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混合成像探测器的制作方法

2021-10-29 23:17:00 来源:中国专利 TAG:成像 探测器 半导体 混合

技术特征:
1.一种混合成像探测器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底中设置有处理电路;所述衬底的一侧设置有红外探测件和可见光探测件,所述可见光探测件位于所述红外探测件的远离所述衬底的一侧,所述红外探测件与所述可见光探测件均与所述处理电路电性连接;所述可见光探测件包括相连的第一掺杂区和第二掺杂区,所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的远离所述衬底一侧的面上,所述第一掺杂区和第二掺杂区形成pn结;所述第一掺杂区和第二掺杂区中的其中一个上间隔设有多个延伸部,且所述延伸部的端部插装在所述第一掺杂区和第二掺杂区中的另一个中。2.根据权利要求1所述的混合成像探测器,其特征在于,所述可见光探测件还包括上电极层,所述上电极层位于所述第一掺杂区的朝向所述衬底一侧的面上,所述上电极层包括第一上电极和第二上电极,所述第一上电极和第二上电极之间电性绝缘;所述第一上电极与所述第一掺杂区连接,部分所述第二掺杂区延伸至所述第二上电极并与所述第二上电极连接。3.根据权利要求1所述的混合成像探测器,其特征在于,还包括:至少一个导热组件和至少一个支撑件,所述导热组件和所述支撑件位于所述衬底和所述红外探测件之间;所述支撑件的第一端与所述衬底连接,所述支撑件的第二端与所述红外探测件连接,且至少一个所述支撑件分别与所述衬底和所述红外探测件电性连接;所述导热组件的导热效率高于所述支撑件的导热效率;所述导热组件包括相对设置的第一导热件和第二导热件,所述第一导热件位于所述红外探测件朝向所述衬底的一侧的面,所述第二导热件位于所述衬底朝向所述红外探测件的一侧的面上;所述第一导热件和所述第二导热件可分离式抵接。4.根据权利要求3所述的混合成像探测器,其特征在于,所述支撑件为至少两个,各个所述支撑件间隔设置在所述衬底和所述红外探测件之间。5.根据权利要求4所述的混合成像探测器,其特征在于,所述支撑件为两个,其中一个所述支撑件分别与所述衬底和所述红外探测件电性连接,其中另一个所述支撑件与所述衬底和所述红外探测件均电性绝缘。6.根据权利要求4所述的混合成像探测器,其特征在于,所述支撑件为两个,两个所述支撑件均分别与所述衬底和所述红外探测件电性连接。7.根据权利要求5所述的混合成像探测器,其特征在于,所述衬底和所述红外探测件之间通过所述导热组件电性连接,其中,所述导热组件的所述第一导热件和所述第二导热件抵接。8.根据权利要求7所述的混合成像探测器,其特征在于,还包括快速读取电路结构,所述快速读取电路结构与至少一个所述导热组件电连接。9.根据权利要求3

8任一所述的混合成像探测器,其特征在于,所述红外探测件包括相连接的微桥结构和梁结构,所述第一导热件位于所述微桥结构上,所述支撑件与所述梁结构连接。10.根据权利要求9所述的混合成像探测器,其特征在于,所述梁结构位于所述微桥结
构的边缘位置,且所述微桥结构与所述梁结构之间具有镂空间隙。11.根据权利要求9所述的混合成像探测器,其特征在于,所述梁结构位于所述微桥结构与所述衬底之间,所述支撑件包括第一支撑件,所述第一支撑件的一端与所述衬底连接,所述第一支撑件的另一端与所述梁结构连接,至少一个所述第一支撑件分别与所述梁结构和所述衬底之间电性连接。12.根据权利要求11所述的混合成像探测器,其特征在于,所述支撑件包括第二支撑件,所述第二支撑件的一端与所述微桥结构连接,所述第二支撑件的另一端与所述梁结构连接,至少一个所述第二支撑件分别与所述梁结构和所述微桥结构电性连接。13.根据权利要求3

8任一所述的混合成像探测器,其特征在于,所述第一导热件与第一驱动电路电性连接,和/或,所述第二导热件与第二驱动电路电性连接,所述第一导热件与所述第二导热件之间在电性吸附力的作用下沿相向和向背的方向往复运动。14.根据权利要求3

8任一所述的混合成像探测器,其特征在于,包括加热电路,所述第二导热件包括相连的第一延伸段和第二延伸段,所述第一延伸段与所述衬底连接,所述第一延伸段沿所述衬底的厚度方向延伸,所述第二延伸段沿所述衬底的延伸方向延伸;所述第二延伸段朝向所述衬底的一侧设有热膨胀层,至少部分所述热膨胀层从所述第二延伸段延伸至所述第一延伸段,所述热膨胀层与所述加热电路电性连接,所述热膨胀层的热膨胀系数比所述第二导热件的热膨胀系数大;其中,所述第二导热件与所述热膨胀层电性绝缘。15.根据权利要求3

8任一所述的混合成像探测器,其特征在于,所述第一导热件背离所述衬底的一侧上设置有金属件,所述金属件包括多个第一金属段和多个第二金属段,多个所述第一金属段和多个所述第二金属段依次交错且首尾连接,相邻的所述第一金属段和所述第二金属段之间具有夹角;靠近所述第一导热件的一侧,所述第一金属段和所述第二金属段的连接处与所述第一导热件之间通过绝缘层连接;所述金属件与第三驱动电路电性连接,所述第一导热件与第四驱动电路电性连接,所述第一导热件在与所述金属件之间的电性吸引力的作用下,靠近或远离所述第二导热件。16.根据权利要求3

8任一所述的混合成像探测器,其特征在于,所述第一导热件朝向所述衬底的一侧的面上设有第一嵌合部,所述第二导热件朝向所述红外探测件的一侧的面上设有第二嵌合部;当所述第一导热件和所述第二导热件抵接时,所述第一嵌合部与所述第二嵌合部嵌合。17.根据权利要求3

8任一所述的混合成像探测器,其特征在于,所述支撑件中设有容置空腔,所述容置空腔的内壁面凹凸不平。18.根据权利要求8所述的混合成像探测器,其特征在于,所述红外探测件包括下电极层,至少一个所述导热组件中的所述第一导热件由部分下电极层形成。19.根据权利要求3

8任一所述的混合成像探测器,其特征在于,所述红外探测件还包括附加金属层,部分所述附加金属层形成所述第一导热件。

技术总结
本申请提供一种混合成像探测器,包括:衬底,衬底中设置有处理电路;衬底的一侧设置有红外探测件和可见光探测件,可见光探测件位于红外探测件的远离衬底的一侧,红外探测件与可见光探测件均与处理电路电性连接;可见光探测件包括相连的第一掺杂区和第二掺杂区,第二掺杂区位于第一掺杂区的远离衬底一侧的面上,第一掺杂区和第二掺杂区形成PN结;第一掺杂区和第二掺杂区中的其中一个上间隔设有多个延伸部,且延伸部的端部插装在第一掺杂区和第二掺杂区中的另一个中。延伸部处形成了横向PN结,从而展宽了“耗尽层”厚度,以增加光吸收率。因此,本申请提供的混合成像探测器,提高了可见光感应区域对可见光的吸收率,保证混合成像探测器的性能。测器的性能。测器的性能。


技术研发人员:刘伟 王鹏 郭得福 段程鹏 王效杰 欧秦伟
受保护的技术使用者:西安中科立德红外科技有限公司
技术研发日:2021.09.23
技术公布日:2021/10/28
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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