去气腔室、半导体设备及去气方法与流程

技术特征：
1.一种去气腔室，其特征在于，包括腔室本体、承载部件、进气结构和加热部件，其中，所述承载部件设置在所述腔室本体中，用于承载至少一个晶圆，所述承载部件通过与所述晶圆的边缘接触，对所述晶圆进行承载；所述进气结构用于将工艺气体引入至所述腔室本体内，并使经其引入至所述腔室本体内的所述工艺气体能够流经承载于所述承载部件上的所述晶圆的上表面和下表面；所述加热部件用于在所述工艺气体流动至承载于所述承载部件上的所述晶圆之前，将所述工艺气体加热至工艺温度。2.根据权利要求1所述的去气腔室，其特征在于，所述进气结构包括进气通道和导流部件，其中，所述导流部件设置在所述腔室本体内，并位于所述进气通道和所述承载部件之间，所述导流部件和所述腔室本体的内壁围成一匀气腔，所述进气通道开设在所述腔室本体上，用于将所述工艺气体引入至所述匀气腔内；所述导流部件用于将所述匀气腔内的所述工艺气体导流至所述晶圆的上表面和下表面；所述加热部件设置于所述匀气腔内，用于对所述匀气腔内的所述工艺气体进行加热。3.根据权利要求2所述的去气腔室，其特征在于，所述导流部件包括导流板，所述导流板上间隔开设有多个导流孔，所述导流板分别与所述腔室本体的侧壁、顶壁和底壁围设成所述匀气腔。4.根据权利要求3所述的去气腔室，其特征在于，所述导流板的数量为多个，多个所述导流板间隔设置，与所述承载部件距离最远的所述导流板和所述腔室本体的侧壁、顶壁和底壁围设成所述匀气腔。5.根据权利要求4所述的去气腔室，其特征在于，各所述导流板上的导流孔，随着各所述导流板和所述承载部件之间的距离逐渐变远，所述导流孔的孔径逐渐变大。6.根据权利要求1
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5任意一项所述的去气腔室，其特征在于，所述承载部件包括承载主体，所述承载主体上设置有多个承载结构，多个所述承载结构沿竖直方向间隔分布，各所述承载结构均用于通过与所述晶圆的边缘接触，对所述晶圆进行承载，多个所述承载结构用于承载多个所述晶圆。7.根据权利要求6所述的去气腔室，其特征在于，所述承载主体包括多个支撑柱，多个所述支撑柱相互连接，并间隔的位于同一圆周上，各所述支撑柱上一一对应开设有多个承载槽，多个所述承载槽沿竖直方向间隔分布，用于在竖直方向上间隔承载多个所述晶圆。8.根据权利要求2所述的去气腔室，其特征在于，所述加热部件包括能够产生加热光的加热光源，用于通过对自所述进气通道进入所述匀气腔内的所述工艺气体照射所述加热光，以将所述工艺气体加热至所述工艺温度。9.根据权利要求8所述的去气腔室，其特征在于，所述加热光源包括至少一个柱状加热灯，各所述柱状加热灯沿竖直方向设置在所述腔室本体的内壁上，且彼此间隔设置。10.根据权利要求2所述的去气腔室，其特征在于，所述进气结构和加热部件均为两组，其中，两个所述导流部件对称设置于所述承载部件的两侧，形成两个所述匀气腔，两个所述加热部件分别设置于两个所述匀气腔中。11.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1
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10任意一项所述的去气腔室。12.一种去气方法，其特征在于，应用于如权利要求1
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10任意一项所述的去气腔室，包
括以下步骤：将所述晶圆传输至所述承载部件上；通过所述进气结构向所述腔室本体内引入所述工艺气体，并通过所述加热部件在所述工艺气体流动至承载于所述承载部件上的所述晶圆之前，将所述工艺气体加热至工艺温度。

技术总结
本发明提供一种去气腔室、半导体设备及去气方法，其中，去气腔室包括腔室本体、承载部件、进气结构和加热部件，承载部件设置在腔室本体中，用于承载至少一个晶圆，承载部件通过与晶圆的边缘接触，对晶圆进行承载；进气结构用于将工艺气体引入至腔室本体内，并使经其引入至腔室本体内的工艺气体能够流经承载于承载部件上的晶圆的上表面和下表面；加热部件用于在工艺气体流动至承载于承载部件上的晶圆之前，将工艺气体加热至工艺温度。本发明提供的去气腔室、半导体设备及去气方法，能够提高晶圆的受热均匀性，改善后续工艺的工艺结果，并且能够在同一工艺条件下对不同类型的晶圆进行加热。进行加热。进行加热。


技术研发人员：韩为鹏 邓斌
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2021.07.02
技术公布日：2021/10/18