一种导流压环的制作方法

1.本实用新型涉及刻蚀技术领域，尤其涉及一种导流压环。


背景技术：

2.随着刻蚀工艺的发展，对产能的需求越来越高，这就需要提高机台单次刻蚀晶片的数量，随着单盘刻蚀数量的增加，晶片在托盘上的位置越来越靠近边缘，因此压环本体离晶片的距离也越来越近，对被刻蚀晶片影响也越来越大，导致被刻蚀晶片靠近压环本体的一侧存在形貌较差的问题。


技术实现要素：

3.基于以上所述，本实用新型的目的在于提供一种导流压环，能够解决由于压环本体与晶片的距离较近而导致晶片靠近压环本体的一侧存在形貌较差的问题。
4.为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
5.一种导流压环，包括压环本体，所述压环本体的中心设有安装孔，所述压环本体上设有若干个沿周向分布的压爪，所述压环本体的下方设有叠设的托盘和盖板，所述托盘上设有晶片，所述压爪与所述盖板抵接以使所述盖板将所述晶片压在所述托盘上，相邻两个所述压爪之间设有与所述晶片对应的导流斜槽，所述导流斜槽沿所述压环本体的径向由内至外朝向远离所述盖板的方向延伸。
6.作为一种导流压环的优选方案，所述压环本体上设有正对所述导流斜槽的裙边，所述裙边沿所述压环本体的径向延伸且能够与所述盖板贴合。
7.作为一种导流压环的优选方案，所述导流斜槽与所述压环本体的横截面的夹角为30
°‑
45
°
。
8.作为一种导流压环的优选方案，所述盖板的边缘设有若干个配合槽，若干个所述配合槽与若干个所述压爪一一对应设置，所述压爪能够抵接在所述配合槽内。
9.作为一种导流压环的优选方案，若干个所述压爪沿所述压环本体的周向均匀分布。
10.作为一种导流压环的优选方案，所述盖板上设有若干个定位所述晶片的晶圆孔，若干个所述晶圆孔间隔分布。
11.作为一种导流压环的优选方案，所述盖板背离所述托盘的一侧设有轴向限位凸起，所述轴向限位凸起沿所述晶圆孔的周向分布，且所述轴向限位凸起沿所述晶圆孔的径向延伸以轴向限位所述晶片。
12.作为一种导流压环的优选方案，所述托盘和所述盖板中的一个上设有定位凸起，另一个上设有与所述定位凸起对应的定位槽，所述定位凸起能够伸入所述定位槽内。
13.作为一种导流压环的优选方案，所述压环本体的外周设有沿径向延伸的多个耳座。
14.本实用新型的有益效果为：本实用新型公开的导流压环增设的导流斜槽有利于刻
蚀晶片过程中产生的副产物的流动，防止副产物的堆积，降低了由于副产物堆积而对晶片的形貌的影响，使得刻蚀后的晶片形貌更好，增加了晶片的成品率。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本实用新型实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
16.图1是本实用新型具体实施例提供的导流压环的拆分图；
17.图2是本实用新型具体实施例提供的导流压环的剖视图；
18.图3是本实用新型具体实施例提供的导流压环的第一个局部剖视图；
19.图4是本实用新型具体实施例提供的导流压环的第二个局部剖视图。
20.图中：
21.1、压环本体；10、导流斜槽；11、压爪；12、裙边；
22.2、托盘；
23.3、盖板；301、配合槽；302、晶圆孔；31、轴向限位凸起；32、定位凸起；100、晶片。
具体实施方式
24.为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
25.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。
26.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
27.如图1至图4所示，本实施例提供一种用于刻蚀晶片100的导流压环，该导流压环包括压环本体1，压环本体1上设有八个沿周向分布的压爪11，八个压爪11沿压环本体1的周向均匀分布，压环本体1的下方设有叠设的托盘2和盖板3，托盘2上设有晶片100，压爪11与盖板3抵接以使盖板3将晶片100压在托盘2上，相邻两个压爪11之间设有与晶片100对应的导流斜槽10，即本实施例的导流斜槽10的个数为八个，导流斜槽10沿压环本体1的径向由内至
外朝向远离盖板3的方向延伸。
28.具体地，如图1所示，本实施例的导流斜槽10的个数为八个，导流斜槽10和压爪11依次设置在压环本体1上。当然，在本实用新型的其他实施中，压环本体1上压爪11和导流斜槽10的个数并不限于本实施例的八个，还可以为其他个数，压爪11的分布方式并不限于本实施例的均匀分布，还可以为非等间距分布，具体根据实际需要设置。
29.本实施例提供的导流压环增设的导流斜槽10有利于刻蚀晶片100过程中产生的副产物的流动，防止副产物的堆积，降低了由于副产物堆积而对晶片100的形貌产生的影响，使得刻蚀后的晶片100形貌更好，增加了晶片100的成品率。
30.如图1和图2所示，本实施例的压环本体1上设有正对导流斜槽10的裙边12，裙边12沿压环本体1的径向延伸且能够与盖板3贴合。由于本实施例的压环本体1的内径略微大于托盘2的外径和盖板3的外径，使得托盘2的外壁和盖板3的外壁均与压环本体1的内壁之间存在间隙，使用等离子体对晶片100进行刻蚀时，等离子体会进入间隙内，进而刻蚀位于托盘2下方的基座，对基座造成损坏，降低基座的使用寿命。本实施例在压环本体1正对导流斜槽10的位置增设了裙边12，裙边12的下表面与盖板3的贴合，阻碍了等离子体通过间隙达到基座上，有效地保护了托盘2下方的基座。
31.本实施例的导流斜槽10与压环本体1的横截面的夹角为40
°
，为了更好的排出刻蚀晶片100而产生的副产物，导流斜槽10与压环本体1的横截面的夹角还可以为位于30
°‑
45
°
之间的其他角度值，具体根据实际需要选定。当然，在本实用新型的其他实施中，导流斜槽10与压环本体1的横截面的夹角还可以为除30
°‑
45
°
之间的其他角度值，具体根据实际需要设置。
32.为了防止盖板3相对于压环本体1移动，如图3所示，本实施例的盖板3的边缘设有八个配合槽301，八个配合槽301与八个压爪11一一对应设置，压爪11能够抵接在配合槽301内。需要说明的是，图1的盖板3上未示出配合槽301。
33.如图1所示，本实施例的盖板3上设有九个定位晶片100的晶圆孔302，九个晶圆孔302间隔分布。其中一个晶圆孔302设置在盖板3的中心，另外八个晶圆孔302沿盖板3的周向均匀间隔分布，八个晶圆孔302分别与八个导流斜槽10一一对应设置。当然，在本实用新型的其他实施中，晶圆孔302的个数并不限于本实施例的九个，还可以为其他个数，具体根据实际需要设置。
34.为了防止沿压环本体1的轴向限位晶片100，如图4所示，盖板3背离托盘2的一侧设有轴向限位凸起31，轴向限位凸起31沿晶圆孔302的周向分布，且轴向限位凸起31沿晶圆孔302的径向延伸，以防止晶片100从晶圆孔302内脱落。
35.如图4所示，本实施例的盖板3的下端面上设有八个定位凸起32，托盘2上设有八个定位槽(图中未示出)，八个定位槽与八个定位凸起32一一对应设置，每个定位凸起32均能够伸入一个定位槽内，以使盖板3和托盘2之间的位置相对固定，防止两者沿压环本体1的径向移动。当然，在本实用新型的其他实施中，定位凸起32的个数并不限于本实施例的八个，还可以为其他个数，定位凸起32还可以设置在托盘2上，盖板3上设有与该定位凸起32对应的定位槽，具体根据实际需要设置。需要说明的是，图1的托盘2上未示出定位槽。
36.在其他实施例中，为了使压环本体1安装在机架上，在压环本体1的外周设有沿径向延伸的多个耳座，每个耳座上均设有连接孔，紧固件能够贯穿连接孔以使压环本体1固定
安装在机架上。
37.将本实施例的晶片100放置在导流压环上进行刻蚀时，具体操作步骤如下：
38.首先，将九个晶片100同时放置在托盘2上；
39.接着，将盖板3扣合在托盘2上，九个晶片100分别位于九个晶圆孔302内，盖板3上的八个定位凸起32分别伸入托盘2的八个定位槽内；
40.然后，将压环本体1压在盖板3上，压环本体1的八个压爪11分别伸入盖板3的八个配合槽301内，同时裙边12与盖板3的上端面贴合；
41.最后，对晶片100进行刻蚀。
42.注意，在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
43.上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。