高纵横比金属化盲孔或盲槽、制作方法、电路板、客户端与流程

技术特征：
1.一种pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法，其特征在于，所述pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法包括：在金属化盲孔或盲槽制作中增加透气孔；用锡代替感光干膜，对制作的所述金属化盲孔或盲槽进行保护；在沉镍金前利用激光烧掉所述金属化盲孔或盲槽内阻焊感光油墨；沉镍金后采用字符塞孔或阻焊塞孔方式，将所述透气孔用油墨塞住，进行内孔内或槽内沉镍金的金属化盲孔或盲槽的制作。2.根据权利要求1所述的pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法，其特征在于，0.3mm≤盲孔或盲槽透气孔≤0.5mm，盲孔或盲槽透气孔的最大纵横比≤8:1。3.根据权利要求1所述的pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法，其特征在于，1:1<盲孔或盲槽最大纵横比≤10:1。4.根据权利要求1所述的pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法，其特征在于，所述pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法具体包括以下步骤：步骤一、在覆铜板上钻盲孔或盲槽透气孔；步骤二、通过调整钻机或锣机参数，在覆铜板上控制钻孔深度(h)或锣槽深度(h)到既定值；步骤三、控深钻盲孔或控深锣盲槽后在铜箔表面和盲孔或盲槽孔壁通过电化学原理镀覆上一层铜，实现盲孔或盲槽和铜箔面导通；步骤四、填孔电镀后在覆铜板表面贴感光干膜；步骤五、贴膜后按pcb设计的不需要的线路图形给予一定的能量与波长的光使感光干膜局部产生光聚合交联反应；步骤六、曝光后使用特定弱碱性溶液使未产生光聚合交联反应的干膜反应溶解掉，露出铜箔面；步骤七、显影后在露出的铜箔面上利用电化学原理先加镀上一层铜，然后镀上一层锡用于保护铜；步骤八、镀铜锡后使用特定强碱性溶液将产生光聚合交联反应的干膜反应溶解掉，露出铜箔面；步骤九、褪膜后将露出的铜泊层利用特定化学药水蚀刻溶解掉，露出介质层表面；步骤十、蚀刻后将锡层利用特定化学药水反应溶解掉，从而形成pcb所需要的线路图形；步骤十一、褪锡后使用感光油墨将不需要沉金的线路图形和介质层表面覆盖住；步骤十二、阻焊后利用电化学原理在金属化盲孔或孔壁沉上一层镍金，形成孔内沉镍金的金属化盲孔或盲槽；步骤十三、沉镍金后采用字符塞孔或阻焊塞孔的方式，将盲孔或盲槽透气孔用油墨塞住。5.根据权利要求4所述的pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法，其特征在于，所述步骤二中，在覆铜板上控制钻孔深度(h)或锣槽深度(h)到既定值，但不钻穿或锣穿覆铜板。6.根据权利要求4所述的pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法，其特
征在于，所述步骤四中，金属化盲孔或槽孔同时进行盖膜处理。7.根据权利要求4所述的pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽制作方法，其特征在于，所述步骤二既定值为1.4
±
0.1mm；所述步骤三铜的厚度≥30um；所述步骤四感光干膜为fl138干膜；所述步骤六特定弱碱性溶液为浓度0.9％
‑
1.1％碳酸钠溶液；所述步骤七铜的厚度为8
‑
12um，锡的厚度为3
‑
8um；所述步骤八特定强碱性溶液浓度为3％
‑
6％的氢氧化钠溶液；所述步骤九特定化学药水为：铜离子浓度120
‑
160g/l,氯离子浓度165
‑
200g/l，比重1.17
‑
1.2，ph值8
‑
9；所述步骤十特定化学药水如酸当量≥3.5n，比重1.2
‑
1.5；所述步骤十二镍金层中，3um≤镍厚≤6um，0.0254um≤金厚≤0.0508um。8.一种pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽，其特征在于，所述pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽利用权利要求1～7任意一项所述制作方法制作。9.一种印制电路板，其特征在于，所述印制电路板开设有权利要求8所述的pcb孔内沉镍金的高纵横比金属化盲孔或盲槽。10.一种电子元件客户端，其特征在于，所述电子元件客户端搭载有权利要求9所述的印制电路板。

技术总结
本发明公开了高纵横比金属化盲孔或盲槽、制作方法、电路板、客户端，涉及印制电路板(PCB)制造技术领域。用锡代替感光干膜，对大孔径金属化盲孔或盲槽制作中进行保护；在盲孔或盲槽内增加透气孔，用于最大纵横比＞1:1的金属化盲孔或盲槽的制作；在沉镍金前利用激光烧掉金属化盲孔或盲槽内阻焊感光油墨；沉镍金后采用字符塞孔或阻焊塞孔方式，将盲孔或盲槽透气孔用油墨塞住。本发明利用了锡不与特定蚀刻药水反应的特性，用锡代替干膜的封孔作用，突破了金属化盲孔或槽孔孔径的限制。本发明将金属化盲孔或盲槽的最大纵横比1：1提高到10:1；本发明将孔内或槽内沉镍金的金属化盲孔或盲槽最大纵横比0.85:1提高到10:1。槽最大纵横比0.85:1提高到10:1。槽最大纵横比0.85:1提高到10:1。


技术研发人员：李旋 周建军 王运玖 安国义
受保护的技术使用者：珠海市深联电路有限公司
技术研发日：2021.07.06
技术公布日：2021/10/15