一种水性半导体晶圆切割液及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种水性半导体晶圆切割液，其特征在于：所述切割液的组分及其质量分数如下：余量为去离子水；所述切割液呈中性。2.根据权利要求1所述的半导体晶圆切割液，其特征在于：所述聚乙二醇为peg400，peg600，peg800，peg1000中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的半导体晶圆切割液，其特征在于:聚乙二醇为peg400。4.根据权利要求1所述的半导体晶圆切割液，其特征在于：所述炔醇聚氧乙烯醚选择涂易乐的fs
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640，fs
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660，fs
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680，fs
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683中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的半导体晶圆切割液，其特征在于：所述消泡剂选择道康宁afe
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3168，1410，afe
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7610，1520，afe
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7600，afe
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1247中的一种或多种。6.根据权利要求5所述的半导体晶圆切割液，其特征在于：所述消泡剂为道康宁afe
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3168。7.根据权利要求1所述的半导体晶圆切割液，其特征在于：所述纳米添加剂为水溶性纳米二氧化硅。8.一种半导体晶圆切割液的制备方法，用于如权利要求1
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7任意一项所述的半导体晶圆切割液的制备，其特征在于，制备方法包括：1)首先根据需要调配的半导体晶圆切割液质量来计算各组分原料用量；2)先将去离子水和黄原胶进行搅拌40min至完全溶解，然后将二分之一量的纳米添加剂加入并搅拌5min；3)依次添加聚乙二醇、炔醇聚氧乙烯醚、消泡剂、剩余二分之一量的纳米添加剂进行搅拌混合，制成均一单相液体。9.根据权利要求8所述的半导体晶圆切割液制备方法，其特征在于，步骤2)中的搅拌机转速为1000
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1200r/min。10.根据权利要求8所述的半导体晶圆切割液制备方法，其特征在于，步骤3)中的搅拌机转速为400
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500r/min。

技术总结
本发明提供一种水性半导体晶圆切割液及其制备方法，所述水性半导体晶圆切割液主要由聚乙二醇、炔醇聚氧乙烯醚、黄原胶、消泡剂和去离子水组成，所述晶圆切割液中还含有纳米添加剂。将所述原料按一定比例依次投入搅拌机均匀混合成单一液相即可制得所述半导体晶圆切割液。本发明半导体晶圆切割液具有优良的润滑性，冷却清洗性能，对晶圆机械应力损伤小，对晶圆表面无腐蚀性。切割液产品符合ROSH、REACH、HF、VOC等环保要求，对环境友好。对环境友好。


技术研发人员：胡丁 包亚群
受保护的技术使用者：广州亦盛环保科技有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2021/9/24