用于芯片键合的基准标记的制作方法

技术特征：
1.一种用于安装发光半导体器件(lesd)的柔性多层构造，所述柔性多层构造包括：柔性介电基板，所述柔性介电基板包括相反的顶部主表面和底部主表面以及在所述顶部主表面上用于接收lesd的lesd安装区域；第一导电垫和第二导电垫，所述第一导电垫和所述第二导电垫设置在所述lesd安装区域中用于电连接到在所述lesd安装区域中接收的lesd的对应的第一导电端子和第二导电端子；以及第一基准对准标记，所述第一基准对准标记用于lesd在所述lesd安装区域中的精确放置，所述第一基准对准标记设置在所述lesd安装区域内，平行于lesd的所述第一导电端子的外边缘并沿着所述第一导电端子的外边缘延伸；和第二基准对准标记，所述第二基准对准标记用于lesd在所述lesd安装区域中的精确放置，所述第二基准对准标记设置在所述lesd安装区域内，平行于lesd的所述第二导电端子的外边缘并沿着所述第二导电端子的外边缘延伸，其中，所述第一基准对准标记是第一沟槽并且所述第二基准对准标记是第二沟槽，使得在所述lesd安装区域中安装lesd时，在平面图中，所述第一沟槽和所述第二沟槽整个在所述lesd的外边界之外。2.根据权利要求1所述的柔性多层构造，其中，所述第一基准对准标记设置在所述第一导电垫和所述第二导电垫中的一个导电垫的周边的内部内。3.根据权利要求1所述的柔性多层构造，其中，所述第一沟槽被设置为使得当使用从所述第一导电端子流向所述第一沟槽的导电材料将所述第一导电端子电连接到所述第一导电垫时，所述第一沟槽足够深且足够宽，使得流动的所述第一导电端子的大部分至少部分地填充所述第一沟槽。4.一种lesd封装，包括：根据权利要求1所述的柔性多层构造；安装在所述柔性介电基板的所述lesd安装区域中的lesd，所述lesd具有电连接到所述第一导电垫的第一导电端子和电连接到所述第二导电垫的第二导电端子。5.一种用于安装发光半导体器件(lesd)的柔性多层构造，所述柔性多层构造包括：柔性介电基板，所述柔性介电基板包括相反的顶部主表面和底部主表面以及在所述顶部主表面上用于接收lesd的lesd安装区域；第一导电垫和第二导电垫，所述第一导电垫和所述第二导电垫设置在所述lesd安装区域中用于电连接到在所述lesd安装区域中接收的lesd的对应的第一导电端子和第二导电端子；以及在所述第一导电垫的周边的内部内形成于所述第一导电垫中的一个或多个沟槽，所述一个或多个沟槽中的每个被适配为邻近在所述lesd安装区域中安装的lesd的第一导电端子的外边缘且沿所述外边缘并且平行于所述外边缘延伸，使得当使用从所述第一导电端子流向所述一个或多个沟槽的导电材料将所述第一导电端子电连接到所述第一导电垫时，所述一个或多个沟槽足够深且足够宽，使得流动的导电材料的大部分至少部分地填充所述一个或多个沟槽，使得当所述第一导电端子电连接到所述第一导电垫时，在平面图中，所述多个沟槽中的每个沟槽是可见的并且在所述lesd的外边界之外。6.一种形成用于安装发光半导体器件(lesd)的柔性多层构造的方法，所述方法包括：提供具有相反的顶部主表面和底部主表面的柔性介电基板；
限定在所述柔性介电基板的所述顶部主表面上用于接收lesd的lesd安装区域；在所述lesd安装区域中形成对应于第一基准对准标记和第二基准对准标记的图案；在所述柔性介电基板的所述顶部主表面上的所述lesd安装区域中形成用于电连接到在所述lesd安装区域中接收的lesd的对应的第一导电端子和第二导电端子的第一导电垫和第二导电垫，所述第一导电垫邻接所述第一基准对准标记的周边，所述第二导电垫邻接所述第二基准对准标记的周边；以及移除所述图案，所述图案导致在所述第一导电垫的周边的内部内形成的第一基准对准标记并在所述第二导电垫的周边的内部内形成的第二基准对准标记，使得所述第一基准对准标记是设置为邻近并平行于所述第一导电端子的外边缘的第一沟槽，所述第二基准对准标记是设置为邻近并平行于所述第二导电端子的外边缘的第二沟槽，使得当所述第一导电端子电连接到所述第一导电垫并且所述第二导电端子电连接到所述第二导电垫时，在平面图中，所述第一沟槽和所述第二沟槽是可见的并且在所述lesd的外边界之外。

技术总结
本发明公开了一种用于安装发光半导体器件(200)(LESD)的柔性多层构造(100)，该柔性多层构造包括具有LESD安装区域(120)的柔性介电基板(110)，设置在LESD安装区域中用于电连接到在LESD安装区域中接收的LESD(200)的对应的第一导电端子和第二导电端子的第一导电垫(130)和第二导电垫(140)，以及用于LESD在LESD安装区域中的精确放置的第一基准对准标记(150)。第一基准对准标记设置在LESD安装区域内。内。内。


技术研发人员：符祥心 小杉浩充 艾利珍卓
受保护的技术使用者：3M创新有限公司
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2021/10/23