一种大电流的多通道MOSFET管的制作方法

技术特征：
1.一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，包括衬底(10)，所述衬底(10)上设有绝缘本体(20)，所述绝缘本体(20)中设有沿y方向延伸的栅极层(30)，所述栅极层(30)在x方向的两面以及底面均覆盖有栅极间隔层(31)，所述栅极层(30)中设有m个在y方向上间隔分布的通断模块(40)，m为大于1的整数，所述栅极层(30)上连接有避开所述通断模块(40)的栅极接触层(32)；所述通断模块(40)的x方向两端分别连接有均位于所述绝缘本体(20)中的源极层(21)和漏极层(22)，所述源极层(21)和所述漏极层(22)的底端均与所述衬底(10)连接，所述源极层(21)上连接有位于所述绝缘本体(20)上方的源极接触层(211)，所述漏极层(22)上连接有位于所述绝缘本体(20)上方的漏极接触层(221)；所述通断模块(40)包括若干交替层叠的沟道层(41)和栅极调节通道层(42)，所述沟道层(41)的外表面包裹有沟道间隔层(411)，所述沟道层(41)在x方向的两端分别与所述源极层(21)和所述漏极层(22)连接，所述栅极调节通道层(42)在y方向的两端均与所述栅极层(30)连接；所述衬底(10)和所述沟道层(41)为第一导电型半导体材料层，所述源极层(21)和所述漏极层(22)为第二导电型半导体材料层。2.根据权利要求1所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，不同所述通断模块(40)中的所述沟道层(41)数量不同。3.根据权利要求1所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，所述衬底(10)和所述沟道层(41)均为第一导电型的碳化硅层或硅锗层，所述栅极层(30)和所述漏极层(22)均为第二导电型的碳化硅层或硅锗层。4.根据权利要求1所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，所述源极层(21)的底部连接有位于所述衬底(10)中的源极延伸部(11)，所述漏极层(22)的底部连接有位于所述衬底(10)中的漏极延伸部(12)，所述源极延伸部(11)和所述漏极延伸部(12)均为的扇形结构，所述源极延伸部(11)和所述漏极延伸部(12)均为第二导电型半导体材料层。5.根据权利要求4所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，所述通断模块(40)中最底层的为所述栅极调节通道层(42)，所述源极延伸部(11)靠近所述漏极延伸部(12)的一端连接有源极侧延部(111)，所述漏极延伸部(12)靠近所述源极延伸部(11)的一端连接有漏极侧延部(121)，所述源极侧延部(111)和所述漏极侧延部(121)均为第二导电型半导体材料层。6.根据权利要求5所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，所述源极侧延部(111)的掺杂浓度小于所述源极层(21)的掺杂浓度，所述漏极侧延部(121)的掺杂浓度小于所述漏极层(22)的掺杂浓度。7.根据权利要求1所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，所述绝缘本体(20)为氮氧化硅层。8.根据权利要求1所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，所述源极接触层(211)和所述漏极接触层(221)为钨金属层或钴金属层，所述栅极接触层(32)和所述栅极层(30)为钨金属层或钴金属层，所述栅极调节通道层(42)为氮化钛金属层。9.根据权利要求1所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，所述通断模块(40)的顶部设有绝缘层(401)。
10.根据权利要求1所述的一种大电流的多通道mosfet管，其特征在于，所述栅极间隔层(31)和所述沟道间隔层(411)为二氧化硅层或氮化硅层。

技术总结
本发明系提供一种大电流的多通道MOSFET管，包括衬底，衬底上设有绝缘本体，绝缘本体中设有栅极层，栅极层覆盖有栅极间隔层，栅极层中设有m个间隔分布的通断模块；通断模块的两端分别连接有源极层和漏极层，源极层和漏极层的底端均与衬底连接，源极层上连接有位于绝缘本体上方的源极接触层，漏极层上连接有位于绝缘本体上方的漏极接触层；通断模块包括若干交替层叠的沟道层和栅极调节通道层，沟道层的外表面包裹有沟道间隔层，沟道层的两端分别与源极层和漏极层连接，栅极调节通道层的两端均与栅极层连接。本发明能够形成多组控制线路，集成度高，只设置一个栅极可有效简化结构，设置有多个沟道层可显著增大导通电流。有多个沟道层可显著增大导通电流。有多个沟道层可显著增大导通电流。


技术研发人员：文志军
受保护的技术使用者：先之科半导体科技（东莞）有限公司
技术研发日：2021.06.16
技术公布日：2021/10/23