功率放大系统的制作方法

1.本实用新型属于放大电路领域，尤其涉及一种功率放大系统。


背景技术：

2.随着移动通讯技术的发展，对通讯系统中的功率放大器要求越来越高。功率放大器可被包括在移动电话中以放大rf信号以进行发射。例如，在使用蜂窝标准、无线局域网(wlan)标准和/或任何其他适当的通信标准进行通信的移动电话中，功率放大器可被用于放大rf信号。管理rf信号的放大可能是重要的，因为将rf信号放大到不正确的功率级或引入原始rf 信号的显著失真可能导致无线装置带外发射或违反对公认标准的遵从性。射频功率放大器的设计指标通常包括输出功率（pout）、效率（pae）、增益（gain）、带宽以及线性度（linearity）等。对于采用线性调制技术的移动通信系统来说，射频功率放大器的线性度指标非常重要，然而，射频功率放大器的任何非线性都容易产生不希望的频率分量，特别是在将小功率信号放大为大功率信号的过程时，会出现随着输出功率的增加、增益降低的现象即出现增益压缩，这便产生了幅度失调（am
‑
am失调）严重影响移动通信系统的性能。


技术实现要素：

3.本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有技术中功率放大器产生的幅度失调等问题，提供一种功率放大系统。
4.为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种功率放大器，
5.包括功率放大电路，第一偏置电路和第一反馈电路，所述功率放大电路包括至少一个功率放大级；
6.所述第一偏置电路包括偏置晶体管和偏置电源端，所述偏置晶体管的输出端耦合至所述功率放大电路中任意一个功率放大级的输入端；所述偏置电源端与所述偏置晶体管的输入端相连，被配置为所述偏置晶体管的输入端提供偏置电压；
7.所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述功率放大电路中的射频信号传输路径中，其中，所述关联节点的电压与所述偏置电源端的电压呈正向跟随关系。
8.可选地，所述第一偏置电路还包括串联分压电路，所述串联分压电路设置在所述偏置电源端和接地端之间，所述串联分压电路包括串联连接的多个分压单元，所述第一反馈电路的第一端连接至任意两个所述分压单元的连接路径上，所述第一反馈电路的第二端连接至所述功率放大电路中的射频信号传输路径中。
9.可选地，所述第一偏置电路还包括调节电路，所述调节电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的基极和集电极分别与所述偏置晶体管的输入端连接，所述第一晶体管的发射极与所述第二晶体管的基极连接，所述偏置电源端的输出端分别与所述第一晶体管的集电极和所述第二晶体管的集电极连接，所述第二晶体管的发射极接地；所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一晶体管的发射极与所述第二晶体管的基极的连接
路径上，所述第一反馈电路的第二端连接至所述功率放大电路中的射频信号传输路径中。
10.可选地，所述功率放大电路包括串联式级联的第一功率放大级和第二功率放大级，所述第一功率放大级包括第一放大晶体管，所述第二功率放大级包括第二放大晶体管，所述第一放大晶体管的输出端耦合至所述第二放大晶体管的输入端；
11.所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第一放大晶体管的输入端；
12.或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第一放大晶体管的输出端；
13.或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第二放大晶体管的输出端。
14.可选地，所述功率放大电路包括第一功率放大级、第二功率放大级和级间匹配巴伦，所述第一功率放大级包括第一放大晶体管和第二放大晶体管，所述第二功率放大级包括第三放大晶体管和第四放大晶体管，所述第一放大晶体管的输出端与所述级间匹配巴伦的第一输入端连接，所述第二放大晶体管的输出端与所述级间匹配巴伦的第二输入端连接，所述级间匹配巴伦的第一输出端与所述第三放大晶体管的输入端连接，所述级间匹配巴伦的第二输出端与所述第四放大晶体管的输入端连接；
15.所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第一放大晶体管的输入端或输出端；
16.或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第二放大晶体管的输入端或输出端；
17.或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第三放大晶体管的输入端或输出端；
18.或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第四放大晶体管的输入端或输出端。
19.可选地，所述偏置晶体管的输出端耦合至第一放大晶体管的输入端；所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第四放大晶体管的输入端或输出端。
20.可选地，所述偏置晶体管的输出端耦合至第二放大晶体管的输入端；所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第三放大晶体管的输入端或输出端。
21.可选地，所述第一反馈电路包括第一反馈电容。
22.可选地，所述第一反馈电路还包括与所述第一反馈电容串联连接的第一反馈电阻和/或第二反馈电感。
23.可选地，所述第一偏置电路还包括偏置电阻，所述偏置晶体管的输出端通过所述偏置电阻耦合至所述功率放大电路中任意一个功率放大级的输入端。
24.本实用新型的功率放大系统，包括功率放大电路，第一偏置电路和第一反馈电路，所述功率放大电路包括至少一个功率放大级；所述第一偏置电路包括偏置晶体管和偏置电源端，所述偏置晶体管的输出端耦合至所述功率放大电路中任意一个功率放大级的输入端；所述偏置电源端与所述偏置晶体管的输入端相连，被配置为所述偏置晶体管的输入端
提供偏置电压；所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述功率放大电路中的射频信号传输路径中，其中，所述关联节点的电压与所述偏置电源端的电压呈正相关/正向跟随关系。本实用新型在功率放大电路中引入第一偏置电路和第一反馈电路，有效延缓了功率放大电路中的功率放大级的射频功率放大器的增益压缩现象，改善了射频功率放大器的幅度失调（am
‑
am失调），并且能够改善射频功率放大器的相位失调（am
‑
pm失调）。
附图说明
25.图1是本实用新型第一实施例提供的功率放大系统的结构示意图；
26.图2是本实用新型第二实施例提供的功率放大系统的结构示意图；
27.图3是本实用新型第三实施例提供的功率放大系统的结构示意图；
28.图4是本实用新型第四实施例提供的功率放大系统的结构示意图；
29.图5是本实用新型第五实施例提供的功率放大系统的结构示意图；
30.图6是本实用新型第六实施例提供的功率放大系统的结构示意图；
31.图7是本实用新型第七实施例提供的功率放大系统的结构示意图。
32.说明书中的附图标记如下：
33.1、功率放大电路；11、第一功率放大级；111、第一放大晶体管；112、第二放大晶体管；12、第二功率放大级；121、第三放大晶体管；122、第四放大晶体管；13、级间匹配巴伦；2、第一偏置电路；21、偏置电源端；22、偏置晶体管；23、串联分压电路； 231、分压单元；24、调节电路；241、第一晶体管；242、第二晶体管；3、第一反馈电路；31、第一反馈电容。
具体实施方式
34.为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
35.如图1和图2所示，本实用新型一实施例提供了一种功率放大系统，包括功率放大电路1，第一偏置电路2和第一反馈电路3，所述功率放大电路1包括至少一个功率放大级。
36.可理解地，所述功率放大系统包含有所述功率放大电路1、所述第一偏置电路2和第一反馈电路3，所述第一偏置电路2与所述功率放大电路1电连接，所述第一偏置电路2用于向所述功率放大电路1提供偏置电流和/或偏置电压，可以根据电路需求进行选择，所述第一反馈电路3分别与所述第一偏置电路2和所述功率放大电路1电连接，所述第一反馈电路3用于提供所述功率放大电路1向所述第一偏置电路2反馈的路径，并向所述第一偏置电路2提供反馈信号，所述功率放大电路1包含至少一个功率放大级，所述功率放大电路1用于对输入的射频信号进行放大的电路，所述功率放大级包括一个或多个级联的功率放大晶体管，即所述功率放大级可以为单个的功率放大晶体管，也可以为两个以上级联的功率放大晶体管。
37.所述第一偏置电路2包括偏置晶体管22和偏置电源端21，所述偏置晶体管22的输出端耦合至所述功率放大电路1中任意一个功率放大级的输入端；所述偏置电源端21与所述偏置晶体管22的输入端相连，被配置为所述偏置晶体管22的输入端提供偏置电压/偏置
电流。
38.可理解地，所述偏置晶体管22可以根据电路需求设定，比如偏置晶体管22为npn型晶体三极管、pnp型晶体三极管等等，在一实施例中，所述偏置晶体管22为npn型晶体三极管，所述偏置晶体管22的基极作为所述偏置晶体管22的输入端，所述偏置晶体管22的集电极与一供电电源端连接，所述偏置晶体管22的发射极耦合至所述功率电路中任意一个功率放大级的输入端，例如：所述偏置晶体管22的发射极耦合至所述功率放大级中第一功率放大级11中的第一放大晶体管111的基极，通过所述偏置晶体管22的输出端向所述功率放大电路1提供偏置电流或偏置电压。其中，所述偏置电源端21可以根据电路需求连接电流源或者电压源，所述偏置电源端21用于向所述偏置晶体管22的输入端提供偏置电压，所述偏置电源端21与所述偏置晶体管22的基极连接。
39.所述第一反馈电路3的第一端连接至所述第一偏置电路2中的关联节点，所述第一反馈电路3的第二端连接至所述功率放大电路1中的射频信号传输路径中，其中，所述关联节点的电压与所述偏置电源端21的电压呈正向跟随关系。
40.可理解地，所述第一反馈电路3包括所述第一端和第二端，所述第一偏置电路2还包括所述关联节点，所述关联节点的电压会随着所述偏置电源端21的电压的变化进行正相关/正向跟随关系的变化，即在所述偏置电源端21的电压变大的情况下，所述关联节点的电压也随着变大，所述第一端连接至所述关联节，所述第二端连接至所述功率放大电路1中的射频信号传输路径中，即所述第二端连接至所述功率放大电路1中任意一个所述功率放大级的输入端或输出端，所述输入端可以为所述功率放大级中的任意一个晶体管的基极/栅极，所述输出端可以为所述功率放大级中的任意一个晶体管的集电极/源极。
41.如此，射频信号输入所述功率放大系统中，通过所述功率放大电路1对所述射频信号进行放大，在放大过程中通过所述第一偏置电路2和所述第一反馈电路3根据所述射频信号的变化进行调整，避免所述功率放大电路1输出的经过放大后的射频信号出现失真，本实用新型实现了在输入所述功率放大电路1中的输入功率增加的情况下，经过所述第一反馈电路3反馈至所述第一偏置电路2，所述第一偏置电路2根据所述第一反馈电路3反馈的信号能够提供随之增加的电流/电压，从而有效延缓了功率放大电路1中的功率放大级的射频功率放大器的增益压缩现象，改善了所述功率放大电路1的幅度失调（am
‑
am失调），并且通过所述第一反馈电路3降低了所述功率放大电路1产生的输入寄生电容，实现了改善所述功率放大电路1的相位失调（am
‑
pm失调）。
42.在一实施例中，如图3所示，所述第一偏置电路2还包括串联分压电路23，所述串联分压电路23设置在所述偏置电源端21和接地端之间，所述串联分压电路23包括串联连接的多个分压单元231，所述第一反馈电路3的第一端连接至所述任意两个分压单元231的连接路径上，所述第一反馈电路3的第二端连接至所述功率放大电路1中的射频信号传输路径中。可理解地，所述分压单元231为可以进行分压的单元元器件或电路，所述分压单元231可以根据电路需求进行选择，比如所述分压单元231为二极管、电阻、三极管等，例如：所述串联分压电路23为串联的两个二极管，所述第一反馈电路3的所述第一端连接至两个二极管之间的路径上；或者所述串联分压电路23为串联的两个电阻，所述第一反馈电路3的所述第一端连接至两个电阻之间的路径上；或者所述串联分压电路23为串联的两个起分压作用的三极管，所述三极管可以为hbt三极管或者mos晶体管，所述第一反馈电路3的所述第一端连
接至两个电阻之间的路径上；或者所述串联分压电路23为串联的一个电阻和一个二极管，所述第一反馈电路3的所述第一端连接至电阻和二极管之间的路径上。
43.在一实施例中，如图4所示，所述第一偏置电路2还包括调节电路24，所述调节电路24包括第一晶体管241和第二晶体管242，所述第一晶体管241的基极和集电极分别与所述偏置晶体管22的输入端连接，所述第一晶体管241的发射极与所述第二晶体管242的基极连接，所述偏置电源端21的输出端分别与所述第一晶体管241的集电极和所述第二晶体管242的集电极连接，所述第二晶体管242的发射极接地；所述第一反馈电路3的第一端连接至所述第一晶体管241的发射极与所述第二晶体管242的基极的连接路径上，所述第一反馈电路3的第二端连接至所述功率放大电路1中的射频信号传输路径中。
44.具体地，本技术通过在第一偏置电路2中接入调节电路24，所述调节电路24包括第一晶体管241和第二晶体管242，第一晶体管241和第二晶体管242构成了电流镜，从而改善了功率放大系统的am
‑
pm失调，提升了线性度，所述第一晶体管241和所述第二晶体管242可以根据电路需求设定，比如第一晶体管241和第二晶体管242均为htb三极管。
45.进一步地，所述调节电路24还可以实现所述第一偏置电路2对所述功率放大电路1的动态性能调节，并提升功率放大系统的动态evm。在上述电路结构中，当控制所述偏置电源端21从关闭状态切换到开启状态时，所述第一偏置电路2开启，流向所述功率放大电路1的电流增加，同时导致所述功率放大电路1中的所述功率放大级温度增加，跨导降低，由于晶体管的温度特性，所述功率放大级中的基极与发射极之间的电压下降，进一步引起所述功率放大级的静态电流上升，跨导下降，增益减小，这一过程直接造成电路的线性失真，如果在所述功率放大电路1在开关切换过程的时间内所述功率放大级的静态电流不能达到稳定，那么电路的动态evm将会发生恶化。因此，在本实用新型中，为了提升整个功率放大系统的动态evm性能，将所述第二晶体管242设置为热感应管，且位于所述功率放大级附近，即所述第二晶体管242与其它器件之间的距离均大于其与所述功率放大级的距离，当所述功率放大电路1开启时，由于热量在短距离空间内的传导，使得第二晶体管242的温度也会随着所述功率放大级的温度的升高而升高，此时第二晶体管242的电流随温度升高而增加导致偏置电流增加，因而对整个电路相当于在工作过程中加入一个负反馈行为，并且通过所述第一反馈电路3增加多一个负反馈行为，加快了热平衡的速度，从而会抑制所述功率放大级在温度上升过程中的电流增加，从而使电流状态迅速到达热平衡，最终静态电流达到稳定，实现功率放大电路1在开关切换过程中电流迅速达到稳定状态，从而提升了整个功率放大系统的动态evm性能。
46.在一实施例中，如图4所示，所述功率放大电路1包括串联式级联的第一功率放大级11和第二功率放大级12，所述第一功率放大级11包括第一放大晶体管111，所述第二功率放大级12包括第二放大晶体管112，所述第一放大晶体管111的输出端耦合至所述第二放大晶体管112的输入端；所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第一放大晶体管的输入端；或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第一放大晶体管的输出端；或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第二放大晶体管的输出端。
47.可理解地，所述功率放大电路1包含有通过串联式级联的两个功率放大级，两个功
率放大级分别为所述第一功率放大级11和所述第二功率放大级12，所述第一放大晶体管111的输出端耦合至所述第二放大晶体管112的输入端，从而形成级联的功率放大电路1，其中，所述第一功率放大级11包括第一放大晶体管111，所述第二功率放大级12包括第二放大晶体管112，所述第一放大晶体管111和所述第二放大晶体管112可以根据电路需求进行选择，比如npn型三级管、htb三极管等等，所述第一放大晶体管111和所述第二放大晶体管112优选为同一类型的晶体管，保持线性度一致，例如：所述第一放大晶体管111和所述第二放大晶体管112选择为npn型三级管，将所述第一放大晶体管111的集电极与所述第二放大晶体管112的基极连接，所述第一放大晶体管111的发射极和所述第二放大晶体管112的发射极均接地；也可以将所述第一放大晶体管111的集电极与所述第二放大晶体管112的发射极连接，所述第一放大晶体管111的发射极接地，所述第二放大晶体管112的基极径一个隔直电容后接地。
48.在上述电路结构中，将输入的射频信号输入所述第一功率放大级11后，通过所述第一功率放大级11对该射频信号进行一级放大处理，得到经一级放大后的射频信号，再将该经一级放大后的射频信号输入所述第二功率放大级12，通过所述第二功率放大级12对该经一级放大后的射频信号进行二级放大处理，得到所述功率放大电路1输出的经一级放大和二级放大后的射频信号。
49.可理解地，所述第一反馈电路3的第二端连接至所述第一功率放大级11的输入端或者所述第二功率放大级12的输入端，即连接至所述第一功率放大级11的所述第一放大晶体管111的基极或者所述第二功率放大级12的所述第二放大晶体管112的基极，也可也所述第一反馈电路3的第二端连接至所述第一功率放大级11的输出端或者所述第二功率放大级12的输出端，即连接至所述第一功率放大级11的所述第一放大晶体管111的集电极或者所述第二功率放大级12的所述第二放大晶体管112的集电极，随着输入的射频信号的输入功率增加，所述第一放大晶体管111的基极和集电极的功率均会随之增加，所述第二放大晶体管112的基极和集电极的功率也均会随之增加，从而可以通过连接的所述第一反馈电路3将所述第一偏置电路2中的关联节点的电压升高，从而将所述偏置晶体管22的输入端的电压升高，因此，通过所述偏置晶体管22提供给所述功率放大电路1的偏置电流增大，从而延缓了功率放大电路1中的功率放大级的增益压缩现象，改善了整个功率放大电路1的am
‑
am失调，也提升了线性度。
50.在一实施例中，如图5所示，所述功率放大电路1包括第一功率放大级11、第二功率放大级12和级间匹配巴伦13，所述第一功率放大级11包括第一放大晶体管111和第二放大晶体管112，所述第二功率放大级12包括第三放大晶体管121和第四放大晶体管122，所述第一放大晶体管111的输出端与所述级间匹配巴伦13的第一输入端连接，所述第二放大晶体管112的输出端与所述级间匹配巴伦13的第二输入端连接，所述级间匹配巴伦13的第一输出端与所述第三放大晶体管121的输入端连接，所述级间匹配巴伦13的第二输出端与所述第四放大晶体管122的输入端连接；所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第一放大晶体管的输入端或输出端；或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第二放大晶体管的输入端或输出端；或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述
第三放大晶体管的输入端或输出端；或者，所述第一反馈电路的第一端连接至所述第一偏置电路中的关联节点，所述第一反馈电路的第二端连接至所述第四放大晶体管的输入端或输出端。
51.可理解地，所述第一放大晶体管111、所述第二放大晶体管112、所述第三放大晶体管121和所述第四放大晶体管122可以根据电路需求进行选择，比如npn型三级管、htb三极管等等，通过第一功率放大级11、第二功率放大级12和级间匹配巴伦13构成推挽式的功率放大电路1，将输入的射频信号进行推挽式的放大，并通过所述级间匹配巴伦13进行相位变化，从而输出相位变化的推挽式放大的射频信号，相位变化相当于会存在相位偏移，即相位失调，所述第一反馈电路3的第二端连接至所述功率放大电路1中的射频信号传输路径中，即所述第一反馈电路3的第二端连接所述第一放大晶体管111的基极或集电极，或者所述第二放大晶体管112的基极或集电极，或者所述第三放大晶体管121的基极或集电极，或者所述第四放大晶体管122的基极或集电极，即将级间匹配巴伦13前后的功率通过所述第一反馈电路3可以反馈至所述第一偏置电路2进行调整，即随着输入的射频信号的输入功率增加，所述第一放大晶体管111的基极和集电极的功率均会随之增加，所述第二放大晶体管112的基极和集电极的功率也均会随之增加，从而可以通过连接的所述第一反馈电路3将所述第一偏置电路2中的关联节点的电压升高，从而将所述偏置晶体管22的输入端的电压升高，因此，通过所述偏置晶体管22提供给所述功率放大电路1的偏置电流增大，从而延缓了功率放大电路1中的功率放大级的增益压缩现象，改善了整个功率放大电路1的am
‑
am失调，也提升了线性度；随着输入的射频信号的输入功率增加，所述第三放大晶体管121的基极和集电极的功率及相位偏移均会随之增加，也均会增加相位偏移，所述第四放大晶体管122的基极和集电极的功率及相位偏移也均会随之增加，从而可以通过连接的所述第一反馈电路3将所述第一偏置电路2中的关联节点的电压升高，以及通过连接的所述第一反馈电路3降低了输入寄生电容，从而将所述第一偏置电路2中的关联节点的相位进行相位偏移的弥补，最终，改善了整个功率放大电路1的am
‑
am失调，也提升了线性度，以及改善所述功率放大电路1的相位失调。
52.在一实施例中，如图6所示，所述偏置晶体管22的输出端耦合至第一放大晶体管111的输入端，所述第一反馈电路3的第一端连接至所述第一偏置电路2中的关联节点，所述第一反馈电路3的第二端连接至所述第四放大晶体管122的输入端或输出端。可理解地，输入的射频信号经过所述第一功率放大级11进行放大后，再经过所述级间匹配巴伦13的倒相变换后，所述倒相变换为对输入的射频信号进行180度的反相变换，将倒相变换后的射频信号输入所述第四放大晶体管122，并通过所述第四放大晶体管122进行放大，在此过程中通过所述第一反馈电路3连接至所述偏置晶体管22，从而提供了一个负反馈行为，并通过所述偏置晶体管22对所述第一放大晶体管111的输入端进行调整，从而改善了整个功率放大电路1的am
‑
am失调，也提升了线性度，以及改善所述功率放大电路1的相位失调。
53.在一实施例中，如图7所示，所述偏置晶体管22的输出端耦合至第二放大晶体管112的输入端，所述第一反馈电路3的第一端连接至所述第一偏置电路2中的关联节点，所述第一反馈电路3的第二端连接至所述第三放大晶体管121的输入端或输出端。可理解地，输入的射频信号经过所述第一功率放大级11进行放大后，再经过所述级间匹配巴伦13的正相变换，所述正相变换为接近零度的相位变换，将正相变换后的射频信号输入所述第三放大
晶体管121，并通过所述第三放大晶体管121进行放大，在此过程中通过所述第一反馈电路3连接至所述偏置晶体管22，从而提供了一个正反馈行为，并通过所述偏置晶体管22对所述第一放大晶体管111的输入端进行调整，从而改善了整个功率放大电路1的am
‑
am失调。
54.在一实施例中，所述第一反馈电路3包括第一反馈电容31。可理解地，所述第一反馈电容31的容值可以根据电路需求进行设定，通过所述第一反馈电容31能够快捷有效地降低整个所述功率放大电路1的寄生电容，也起到反馈信号的作用，从而改善所述功率放大电路1的幅度失调和相位失调。
55.在一实施例中，所述第一反馈电路还包括与所述第一反馈电容串联连接的第一反馈电阻和/或第二反馈电感。可理解地，所述第一反馈电容31和所述第一反馈电阻的串联组合，或者所述第一反馈电容31和所述第二反馈电感的串联组合，或者所述第一反馈电容31和所述第二反馈电感的串联组合，通过所述第一反馈电路3包括第一反馈电容31与第一反馈电阻和/或第二反馈电感的串联组合均能起到有效的反馈信号，从而改善所述功率放大电路1的幅度失调和相位失调。
56.在一实施例中，所述第一偏置电路2还包括偏置电阻，所述偏置晶体管22的输出端通过所述偏置电阻耦合至所述功率放大电路1中任意一个功率放大级的输入端。可理解地，所述偏置电阻可以根据电路需求进行阻值选择，在所述偏置电路提供给所述功率放大电路1的偏置电流或/和电压中起到限流作用，起到保护所述功率放大电路1的作用。
57.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。