一种高出光UVC-LED封装器件的制作方法

技术特征：
1.一种高出光uvc
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led封装器件，其特征在于，包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板一侧焊接有电镀围板，所述电镀围板为以所述陶瓷基板中心点为中心的筒状结构；所述陶瓷基板的另一侧嵌有两个根据所述陶瓷基板中心线对称放置的芯片引脚；所述两个芯片引脚之间还设置有散热引脚，所述散热引脚嵌入在所述陶瓷基板的中心位置；uvc芯片和两个焊接盘，所述uvc芯片设置于所述陶瓷基板的中心位置，与所述电镀围板位于同一侧；所述两个焊接盘一端焊接于所述陶瓷基板，另一端分别焊接于所述uvc芯片的两极；透镜，所述透镜设置于所述电镀围板远离所述陶瓷基板的一端。2.根据权利要求1所述的高出光uvc
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led封装器件，其特征在于，所述陶瓷基板为氮化铝与氧化铝一体化形成。3.根据权利要求1所述的高出光uvc
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led封装器件，其特征在于，所述uvc芯片波长为200
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280nm。4.根据权利要求1所述的高出光uvc
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led封装器件，其特征在于，所述焊接盘为倒装结构，采用厚度为3.0μm的金锡合金材质制成。5.根据权利要求1所述的高出光uvc
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led封装器件，其特征在于，所述电镀围板与所述陶瓷基板焊接的一端其内壁为45度角倾斜的倒锥形结构，所述电镀围板的另一端为用于放置所述透镜的台阶形的下凹结构，所述电镀围板内壁的倒锥形结构部分的最大直径端与所述电镀围板的台阶形的下凹结构相连。6.根据权利要求1所述的高出光uvc
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led封装器件，其特征在于，所述透镜由石英与蓝宝石材质制成，其形状为平面透镜或角度透镜。7.根据权利要求1所述的高出光uvc
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led封装器件，其特征在于，所述电镀围板、所述芯片引脚和所述散热引脚均采用在镀铜层上镀有镍、金层或镍、钯、金层；其中镍层厚大于等于3um厚，钯层厚大于等于0.05um，金层厚大于等于0.05um。8.根据权利要求1所述的高出光uvc
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led封装器件，其特征在于，所述陶瓷基板内部具有通孔结构，所述两个芯片引脚通过该通孔结构分别与所述两个焊接盘用导电金属连接。

技术总结
本实用新型公开了一种高出光UVC


技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：至芯半导体（杭州）有限公司
技术研发日：2021.05.13
技术公布日：2021/10/23