一种用于优化堆叠开关管耐压均匀性的射频开关电路的制作方法

技术特征：
1.一种用于优化堆叠开关管耐压均匀性的射频开关电路，其特征在于，包括：串联支路模块：包括2n个第一开关晶体管(m11)、2n个第一偏置晶体管(m21)、2n个第一源漏电阻(rds1)、2n个第一栅极偏置电阻(r1)、2n
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1个第一栅极串联电阻(r2)和1个第一栅极公共端电阻(r3)；所述n为正整数；第1级第一开关晶体管(m11)的漏极与第一射频输入输出端口(rf1)相连，第1级第一开关晶体管(m11)的源极与第2级第一开关晶体管(m11)的漏极相连，第1级第一开关晶体管(m11)的源极、漏极分别与第一源漏电阻(rds1)的两端相连，第1级第一开关晶体管(m11)的体区与第1级第一偏置晶体管(m21)的漏极相连，第1级第一偏置晶体管(m21)的漏极与栅极相连，第1级第一偏置晶体管(m21)的源极与第1级第一开关晶体管(m11)的栅极相连，第1级第一开关晶体管(m11)的栅极与第1级第一栅极偏置电阻(r1)的一端相连，第1级第一栅极偏置电阻(r1)的另一端与第1级第一栅极串联电阻(r2)的一端相连；以此类推，第2级到第2n
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1级的第一开关晶体管(m11)、第一偏置晶体管(m21)、第一源漏电阻(rds1)、第一栅极偏置电阻(r1)、第一栅极串联电阻(r2)的连接方式与以上所述相同；所述第2n级第一开关晶体管(m11)的漏极与第2n
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1级第一开关晶体管(m11)的源极相连，第2n级第一开关晶体管(m11)的源极与第二射频输入输出端口(rf2)相连，第2n级第一开关晶体管(m11)的源极、漏极分别与第一源漏电阻(rds1)的两端相连，第2n级第一开关晶体管(m11)的体区与第2n级第一偏置晶体管(m21)的漏极相连，第2n级第一偏置晶体管(m21)的漏极与栅极相连，第2n级第一偏置晶体管(m21)的源极与第2n级第一开关晶体管(m11)的栅极相连，第2n级第一开关晶体管(m11)的栅极与第2n级第一栅极偏置电阻(r1)的一端相连，第2n级第一栅极偏置电阻(r1)的另一端与第2n
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1级第一栅极串联电阻(r2)的一端相连；并联支路模块：由2m个第二开关晶体管(m12)、2m个第二偏置晶体管(m22)、2m个第二源漏电阻(rds2)、2m个第二栅极偏置电阻(r4)、2m
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1个第二栅极串联电阻(r5)和1个第二栅极公共端电阻(r6)；所述m为正整数；所述第1级第二开关晶体管(m12)的漏极与第一射频输入输出端口(rf1)相连，第1级第二开关晶体管(m12)的源极与第2级第二开关晶体管(m12)的漏极相连，第1级第二开关晶体管(m12)的源极、漏极分别与第二源漏电阻(rds2)的两端相连，第1级第二开关晶体管(m12)的体区与第1级第二偏置晶体管(m22)的漏极相连，第1级第二偏置晶体管(m22)的漏极与栅极相连，第1级第二偏置晶体管(m22)的源极与第1级第二开关晶体管(m12)的栅极相连，第1级第二开关晶体管(m12)的栅极与第1级第二栅极偏置电阻(r4)的一端相连，第1级第二栅极偏置电阻(r4)的另一端与第1级第二栅极串联电阻(r5)的一端相连；以此类推，第2级到第2m
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1级的第二开关晶体管(m12)、第二偏置晶体管(m22)、第二源漏电阻(rds2)、第二栅极偏置电阻(r4)、第二栅极串联电阻(r5)的连接方式与以上相同；所述第2m级第二开关晶体管(m12)的漏极与第2m
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1级第二开关晶体管(m12)的源极相连，第2m级第二开关晶体管(m12)的源极与地相连，第2m级第二开关晶体管(m12)的源极、漏极分别与第二源漏电阻(rds2)的两端相连，第2m级第二开关晶体管(m12)的体区与第2m级第二偏置晶体管(m22)的漏极相连，第2m级第二偏置晶体管(m22)的漏极与栅极相连，第2m级第二偏置晶体管(m22)的源极与第2m级第二开关晶体管(m12)的栅极相连，第2m级第二开关晶体管(m12)的栅极与第2m级第二栅极偏置电阻(r4)的一端相连，第2m级第二栅极偏置电阻(r4)的另一端与第
2m
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1级第二栅极串联电阻(r5)的一端相连。2.根据权利要求1所述的一种用于优化堆叠开关管耐压均匀性的射频开关电路，其特征在于，所述第n级第一栅极偏置电阻(r1)的一端与第一栅极公共端电阻(r3)的一端相连，所述第一栅极公共端电阻(r3)的另一端与第一栅极控制电压(vg1)相连。

技术总结
本发明公开了一种用于优化堆叠开关管耐压均匀性的射频开关电路，涉及射频集成电路技术领域。本发明包括：串联支路模块：包括2N个第一开关晶体管、第一偏置晶体管、第一源漏电阻、第一栅极偏置电阻，2N


技术研发人员：沈宇 管剑铃 谢婷婷 王玉娇 周德杭 倪成东 倪文海 徐文华
受保护的技术使用者：上海迦美信芯通讯技术有限公司
技术研发日：2021.08.24
技术公布日：2021/10/8