传感射频信号的模组芯片可以是应用在5g设备中的射频模组芯片，但不限于5g射频传感器模组芯片，还可以是其他类型的射频模组芯片。接收红外辐射信号的模组芯片可以是热像仪、额温枪、其他类型中的测温或成像等利用红外辐射信号的红外传感器模组芯片。传感器模组芯片还可以是摄像头模组芯片，比如包括感光芯片以及滤光片的模组芯片，可以接收可见光用来成像。传感器模组芯片还可以是麦克风模组芯片，可以接收声波用来传递声音信号。本发明中的传感器模组芯片不限于在此列举的类型，可以为本领域可以实现一定功能的各种类型的传感器模组芯片。
56.本实施例中，每个第一芯片101均设有两个第二焊垫60，在其他实施例中，第一芯片101的第二焊垫60可以为多个，第二焊垫60的材料与第一焊垫40相同，此处不再赘述，第二焊垫60用于后续与第一焊垫40电连接。
57.参考图4，执行步骤s03，将器件晶圆100通过连接层键合至pcb板表面，第一焊垫与第二焊垫相对以围成空隙70a；
58.第一空隙70a的高度为60
‑
160μm，如60μm、80μm、120μm。第一空隙70a的高度为60
‑
160μm时，既满足了后续的电镀液容易进入第一空隙70a进行电镀，也避免了第一空隙70a高度太高而导致电镀时间长的问题，从而兼顾了电镀效率与电镀的良率。
59.本发明中，器件晶圆100与pcb板之间通过可光刻键合材料50实现物理连接且覆盖导电凸块外围的区域，不仅可以省去现有技术的充填灌胶工艺，还可以省去传统的将芯片键合在晶圆上的步骤，简化工艺，降低工艺难度，提高集成度，提高封装结构的导电性能。另外，可光刻键合材料50由于弹性模量比较小，在受到热应力时可以很容易变形而不至于破损，从而减小器件晶圆100与pcb板的结合应力。
60.参考图5，执行步骤s04，对器件晶圆100进行切割，形成独立的芯片结构；
61.需要说明的是，在切割器件晶圆100时，可以pcb板为承载，且在切割器件晶圆100之前，还可以对器件晶圆100进行减薄，减薄到合适厚度，即保证位于器件晶圆100内的第一芯片101的性能，又能减少封装厚度。
62.本发明将所有的芯片均键合在pcb板上之后，对器件晶圆100切割，使每个第一芯片101独立，通过电镀工艺使器件晶圆100切割后形成的每一芯片101与pcb板的电连接，相较于传统的每个芯片单独焊接与pcb板实现电连接，极大的提高了封装效率。本发明通过先对器件晶圆100进行切割形成独立的芯片结构，再对芯片结构中的空隙通过后续的电镀工艺形成导电凸块，满足了电镀液容易进入空隙进行电镀，降低电镀工艺的难度，提高封装结构的导电性能。
63.参考图6，执行步骤s05，通过电镀工艺在空隙中形成导电凸块70，第一焊垫40与第二焊垫60通过导电凸块70电连接。
64.本发明中，电镀工艺包括化学镀。其中，化学镀采用的镀液根据实际中需要形成的导电凸块70的材料以及第一焊垫40、第二焊垫60的材料确定。第一焊垫40、第二焊垫60的材料选自铜、钛、铝、金、锌或铬中的任意一种或它们的任意组合。导电凸块70的横截面积大于10平方微米；导电凸块70的材料包括：铜、钛、铝、金、锌或铬中的任意一种或它们的任意组合。
65.可以选择，化学镀钯浸金，其中化学镍的时间为30
‑
50分钟，化学金的时间为4
‑
40分钟，化学钯的时间为7
‑
32分钟；或，化学镍金，其中化学镍的时间为30
‑
50分钟，化学金的时间为4
‑
40分钟。
66.电镀工艺选择化学镀钯浸金(enepig)或化学镍金(enig)时，工艺参数可以参照下表1。
67.表1
[0068][0069]
在进行化学镀之前，为了更好的完成电镀工艺，可以先对焊垫的表面进行清洁，以
去除焊垫表面的自然氧化层、提高焊垫的表面湿润度(wetabilities)；之后，可以进行活化工艺，促进镀层金属在待镀金属上的形核生长。
[0070]
参考图7，切割pcb板，形成独立的封装体。
[0071]
具体地，在切割pcb板时，将器件晶圆100表面键合临时载板，然后以临时载板为支撑切割pcb板(临时载板附图中未示出)。
[0072]
本实施例中，在对pcb板切割形成独立的封装体后，还可以对独立的芯片进行单独塑封，形成覆盖单独芯片的塑封层。本发明中也可以无需形成塑封层。比如，键合的器件晶圆100内的第一芯片101为图像传感器芯片模组，可以不形成塑封层，如果形成塑封层，则需要在图像传感器芯片模组上进行开口，以暴露出滤光片。
[0073]
实施例2
[0074]
参考图8，本实施例2提供一种系统级封装方法，与实施例1不同的是：在将器件晶圆100通过连接层键合至pcb板表面之前，对连接层进行刻蚀形成贯穿或部分贯穿连接层的第一开口，此时再将器件晶圆100通过连接层键合至pcb板表面，此时第一开口被器件晶圆100和pcb板围成空腔51，而空腔51作为器件晶圆100的工作腔。
[0075]
其它部分与实施例1相同，此处不做过多的赘述。
[0076]
实施例3
[0077]
参考图6，本实施例3提供一种系统级封装结构，图6示出了实施例2的一种系统级封装结构示意图，请参考图6，系统级封装结构包括：
[0078]
pcb板，pcb板包括相对的正面和背面，在pcb板的正面具有多个裸露的第一焊垫40；
[0079]
器件晶圆100，器件晶圆100具有第一芯片101，第一芯片101的表面具有多个裸露的第二焊垫60，器件晶圆100通过连接层键合在pcb板表面，第一焊垫40与第二焊垫60相对设置；
[0080]
导电凸块70，通过电镀工艺形成于第一焊垫40与第二焊垫60之间以电连接第一焊垫40与第二焊垫60。
[0081]
本发明通过将器件晶圆100键合至pcb板上，省去传统的将芯片键合在晶圆上的步骤，简化工艺，降低工艺难度，提高集成度，提高封装结构的导电性能。
[0082]
具体地，本实施例中，pcb板包括：至少一个基板21，位于基板21内的导电插塞32，第一焊垫40位于顶层基板21上且与导电插塞32电连接。基板21可以是单层板，双层板，三层板，四层板等，具体的，基板21的层数可以根据实际需求确定。本实施例中，基板21为双层板，pcb板包括基板21以及位于基板21表面的第一焊垫40、与第一焊垫40电连接的互连结构，互连结构包括导电插塞32以及与第一焊垫40相对一面上形成的第一连接块31，第一连接块31与导电插塞32电连接。本发明中，基板21可以为陶瓷基板。
[0083]
第一芯片101为多个，多个第一芯片101可以为具有同功能的芯片；也可以是多个第一芯片101至少包括两种不同功能的芯片，多种不同功能的芯片集成在一起实现一定的功能。第一芯片101可以是无源器件或者有源器件，无源器件包括电容、电感、连接芯片(起电连接作用的电连接块)，有源器件可以包括传感器模组芯片、mems芯片、滤波器芯片、逻辑芯片、存储芯片。
[0084]
具体的，器件晶圆100与pcb板之间通过可光刻键合材料50实现物理连接，可光刻
键合材料50的厚度为60
‑
160μm，可光刻键合材料50避开焊垫设置并覆盖导电凸块70外围的区域。
[0085]
器件晶圆100与pcb板之间通过可光刻键合材料50实现物理连接，而且可光刻键合材料50覆盖导电凸块70外围的区域，一方面，直接增强了整个结构的机械强度，可以省去现有技术的充填灌胶工艺，另一方面，可光刻键合材料50材料由于弹性模量比较小，在受到热应力时可以很容易变形而不至于破损，从而减小器件晶圆100与pcb板的结合应力。
[0086]
实施例4
[0087]
参考图8，本实施例4提供一种系统级封装结构，图8示出了实施例4的一种系统级封装结构示意图，参考图8，本实施例4与实施例3的区别之处在于，本实施例4的可光刻键合材料50具有第一开口，第一开口被器件晶圆100和pcb板围成空腔51，空腔51贯穿连接层或者贯穿部分连接层。
[0088]
本实施例中，第一芯片101的下方均需要具有空腔51，在其它实施例中，也可以部分第一芯片101的下方不需要空腔51。该空腔51为第一芯片101提供工作的空腔环境，不需再另外做封盖，简化了工艺。
[0089]
其它部分与实施例3相同，此处不做过多的赘述。
[0090]
实施例5
[0091]
参考图9，本实施例5提供一种系统级封装结构，图9示出了实施例5的一种系统级封装结构示意图，参考图9，本实施例5与实施例3的区别之处在于，器件晶圆100的表面设有连通孔80，连通孔80贯穿器件晶圆100并延伸至第一芯片101。
[0092]
本发明在器件晶圆100上开设连通孔80，贯穿器件晶圆100并延伸至第一芯片101，使第一芯片101暴露在外部大气中，从而提升封装结构的工作性能，提高了其利用率，且能在更多的场合使用，使其更具有灵活性。
[0093]
具体地，本实施例中至少有一个器件晶圆100的表面设有连通孔80。
[0094]
其它部分与实施例3相同，此处不做过多的赘述。
[0095]
实施例6
[0096]
参考图10，本实施例6提供一种系统级封装结构，图10示出了实施例6的一种系统级封装结构示意图，参考图10，本实施例6与实施例3的区别之处在于，在本实施例6与还包括第二芯片200，第二芯片200键合在器件晶圆100上，第二芯片200与器件晶圆100通过电镀工艺形成的导电凸块70或焊球电连接。
[0097]
具体的，第二芯片200上形成有第四焊垫62，器件晶圆100包括第一表面与第二表面，其中器件晶圆100的第一表面与pcb板相键合，并在器件晶圆100的第二表面上形成有第三焊垫61，第二芯片200通过可光刻键合材料50与器件晶圆100连接，并通过导电凸块70实现第三焊垫61与第四焊垫62的电连接，最终实现第一芯片101与第二芯片200的电连接。
[0098]
通过将第二芯片200键合在器件晶圆100上，能够提高了空间利用率并提高器件的多功能性。
[0099]
其它与实施例3相同，在此不做赘述。
[0100]
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
[0101]
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发
明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。