一种自适应低损耗功率器件的制作方法

技术特征：
1.一种自适应低损耗功率器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的p衬底(1)、埋氧层(2)和n漂移区(3)；沿器件横向方向，所述n漂移区(3)的上层从一侧到另一侧依次具有阴极结构、栅极结构和阳极结构；所述阴极结构包括p阱区(4)、p 体接触区(5)和n 阴极区(6)；所述p阱区(4)位于n漂移区(3)上层一端，所述p 体接触区(5)和所述n 阴极区(6)相互接触并列位于p阱区(4)上表面远离n漂移区(3)的一端，且所述n 阴极区(6)在靠近n漂移区(3)的一侧，p 体接触区(5)和n 阴极区(6)表面共同引出阴极电极；所述栅极结构为平面栅结构，由绝缘介质(71)及其之上的导电材料(81)共同构成，导电材料(81)的引出端为栅电极；所述绝缘介质(71)一端覆盖于n 阴极区(6)的部分上表面和p阱区(4)的上表面，另一端覆盖于部分n漂移区(3)的上表面；其特征在于，所述阳极结构包括n缓冲层(9)、p 阳极区(10)、绝缘介质槽(73)和自适应mos结构；所述n缓冲层(9)位于n漂移区(3)上层另一端，沿器件横向方向，所述n缓冲层(9)上表面从一侧到另一侧依次具有p 阳极区(10)、绝缘介质槽(73)和自适应mos结构，且所述p 阳极区(10)位于n缓冲层(9)上表面靠近n漂移区(3)一侧，p 阳极区(10)与绝缘介质槽(73)之间被n缓冲层(9)隔离；所述自适应mos结构包括p
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body区(11)、n 阳极区(12)、绝缘介质(72)和位于绝缘介质(72)上表面的导电材料(82)；所述p
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body区(11)位于n缓冲层(9)上层远离n漂移区(3)的一侧，且在器件纵向方向上呈多段分布；所述n 阳极区(12)位于p
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body区(11)上层且不与n缓冲层(9)接触；绝缘介质(72)位于n缓冲层(9)远离n漂移区(3)一侧的上表面，且绝缘介质(72)的边沿与绝缘介质槽(73)远离p 阳极区(10)一侧的边沿有交叠；绝缘介质(72)与p
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body区(11)完全接触、与n 阳极区(12)部分接触；所述p 阳极区(10)、导电材料(82)和n 阳极区(12)表面共同引出阳极电极。2.根据权利要求1所述的一种自适应低损耗功率器件，其特征在于，在器件纵向方向上，所述绝缘介质槽(73)呈多段分布，且被所述n缓冲层(9)隔开。3.根据权利要求2所述的一种自适应低损耗功率器件，其特征在于，所述多段p
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body区(11)在纵向方向上连接。4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种自适应低损耗功率器件，其特征在于，所述绝缘介质槽(73)下表面与n漂移区(3)接触。

技术总结
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N 阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中，随着阳极电压逐步上升，多段分布的P


技术研发人员：魏杰 戴恺纬 李杰 杨可萌 马臻 孙燕 罗小蓉
受保护的技术使用者：电子科技大学广东电子信息工程研究院
技术研发日：2021.07.21
技术公布日：2021/10/26