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一种碳化硅超级结MOSFET器件及其制备方法与流程
一种碳化硅超级结mosfet器件及其制备方法技术领域本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种碳化硅超级结mosfet器件及其制备方法。
标签:
碳化硅
器件
制备方法
半导体器件
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2023-04-04
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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终端
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晶体管
半导体
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2023-04-01
一种碳化硅超级结MOSFET器件及其制备方法与流程
一种碳化硅超级结mosfet器件及其制备方法技术领域本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种碳化硅超级结mosfet器件及其制备方法。
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碳化硅
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制备方法
半导体器件
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2023-03-27
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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晶体管
半导体
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2023-03-25
一种碳化硅超级结MOSFET器件及其制备方法与流程
一种碳化硅超级结mosfet器件及其制备方法技术领域本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种碳化硅超级结mosfet器件及其制备方法。
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碳化硅
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制备方法
半导体器件
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2023-03-18
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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终端
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半导体
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2023-03-15
一种碳化硅超级结MOSFET器件及其制备方法与流程
一种碳化硅超级结mosfet器件及其制备方法技术领域本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种碳化硅超级结mosfet器件及其制备方法。
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碳化硅
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制备方法
半导体器件
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2023-03-09
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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半导体
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2023-03-06
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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晶体管
半导体
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2023-03-01
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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晶体管
半导体
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2023-02-26
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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2023-02-20
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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2023-02-20
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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半导体
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2023-02-18
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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晶体管
半导体
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2023-02-15
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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晶体管
半导体
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2023-02-14
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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器件
晶体管
半导体
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2023-02-14
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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终端
器件
晶体管
半导体
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2023-02-13
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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终端
器件
晶体管
半导体
mosfet
2023-02-12
一种带有悬浮栅结终端的MOSFET器件的制作方法
一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件技术领域本实用新型涉及半导体晶体管技术领域,具体涉及一种带有悬浮栅结终端的mosfet器件。
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终端
器件
晶体管
半导体
mosfet
2023-02-11
一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法
一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅mosfet技术领域本实用新型涉及一种集成异质结二极管的平面栅碳化硅mosfet。
标签:
碳化硅
平面
异质
mosfet
结二极管
2023-01-05
一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET的制作方法
一种非对称沟槽型碳化硅mosfet技术领域本实用新型涉及一种非对称沟槽型碳化硅mosfet。
标签:
沟槽
碳化硅
非对称
mosfet
2023-01-05
一种Mosfet制造方法与流程
一种mosfet制造方法技术领域本发明涉及半导体技术领域,本发明涉及一种mosfet制造方法。
标签:
方法
半导体
mosfet
2022-12-31
超结MOSFET器件的制作方法
超结mosfet器件技术领域本发明涉及半导体器件领域,特别是涉及一种超结mosfet器件。
标签:
器件
特别是
半导体器件
mosfet
2022-12-23
一种碳化硅MOSFET开关过程分析方法
一种碳化硅mosfet开关过程分析方法技术领域本发明涉及碳化硅mosfet技术领域,具体涉及一种碳化硅mosfet开关过程分析方法。
标签:
碳化硅
过程
方法
mosfet
2022-12-20
一种抗浪涌SiCMOSFET器件及其制造方法与流程
一种抗浪涌sic mosfet器件及其制造方法技术领域本发明属于半导体器件技术领域,具体而言,涉及一种抗浪涌sic mosfet器件及其制造方法。
标签:
浪涌
器件
方法
半导体器件
mosfet
2022-12-19
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