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MOS管驱动电路及增强型LED驱动电路的制作方法

2021-10-12 16:29:00 来源:中国专利 TAG:电路 驱动 增强型 mos led

技术特征:
1.一种mos管驱动电路,包括1个主mos管和1个与所述主mos管的栅极相连的主使能端,其特征在于,所述驱动电路进一步包括:mos管增强型驱动网络,所述mos增强型驱动网络包括s个次mos管,所述s个次mos管依次并联,所述s个次mos管的漏极电连接,所述s个次mos管的源极电连接;所述mos增强型驱动网络与所述主mos管并联;s个独立次使能端,分别与所述s个次mos管的栅极相连。2.根据权利要求1所述的mos管驱动电路,其特征在于,所述s的值根据次mos管的面积、成本以及提高导通电压的程度进行相应选择处理。3.根据权利要求2所述的mos管驱动电路,其特征在于,所述s个独立次使能端相连,共同接收控制信号;或者,所述s个独立次使能端分别接收控制信号,实现分别控制。4.根据权利要求1~3任一所述的mos管驱动电路,其特征在于,所述mos管驱动电路为nmos管驱动电路,所述s的值为t,所述主mos管为主nmos管,用于下拉电路到公共地gnd,所述主使能端与所述主nmos管的栅极相连,所述驱动电路进一步包括:所述mos管增强型驱动网络为nmos增强型驱动网络,所述nmos增强型驱动网络包括t个次nmos管,所述t个次nmos管依次并联,所述t个次nmos管的漏极电连接,所述t个次nmos管的源极电连接;所述nmos增强型驱动网络与所述主nmos管并联;t个独立次使能端,分别与所述t个次nmos管的栅极相连。5.根据权利要求1~3任一所述的mos管驱动电路,其特征在于,所述mos管驱动电路为pmos管驱动电路,所述s的值为v,所述主mos管为主pmos管,用于上拉电路到电源端vcc,所述主使能端与所述主pmos管的栅极相连,所述驱动电路进一步包括:所述mos管增强型驱动网络为pmos增强型驱动网络,所述pmos增强型驱动网络包括v个次pmos管,所述v个次pmos管依次并联,所述v个次pmos管的漏极电连接,所述v个次pmos管的源极电连接;所述pmos增强型驱动网络与所述主pmos管并联;v个独立次使能端,分别与所述v个次pmos管的栅极相连。6.一种增强型led驱动电路,所述led的阵列包括n个seg信号端、m个com信号端,所述led的阵列为共阴极阵列,其特征在于,所述增强型led驱动电路进一步包括:n个如权利要求5所述的pmos管驱动电路,分别与所述n个seg信号端相连;m个如权利要求4所述的nmos管驱动电路,分别与所述m个com信号端相连。7.一种增强型led驱动电路,所述led的阵列包括m个com信号端、n个seg信号端,所述led的阵列为共阳极阵列,其特征在于,所述增强型led驱动电路进一步包括:m个如权利要求5所述的pmos管驱动电路,分别与所述m个com信号端相连;n个如权利要求4所述的nmos管驱动电路,分别与所述n个seg信号端相连。8.根据权利要求6或7所述的增强型led驱动电路,其特征在于,所述led的阵列为普通矩阵型阵列,所述led的阵列中最多包括m*n个所述led。9.根据权利要求6或7所述的增强型led驱动电路,其特征在于,所述led的阵列为seg信号和com信号分时复用的矩阵型阵列,所述led的阵列中最多包括(n-1)*m个所述led。10.一种增强型led驱动电路,所述led的阵列为用n个控制信号在预设时间点进行seg信号端和com信号端分时复用控制的矩阵型阵列,所述led的阵列为共阴极阵列,其特征在
于,所述增强型led驱动电路进一步包括:如权利要求5所述的pmos管驱动电路,与执行所述seg信号功能的端口相连;其中,所述pmos管驱动电路的数量与执行所述seg信号功能的端口的数量一致;如权利要求4所述的nmos管驱动电路,分别与执行所述com信号功能的端口相连;其中,所述nmos管驱动电路的数量与执行所述com信号功能的端口的数量一致。11.一种增强型led驱动电路,所述led的阵列为用n个控制信号在预设时间点进行seg信号和com信号分时复用的矩阵型阵列,所述led的阵列为共阳极阵列,其特征在于,所述增强型led驱动电路进一步包括:如权利要求5所述的pmos管驱动电路,分别与执行所述com信号功能的端口相连;其中,所述pmos管驱动电路的数量与执行所述com信号功能的端口数量一致。如权利要求4所述的nmos管驱动电路,分别与执行所述seg信号功能的端口相连;其中,所述nmos管驱动电路的数量与执行所述seg信号功能的端口的数量一致。12.根据权利要求10或11所述的增强型led驱动电路,其特征在于,所述led的阵列最多包括(n-1)*n个所述led。

技术总结
本发明实施例提供一种MOS管驱动电路,包括1个主MOS管和1个与所述主MOS管的栅极相连的主使能端,所述驱动电路进一步包括:MOS管增强型驱动网络,所述MOS增强型驱动网络包括s个次MOS管,所述s个次MOS管依次并联,所述s个次MOS管的漏极电连接,所述s个次MOS管的源极电连接;所述MOS增强型驱动网络与所述主MOS管并联;s个独立次使能端,分别与所述s个次MOS管的栅极相连。相应的还提供基于此MOS管驱动电路的增强型LED驱动电路。用以达到在不同的驱动负载下均可保证正常的导通电压和恒流。负载下均可保证正常的导通电压和恒流。负载下均可保证正常的导通电压和恒流。


技术研发人员:耿阿囡
受保护的技术使用者:炬芯科技股份有限公司
技术研发日:2020.04.01
技术公布日:2021/10/11
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