一种高出光UVC-LED封装器件的制作方法

一种高出光uvc
‑
led封装器件
技术领域
1.本实用新型涉及led封装技术领域，具体涉及一种高出光uvc
‑
led封装器件。


背景技术：

2.生活中对细菌杀灭处理越来越重要，uvc
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led广泛应用于杀菌领域，杀菌在相同时间内所需的杀菌剂量，uvc辐射功率直接影响杀菌速度。现有市场普遍采用的uvc芯片封装样式，对uvc芯片侧面光线的利用率不高，从而降低了uvc封装光源的整体辐射功率。提升uvc芯片侧面光线的利用也处在了急需解决的问题。
3.现有uvc灯珠，是在氮化铝陶瓷基板电镀围坝支架上面共晶uvc芯片，其围坝内壁采用垂直结构，uvc芯片侧面光线垂直照射支架，大部分深紫外光线形成在支电镀围坝架内部相向反射，不能反射出杯口，从而造成uvc能量的损耗；uvc芯片侧面距离支架杯口有一定距离，特别是小尺寸uvc芯片，uvc芯片能量距离衰减比较明显，照射到支架杯口的深紫外能量也相应减弱，造成支架反射出的能量也相应减弱。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于解决上述背景技术中的至少一个问题，提供一种高出光uvc
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led封装器件，具体实施方式如下：
5.本实用新型提出一种高出光uvc
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led封装器件，包括：
6.陶瓷基板，所述陶瓷基板一侧焊接有电镀围板，所述电镀围板为以所述陶瓷基板中心点为中心的筒状结构；所述陶瓷基板的另一侧嵌有两个根据所述陶瓷基板中心线对称放置的芯片引脚；所述两个芯片引脚之间还设置有散热引脚，所述散热引脚嵌入在所述陶瓷基板的中心位置。
7.uvc芯片和两个焊接盘，所述uvc芯片设置于所述陶瓷基板的中心位置，与所述电镀围板位于同一侧；所述两个焊接盘一端焊接于所述陶瓷基板，另一端分别焊接于所述uvc芯片的两极。
8.透镜，所述透镜设置于所述电镀围板远离所述陶瓷基板的一端。
9.进一步的，陶瓷基板为氮化铝与氧化铝一体化形成。
10.进一步的，uvc芯片波长为200
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280nm。
11.进一步的，焊接盘为倒装结构，采用厚度为3.0μm的金锡合金材质制成。
12.进一步的，电镀围板与所述陶瓷基板焊接的一端其内壁为45度角倾斜的倒锥形结构，所述电镀围板的另一端为用于放置所述透镜的台阶形的下凹结构，所述电镀围板内壁的倒锥形结构部分的最大直径端与所述电镀围板的台阶形的下凹结构相连。
13.进一步的，透镜由石英与蓝宝石材质制成，其形状为平面透镜或角度透镜。
14.进一步的，电镀围板、所述芯片引脚和所述散热引脚均采用在镀铜层上镀有镍、金层或镍、钯、金层；其中镍层厚大于等于3um厚，钯层厚大于等于0.05um，金层厚大于等于0.05um。
15.进一步的，陶瓷基板内部具有通孔结构，所述两个芯片引脚通过该通孔结构分别与所述两个焊接盘用导电金属连接。
16.本实用新型实施例提供的技术方案具有一下增益效果：
17.所述高出光uvc
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led封装器件中的电镀围板，其内壁与所述陶瓷基板焊接的一端其内壁为45度角倾斜的倒锥形结构，这样的结构可以将uvc芯片侧面发出的光线反射到透镜，提高了uvc芯片发出的光线的利用率；比起垂直于所述陶瓷基板的内壁结构，具有45度角倾斜的倒锥形结构的内壁与uvc芯片之间的距离更短，从而减少了uvc光线能量距离衰减的损耗，提高了uvc芯片能量利用率。
附图说明
18.图1是本实用新型的高出光uvc
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led封装器件的一种结构示意图。
19.图2是本实用新型的高出光uvc
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led封装器件的另一种结构示意图。
20.陶瓷基板1、电镀围板2、芯片引脚3、散热引脚4、uvc芯片5、焊接盘6、透镜7
具体实施方式
21.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施方式中，为了使读者更好地理解本技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本技术所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便，不应对本实用新型的具体实现方式构成任何限定，各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合相互引用。
22.如图1所示，本实用新型的一种实施例，提供一种高出光uvc
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led封装器件，包括：陶瓷基板1，陶瓷基板1一侧焊接有电镀围板2，电镀围板2为以陶瓷基板1中心点为中心的筒状结构；陶瓷基板1的另一侧嵌有两个根据陶瓷基板中心线对称放置的芯片引脚3；两个芯片引脚3之间还设置有散热引脚4，散热引脚4嵌入在陶瓷基板1的中心位置。uvc芯片5和两个焊接盘6，uvc芯片5设置于陶瓷基板1的中心位置，与电镀围板2位于同一侧；两个焊接盘6一端焊接于陶瓷基板1，另一端分别焊接于uvc芯片5的两极。透镜7，透镜7设置于电镀围板2远离陶瓷基板的一端。
23.本实用新型的陶瓷基板1为氮化铝与氧化铝一体化形成；uvc芯片5波长为200
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280nm；焊接盘6为倒装结构，采用厚度为3.0μm的金锡合金材质制成。
24.本实用新型的电镀围板2与陶瓷基板1焊接的一端其内壁为45度角倾斜的倒锥形结构，电镀围板2的另一端为用于放置透镜7的台阶形的下凹结构，电镀围板2内壁的倒锥形结构部分的最大直径端与电镀围板的台阶形的下凹结构相连；电镀围板2内壁的具有45度角倾斜的倒锥形结构部分采用分层多次对位电镀的方法制作，这样的结构可以将uvc芯片5侧面发出的光线反射到透镜7以提高光线的利用率，其与uvc芯片的间距比起垂直于陶瓷基板1的内壁结构也更小，减少了uvc光线能量的损耗。
25.本实用新型的透镜7是由石英与蓝宝石材质制成的平面透镜，透镜7通过接着剂与电镀围板2顶部的下凹结构结合，在电镀围板2顶部的下凹结构上面均匀涂透镜接着剂，将透镜7与电镀围板2贴合，使得由陶瓷基板1、电镀围板2和透镜7所包裹的空间形成一个密封
腔体。
26.本实用新型的电镀围板2、芯片引脚5和散热引脚4均采用在镀铜层上镀有镍、金层或镍、钯、金层；其中镍层厚大于等于3um厚，钯层厚大于等于0.05um，金层厚大于等于0.05um。
27.本实用新型的陶瓷基板1内部具有通孔结构，两个芯片引脚5通过该通孔结构分别与两个焊接盘6用导电金属连接。
28.如图2所示，本实用新型的另一种实施例，其透镜7是由石英与蓝宝石材质制成的角度透镜，其余部分均与图1相同，因此不再做过多赘述。通过平面透镜射出的光线照射范围较大，照射距离较短；通过角度透镜射出的光线照射范围较小，照射距离较长；以上两种实施例可应对不同的功能需求。
29.最后说明的是，以上优选实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管通过上述优选实施例已经对本发明进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本发明权利要求书所限定的范围。