具有硅穿孔结构的半导体组件及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种具有硅穿孔结构的半导体组件，其特征在于，包括：衬底，具有第一表面、及与所述第一表面相对的第二表面，并设置有多个孔洞贯穿过所述衬底的所述第一表面及所述第二表面；穿通电极，设置于所述衬底的每一所述孔洞内，所述穿通电极具有第一端面及与所述第一端面相对的第二端面，所述第一端面位于所述衬底的所述第一表面的一侧，所述第二端面位于所述衬底的所述第二表面的一侧；衬层，设置于每一所述孔洞的内壁，从所述衬底的所述第一表面的所述侧延伸至所述第二表面的所述侧；多个焊垫，每一所述焊垫对应并覆盖所述穿通电极的所述第一端面、及位于所述衬底的所述第一表面的所述侧的所述衬层；第一绝缘层，设置于所述衬底的所述第一表面上，并使得每一所述焊垫的部分表面暴露出来；多个第一导电组件，覆盖所暴露的每一所述焊垫及部分的所述第一绝缘层；第二绝缘层，覆盖所述衬底的所述第二表面、及位于所述衬底的所述第二表面的所述侧的所述衬层；以及多个第二导电组件，覆盖每一所述穿通电极的所述第二端面，并延伸到部分的所述第二绝缘层上。2.如权利要求1所述的具有硅穿孔结构的半导体组件，其特征在于，所述衬层覆盖所述穿通电极的部分的所述第二端面。3.如权利要求1所述的具有硅穿孔结构的半导体组件，其特征在于，所述衬层为氧化物。4.如权利要求1所述的具有硅穿孔结构的半导体组件，其特征在于，所述穿通电极为铜。5.如权利要求1所述的具有硅穿孔结构的半导体组件，其特征在于，所述第一绝缘层及所述第二绝缘层为聚酰亚胺。6.如权利要求1所述的具有硅穿孔结构的半导体组件，其特征在于，所述第一导电组件包括金属层及焊球，所述金属层对应设置于所述焊垫上，所述焊球设置于所述金属层相对于所述焊垫的表面上。7.如权利要求6所述的具有硅穿孔结构的半导体组件，其特征在于，所述焊球、所述金属层为铜、镍、锡、银、钛、钨、铬或上述的合金。8.如权利要求1所述的具有硅穿孔结构的半导体组件，其特征在于，所述第二导电组件为铜、镍、锡、银、金或上述的合金。9.一种具有硅穿孔结构的半导体组件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面、及与所述第一表面相对的第二表面；在所述衬底内形成多个贯穿所述衬底的所述第一表面及所述第二表面的孔洞；形成衬层在所述衬底内的每一所述孔洞的内壁上；在每一所述孔洞内形成金属以形成穿通电极，其中所述穿通电极具有第一端面及与所述第一端面相对的第二端面，所述第一端面位于所述衬底的所述第一表面的一侧，所述第二端面位于所述衬底的所述第二表面的一侧；
形成多个焊垫以覆盖所述穿通电极的所述第一端面；形成第一绝缘层在所述衬底的所述第一表面并暴露每一所述焊垫的部分表面；形成第一导电组件在每一所述焊垫上，且每一所述焊垫与所述第一导电组件电性连接；对所述衬底相对于所述第一表面的所述侧执行薄形化制程，使所述衬层暴露出所述衬底的所述第二表面；形成第二绝缘层在所述衬底的所述第二表面上；移除部分的所述第二绝缘层及所述衬层，以暴露所述穿通电极的所述第二端面；以及形成多个第二导电组件，且每一所述第二导电组件覆盖所述穿通电极的所述第二端面，并延伸到部分的所述第二绝缘层上。10.一种具有硅穿孔结构的半导体组件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面、及与所述第一表面相对的第二表面；在所述衬底内形成多个贯穿所述衬底的所述第一表面及所述第二表面的孔洞；形成衬层在所述衬底内的每一所述孔洞的内壁上；在每一所述孔洞内形成金属以形成穿通电极，其中所述穿通电极具有第一端面及与所述第一端面相对的第二端面，所述第一端面位于所述衬底的所述第一表面的一侧，所述第二端面位于所述衬底的所述第二表面的一侧；形成多个焊垫以覆盖所述穿通电极的所述第一端面；形成第一绝缘层在所述衬底的所述第一表面并暴露每一所述焊垫的部分表面；形成第一导电组件在每一所述焊垫上，且每一所述焊垫与所述第一导电组件电性连接；对所述衬底相对于所述第一表面的所述侧执行薄形化制程，使所述穿通电极突出于所述衬底的所述第二表面；形成第二绝缘层以覆盖所述衬底的所述第二表面及突出的所述穿通电极；移除部分的所述第二绝缘层及所述衬层，以暴露所述穿通电极的部分的所述第二端面；以及形成多个第二导电组件，且每一所述第二导电组件覆盖所述穿通电极的部分的所述第二端面，并延伸到部分的所述第二绝缘层上。

技术总结
一种具有硅穿孔结构的半导体组件及其制作方法，具有硅穿孔结构的半导体组件包括：设有多个孔洞贯穿过正面侧的第一表面及背面侧的第二表面的衬底；设置于孔洞内的穿通电极；设置于孔洞的内壁的衬层；设置于穿通电极的第一端面上的多个焊垫；设置于正面侧的第一绝缘层，使得每个焊垫的部分表面暴露出来；第一导电组件覆盖所暴露的焊垫及部分的第一绝缘层；设置于背面侧的第二绝缘层，覆盖位于背面侧的衬层，并使每一个穿通电极的第二端面整个或部分暴露出来；以及设置于穿通电极的第二端面的第二导电组件，延伸覆盖到部分的第二绝缘层上。上。上。


技术研发人员：戴国瑞 林健财 康展榕
受保护的技术使用者：瑞峰半导体股份有限公司
技术研发日：2020.04.15
技术公布日：2021/10/22