一种LED封装结构的制作方法

一种led封装结构
技术领域
1.本技术涉及led封装技术领域，特别是涉及一种led封装结构。


背景技术：

2.led(light emitting diode，发光二极管)封装结构是一种电致发光器件，利用固体半导体芯片作为发光材料，通过载流子发生复合引起光子发射而直接发光。
3.目前，汽车的转向灯、刹车灯主要采用led封装结构作为光源，转向灯采用黄色led芯片的封装结构，刹车灯采用红色led芯片的封装结构。led封装结构中的色光芯片均为垂直芯片，正负电极分别位于led芯片的上表面、下表面，需要打金线进行电器连接，金线一旦发生断裂，就会发生死灯；有些会在led芯片上面覆盖硅胶进行保护，但是由于硅胶很软，外力很有可能挤压封装结构顶部的时候就导致芯片变形或者受损，金线断裂，导致死灯。
4.因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。


技术实现要素：

5.本技术的目的是提供一种led封装结构，以解决因金线断裂出现的死灯问题，提升led封装器件的可靠性。
6.为解决上述技术问题，本技术提供一种led封装结构，包括：
7.基板；
8.位于基板上表面的led芯片和导电块，所述led芯片的下部电极与所述基板上表面的第一线路区电连接，所述导电块与所述基板上表面的第二线路区电连接；
9.位于所述述led芯片和所述导电块上方的透明片体，所述透明片体包括透明基体、位于透明基体下表面的透明导电层、位于透明导电层下表面的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述led芯片的上部电极电连接，所述第二电极与所述导电块电连接。
10.可选的，还包括：
11.位于所述led芯片四周侧面的白墙。
12.可选的，所述白墙的高度等于所述led芯片和所述透明片体的高度之和。
13.可选的，还包括：
14.位于led芯片上表面的透明保护层。
15.可选的，所述导电块的高度与所述led芯片的高度相等。
16.可选的，所述基板的镀层为金镀层。
17.可选的，当所述基板的镀层为银镀层时，还包括：
18.位于所述银镀层表面的白胶层。
19.可选的，所述导电块为铜柱。
20.可选的，所述基板为氮化铝基板。
21.可选的，所述上部电极和所述下部电极为金锡合金电极。
22.本技术所提供的一种led封装结构，包括基板；位于基板上表面的led芯片和导电
块，所述led芯片的下部电极与所述基板上表面的第一线路区电连接，所述导电块与所述基板上表面的第二线路区电连接；位于所述述led芯片和所述导电块上方的透明片体，所述透明片体包括透明基体、位于透明基体下表面的透明导电层、位于透明导电层下表面的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述led芯片的上部电极电连接，所述第二电极与所述导电块电连接。
23.可见，本技术中的led封装结构包括基板、led芯片、导电块和透明片体，透明片体包括透明基体、透明导电层、第一电极和第二电极，led芯片的上部电极与第一电极电连接，导电块与第二电极电连接，所以，导电块与led芯片的上部电极实现电连接，由于导电块与基板上表面的第二线路区电连接，所以led芯片的上部电极与基板第二线路区电连接，又由于led芯片的下部电极与基板上表面的第一线路区电连接，所以，led芯片的上部电极和下部电极均实现与基板的电连接，无需使用金线，避免出现因金线断裂导致的死灯现象，提升led封装器件的可靠性。
附图说明
24.为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1为本技术实施例所提供的一种led封装结构的结构示意图；
26.图2为本技术实施例所提供的设置有led芯片和导电块的基板的俯视图；
27.图3为本技术实施例所提供的基板的底视图；
28.图4为本技术实施例所提供的透明片体的结构示意图；
29.图5为本技术实施例所提供的另一种led封装结构的结构示意图；
30.图6为本技术实施例所提供的另一种led封装结构的结构示意图。
具体实施方式
31.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
32.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
33.正如背景技术部分所述，led封装结构中的色光芯片均为垂直芯片，正负电极分别位于led芯片的上表面、下表面，需要打金线进行电器连接，金线一旦发生断裂，就会发生死灯；有些会在led芯片上面覆盖硅胶进行保护，但是由于硅胶很软，外力很有可能挤压封装结构顶部的时候就导致芯片变形或者受损，金线断裂，导致死灯。
34.有鉴于此，本技术提供了一种led封装结构，请参考图1，图1为本技术实施例所提供的一种led封装结构的结构示意图，包括：
35.基板1；
36.位于基板1上表面的led芯片2和导电块3，所述led芯片2的下部电极与所述基板1上表面的第一线路区电连接，所述导电块3与所述基板1上表面的第二线路区电连接；
37.位于所述述led芯片2和所述导电块3上方的透明片体，所述透明片体包括透明基体4、位于透明基体4下表面的透明导电层5、位于透明导电层5下表面的第一电极7和第二电极6，所述第一电极7与所述led芯片2的上部电极电连接，所述第二电极6与所述导电块3电连接。
38.其中，led芯片2为垂直结构的led芯片，本技术中对led芯片2的发光种类不做具体限定，视情况而定。例如，led芯片2可以为黄光led芯片，或者红光led芯片等等。进一步的，本技术中对led芯片2的大小也不做具体限定，可自行设置。例如，led芯片2大小可以是14mil、25mil、40mil、43mil、45mil等。
39.基板1可以采用陶瓷基板，例如，所述基板1为氮化铝基板，或者基板1为氧化铝基板等。基板1的表面分布有采用dpc(direct plating copper，直接镀铜)技术制作的镀层。第一线路区和第二线路区位于镀层表面。基板1平整度ra小于0.3微米。
40.本技术中对基板1的镀层不做具体限定，例如，所述基板1的镀层为金镀层，或者镀层为银镀层。当基板1的镀层为银镀层时，为了避免银镀层在空气中发生硫化，led封装结构还包括：位于所述银镀层表面的白胶层。
41.设置有led芯片2和导电块3的基板1的俯视图如图2所示，基板1的底视图如图3所示。基板1上表面分布有相互断开的第一线路区11和第二线路区12，且在每个线路区中分布有过孔13，过孔13可以将基板1上表面第一线路区11和第二线路区12的电信号引到基板1下表面对应的第一焊盘15和第二焊盘14。led芯片2的下部电极与第一线路区11电连接，即下部电极由第一线路区11和过孔13引至基板1下表面。
42.透明片体的结构示意图如图4所示，透明导电层5位于透明基体4下表面，第一电极7和第二电极6位于透明导电层5下面表面，且第一电极7和第二电极6均与透明导电层5之间电连接。led芯片2的上部电极与第一电极7电连接，导电块3与第二电极6电连接，所以上部电极由透明片体、导电块3、第二线路区12和过孔引至基板1下表面。
43.本技术中透明导电层5不做具体限定，只要是透明的，能导电即可，例如，可以为ito(indium tin oxide，氧化铟锡)导电层等等。为了降低led封装结构的制作成本，透明基体4可以选用玻璃。
44.导电块3的形状包括但不限于圆柱体、长方体、棱台等。为了简化导电块3的制作工艺以及降低led封装结构的成本，所述导电块3为铜柱。当然，也可以采用其他可以导电的块体，例如，金柱、银柱等，本技术不做具体限定。
45.为了提升导电块3、led芯片2与透明片体电连接的稳定性，所述导电块3的高度与所述led芯片2的高度相等，led芯片2的高度一般在150微米左右。
46.本技术中的led封装结构包括基板1、led芯片2、导电块3和透明片体，透明片体包括透明基体4、透明导电层5、第一电极7和第二电极6，led芯片2的上部电极与第一电极7电连接，导电块3与第二电极6电连接，所以，导电块3与led芯片2的上部电极实现电连接，由于导电块3与基板1上表面的第二线路区电连接，所以led芯片2的上部电极与基板1第二线路区电连接，又由于led芯片2的下部电极与基板1上表面的第一线路区电连接，所以，led芯片
2的上部电极和下部电极均实现与基板1的电连接，无需使用金线，避免出现因金线断裂导致的死灯现象，提升led封装器件的可靠性。
47.为了提升led封装结构的反光率，在本技术的一个实施例中，led封装结构还包括：
48.位于所述led芯片2四周侧面的白墙8。白墙8是由白胶固化后形成的。
49.作为一种可实施例的方式，请参考图5，所述白墙8的高度等于所述led芯片2和所述透明片体的高度之和。
50.为了提升对led芯片2的保护，延长led芯片2的使用寿命，还包括：
51.位于led芯片2上表面的透明保护层。透明保护层具有透光性好、耐温性高的特点，透明保护层可以为硅胶层，或者硅树脂层等。
52.作为另一种可实施例的方式，请参考图6，led封装结构设置有白墙8和透明硅胶9，在白墙8与基板1之间还设置有透明硅胶9，透明硅胶与白墙8的高度之和等于led芯片2与透明片体的高度之和。
53.在上述任一实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，led芯片2的所述上部电极和所述下部电极为金锡合金电极。相应的，第一电极7也为金锡合金电极。
54.采用金锡合金电极时，在led封装组件的制作过程中led芯片2与基板1、透明片体之间采用共晶焊接的方式连接，共晶焊接的可靠性高，从而使led封装芯片的可靠性高。
55.需要指出的是，在其他实施例中，上部电极和下部电极还可以为金电极，此时采用回流焊的方式；或者采用超声热压共晶等方式。
56.下面对本技术中的led封装结构的制作方法进行介绍。
57.步骤1、选用2016陶瓷基板，2016陶瓷基板上的镀层采用dpc制作；
58.步骤2、在2016陶瓷基板的第二线路区上采用电镀的方式镀出一个铜柱，铜柱的高度与垂直结构的led芯片高度相等，为150微米；
59.步骤3、在2016陶瓷基板的第一线路区点适量的助焊剂，然后将led芯片放到助焊剂上进行共晶焊接，led芯片的上部电极和下部电极均为金锡合金电极；
60.步骤4、在玻璃基体的下表面制作ito透明导电层，并在ito透明导电层下表面制作第一电极和第二电极，第一电极和第二电极为金锡合金电极，得到透明片体；
61.步骤5、将透明片体的第一电极与led芯片的上部电极、第二电极与铜柱进行焊接，实现第一电极与led芯片的上部电极电连接，第二电极与铜柱电连接；
62.步骤6、流胶：在2016陶瓷基板的上表面、led芯片的周围流白胶并固化形成白墙，白墙的高度等于led芯片和透明片体高度之和；或者，先在2016陶瓷基板的上表面、led芯片的周围流一层透明硅胶，硅胶的上表面与透明片体上表面平齐，烘烤固化后采用切割工艺将led芯片周围一部分透明硅胶割除，然后在硅胶切除处再流一层白色的白胶，固化后白胶上表面与透明片体上表面齐平；
63.步骤7、切割得到单个的led封装结构；
64.步骤8、测试编带：对led芯片的色光如红光和黄光进行光电参数波长、电压、半峰宽等参数的测试及编带；
65.步骤9、将测试合格的led封装结构打标签入库。
66.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装
置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
67.以上对本技术所提供的led封装结构进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以对本技术进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本技术权利要求的保护范围内。