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一种阵列基板、其制备方法及显示装置与流程

2021-10-29 21:44:00 来源:中国专利 TAG:显示 阵列 制备方法 装置 基板

技术特征:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板,位于所述衬底基板一侧的像素界定层,所述像素界定层具有多个开口区域,所述开口区域内包括发光功能层,所述像素界定层中与所述发光功能层接触的部分具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素界定层包括第一像素界定层,以及位于所述第一像素界定层远离所述衬底基板一侧的第二像素界定层;所述第一像素界定层包括围绕各所述开口区域且相互独立的多个像素界定结构,所述像素界定结构与所述发光功能层接触;所述第二像素界定层覆盖多个所述像素界定结构,所述第二像素界定层的结构为具有露出各所述开口区域的网格状结构,且所述第二像素界定层用于使相邻所述像素界定结构之间相互绝缘。3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,沿所述衬底基板指向所述像素界定层的方向,所述像素界定结构的厚度大于所述发光功能层的厚度。4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素界定层在紫外光照射下由亲水性转换为疏水性或由疏水性转换为亲水性。5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素界定层的材料为偶氮苯、螺吡喃、肉桂酸、二氧化钛或五氧化二钒;所述第二像素界定层的材料为绝缘材料。6.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素界定层的厚度为100nm-200nm,所述第二像素界定层的厚度为50nm-150nm。7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述发光功能层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层。8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述空穴注入层和所述电子传输层呈亲水性,所述空穴传输层和所述发光层呈疏水性。9.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述发光层的材料为量子点材料。10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。11.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成具有多个开口区域的像素界定层;在各所述开口区域内形成发光功能层;其中,所述像素界定层中与所述发光功能层接触的部分具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能。12.如权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在衬底基板上形成具有多个开口区域的像素界定层,具体包括:在所述衬底基板上旋涂第一光刻胶,并对所述第一光刻胶进行曝光、显影后形成图形化的第一光刻胶层;在形成有所述第一光刻胶层的衬底基板上旋涂制备第一像素界定材料层;对所述第一光刻胶层进行剥离以除去所述第一光刻胶层和所述第一光刻胶层上方的第一像素界定材料层,以形成围绕各所述开口区域且相互独立的多个像素界定结构,各所述像素界定结构构成所述第一像素界定层;在所述第一像素界定层远离所述衬底基板一侧沉积绝缘材料膜层;对所述绝缘材料膜层进行构图露出各所述开口区域,以形成所述第二像素界定层;所述第二像素界定层覆盖多个所述像素界定结构,所述第二像素界定层的结构为具有露出各
所述开口区域的网格状结构,且所述第二像素界定层用于使相邻所述像素界定结构之间相互绝缘。13.如权利要求12所述的制备方法,其特征在于,在各所述开口区域内形成发光功能层,具体包括:对形成有所述第二像素界定层的衬底基板在第一外部条件下进行处理,以使所述第一像素界定层呈疏水性;采用喷墨打印工艺在各所述开口区域内形成空穴注入层;对形成有所述空穴注入层的衬底基板在第二外部条件下进行处理,以使所述第一像素界定层呈亲水性;采用喷墨打印工艺在所述空穴注入层远离所述衬底基板一侧形成空穴传输层;采用喷墨打印工艺在所述空穴传输层远离所述衬底基板一侧形成发光层;对形成有所述发光层的衬底基板在所述第一外部条件下进行处理,以使所述第一像素界定层呈疏水性;采用喷墨打印工艺在所述发光层远离所述衬底基板一侧形成电子传输层。

技术总结
本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置,通过将像素界定层中与发光功能层接触的部分设置成具有在外部条件变化下在亲水性与疏水性之间转换的功能,这样在形成发光功能层的各膜层时,由于发光功能层的各膜层亲、疏水性不一致,如在形成亲水性的发光功能层时,将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈疏水性,在形成疏水性的发光功能层时,将像素界定层在外部条件处理下使与发光功能层接触的部分转换呈亲水性,从而可以使开口区域内形成的发光功能层不会向像素界定层内壁攀爬,从而使开口区域内形成的发光功能层膜厚均一,提高显示面板的显示效果和发光器件的寿命。发光器件的寿命。发光器件的寿命。


技术研发人员:梅文海
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:2020.04.29
技术公布日:2021/10/28
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