一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法与流程

技术特征：
1.一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供坩埚，将生长面晶向属于同一晶向族的多块单晶硅籽晶拼接铺设在所述坩埚的底部，形成籽晶层；在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制温度，使所述熔融状态的硅料在所述籽晶层上继承所述单晶硅籽晶的晶向结构进行生长，制得类单晶硅锭；其中，所述多块单晶硅籽晶包括至少两种类型，不同类型籽晶的侧面晶向不同，所述籽晶层中相邻的两块单晶硅籽晶的类型不同；(2)取出所述类单晶硅锭，将其与所述坩埚底部接触的底面朝上，将所述底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出，并使其延伸至所述类单晶硅锭的四个侧面；对所述类单晶硅锭进行开方得到多个第一硅块，其中，在开方前使开方钢线与所述籽晶拼接缝对准，且步骤(1)中所述单晶硅籽晶的横向尺寸与所述类单晶硅锭的开方尺寸相同；将所述第一硅块对应所述坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后，将打磨后的第一硅块上的籽晶区域切割下来，得到回收后的多块单晶硅籽晶，并标记每块单晶硅籽晶的类型；(3)将步骤(2)得到的籽晶按照步骤(1)的方法进行重复利用。2.如权利要求1所述的铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，步骤(1)中，所述籽晶层中相邻两块籽晶的侧面晶向的角度偏差在4-30
°
的范围。3.如权利要求1所述的铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，步骤(1)中，所述单晶硅籽晶的长、宽均在50-210mm，高度为10mm-30mm。4.如权利要求1所述的铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，所述类单晶硅锭的底部长、宽均在200mm-1600mm；开方尺寸在50-210mm。5.如权利要求1所述的铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，步骤(2)中，进行打磨前的所述第一硅块应满足以下条件：所述第一硅块垂直于坩埚底部的棱边的崩边深度≤0.5mm，其他棱边的崩边深度及各侧面的凹坑深度≤2mm；所述第一硅块上的缝隙标记线与对应棱边的偏差≤1.5mm。6.如权利要求1所述的铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，步骤(2)中，打磨后的第一硅块对应所述坩埚底部的端面的粗糙度小于0.5mm。7.如权利要求1所述的铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，步骤(2)中，回收后的所述单晶硅籽晶的高度为10mm-30mm。8.如权利要求5所述的铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，步骤(1)中所述单晶硅籽晶来源于单晶棒，所述单晶硅籽晶的生长面晶向选自<001>、<011>或<111>晶向族。9.如权利要求1所述的铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，其特征在于，步骤(1)所述控制温度为：在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料后，控制所述坩埚底部温度低于所述籽晶的熔点，使得所述籽晶层不被完全熔化；然后控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在所述单晶硅籽晶上继承所述单晶硅籽晶的晶向结构进行生长，制得类单晶硅锭。

技术总结
本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括：(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；(2)将类单晶硅锭的底面朝上，将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出，并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面；对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块，且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐，将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后，再切割掉其上的籽晶区域，得到回收后的多块单晶硅籽晶，并标记每块的类型；(3)将步骤(2)得到的籽晶按步骤(1)的方法进行再利用。该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用，降低了铸造类单晶的籽晶成本。铸造类单晶的籽晶成本。铸造类单晶的籽晶成本。


技术研发人员：何亮 何新根 雷琦 毛伟 徐云飞 周成 罗鸿志 程小娟 邹贵付 甘胜泉 陈仙辉
受保护的技术使用者：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
技术研发日：2020.04.29
技术公布日：2021/10/28