粘合带的制作方法

技术特征：

1.一种粘合带，其是依次层叠有粘合剂层a、基材膜和粘合剂层b的粘合带，

将所述粘合剂层a贴附于硅晶片芯片、将所述粘合剂层b贴附于玻璃板、从粘合带的所述粘合剂层b侧的面向所述粘合剂层a照射3000mj/cm²的紫外线、在240℃下进行10分钟加热处理后的对于硅晶片芯片的芯片剪切强度为3n/9mm²以上，

将所述粘合剂层a贴附于硅晶片、从所述粘合剂层b侧的面向所述粘合剂层a照射3000mj/cm²的紫外线、在200℃下进行1小时加热处理后的对于硅晶片的180°剥离强度为0.10n/inch以上且0.30n/inch以下，

将所述粘合剂层b贴附于玻璃板、对所述粘合剂层a照射3000mj/cm²的紫外线后通过saicas测定测得的所述粘合剂层a的距离表层部10μm的部分的水平载荷强度为0.06n/mm以上。

2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合剂层a在3000mj/cm²的紫外线照射后的23℃下的拉伸强度为1.0mpa以上。

3.根据权利要求1或2所述的粘合带，其中，所述粘合剂层a在3000mj/cm²的紫外线照射后的260℃下的拉伸弹性模量为1.0×10⁶pa以上。

4.根据权利要求1、2或3所述的粘合带，其中，所述粘合剂层a含有粘合剂成分，所述粘合剂成分包含在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物，在将所述粘合剂成分的羟值设为xmgkoh/mg、将酸值设为ymgkoh/mg时，x y≥10。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的粘合带，其中，所述粘合剂层a含有粘合剂成分，所述粘合剂成分包含在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物，在将所述粘合剂成分的羟值设为xmgkoh/mg、将酸值设为ymgkoh/mg时，x y≤70。

6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的粘合带，其中，所述粘合剂层a含有所述粘合剂成分、聚合引发剂、具有能够与所述粘合剂成分交联的官能团的硅酮或氟化合物、以及具有能够与所述粘合剂成分交联的官能团的氨基甲酸酯化合物。

7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的粘合带，其用于制造电子部件。

8.根据权利要求7所述的粘合带，其用于具有热压接合工序的电子部件的制造。

9.一种半导体器件的制造方法，其包括：

隔着权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的粘合带将晶片固定于支撑体上的工序、以及通过热压接合将半导体芯片层叠于所述晶片上的工序。

技术总结
本发明的目的在于提供一种粘合带，其即使在用于伴有高温和载荷的工序的情况下也不会从被粘物剥离，在剥离时能够容易地剥离，进而还能够抑制焊料凸块的变形。另外，本发明的目的在于提供使用了该粘合带的半导体器件的制造方法。本发明是一种粘合带，其是依次层叠有粘合剂层A基材膜粘合剂层B的粘合带，将上述粘合剂层A贴附于硅晶片芯片、将上述粘合剂层B贴附于玻璃板、从粘合带的上述粘合剂层B侧的面向上述粘合剂层A照射3000mJ/cm2的紫外线、在240℃下进行10分钟加热处理后的对于硅晶片芯片的芯片剪切强度为3N/9mm2以上，将上述粘合剂层A贴附于硅晶片、从上述粘合剂层B侧的面向上述粘合剂层A照射3000mJ/cm2的紫外线、在200℃下进行1小时加热处理后的对于硅晶片的180°剥离强度为0.10N/inch以上且0.30N/inch以下，将上述粘合剂层B贴附于玻璃板、对上述粘合剂层A照射3000mJ/cm2的紫外线后通过SAICAS测定测得的上述粘合剂层A的距离表层部10μm的部分的水平载荷强度为0.06N/mm以上。

技术研发人员：盐岛太郎;大同和泉;樋口勋夫
受保护的技术使用者：积水化学工业株式会社
技术研发日：2020.03.18
技术公布日：2021.08.17