技术特征：
1.一种变频器的单管igbt装配结构，其特征在于：包括底壳箱体、陶瓷片和单管igbt，所述陶瓷片的尺寸大于所述单管igbt的尺寸，并且所述陶瓷片和所述单管igbt均开设通孔，所述底壳箱体的顶板背面开设第一凹坑，所述第一凹坑的尺寸与所述陶瓷片的尺寸相匹配，所述底壳箱体的顶板正面开设与所述第一凹坑相贯通的第二凹坑，所述第二凹坑的尺寸与所述单管igbt的尺寸相匹配。2.根据权利要求1所述一种变频器的单管igbt装配结构，其特征在于：还包括散热器，所述散热器设置于所述底壳箱体开设第一凹坑的一侧，所述散热器的散热基板开设螺纹孔，螺丝依次穿设过所述单管igbt和所述陶瓷片的通孔旋拧到该螺纹孔内，用于将所述散热器、所述陶瓷片和所述单管igbt固定连接在一起。3.根据权利要求2所述一种变频器的单管igbt装配结构，其特征在于：还包括电路板组件，所述电路板组件设置于所述底壳箱体开设第二凹坑的一侧，所述单管igbt的针脚与所述电路板组件连接在一起。4.根据权利要求3所述一种变频器的单管igbt装配结构，其特征在于：所述单管igbt的针脚与散热器的散热基板相互垂直。5.根据权利要求1所述一种变频器的单管igbt装配结构，其特征在于：所述第一凹坑设置与其连通的指槽。6.根据权利要求1
‑
5任一所述一种变频器的单管igbt装配结构，其特征在于：所述单管igbt设置一个以上。
技术总结
本实用新型属于电气设备技术领域，尤其涉及一种变频器的单管IGBT装配结构，装配结构包括底壳箱体、陶瓷片和单管IGBT，陶瓷片的尺寸大于单管IGBT的尺寸，并且陶瓷片和单管IGBT均开设通孔，底壳箱体的顶板背面开设第一凹坑，第一凹坑的尺寸与陶瓷片的尺寸相匹配，底壳箱体的顶板正面开设与第一凹坑相贯通的第二凹坑，第二凹坑的尺寸与单管IGBT的尺寸相匹配，变频器采用上述装配结构，不需要借助外部工装，定位陶瓷片和单管IGBT，使数个单管IGBT的针脚与电路板的焊盘孔准确对位，生产装配简单，效率高；同时由于定位单管IGBT的第二凹坑与定位陶瓷片的第一凹坑壁是相对的，通过错位加大了单管IGBT的针脚与散热器之间的安全距离。离。离。
技术研发人员：李创晓 韦元林
受保护的技术使用者：深圳市默贝克驱动技术有限公司
技术研发日：2020.12.16
技术公布日：2021/10/18
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
