一种高压MOS管的制作方法

技术特征：
1.一种高压mos管，包括下包胶(1)，其特征在于：所述下包胶(1)的内底壁上设置有基底(2)，所述基底(2)的上表面设置有散热片(3)，所述散热片(3)的上端固定安装有半导体硅衬底(4)，所述半导体硅衬底(4)上表面的左右两端分别设置有阱区一(5)和阱区二(6)，所述阱区一(5)的上端固定安装有源极(7)，所述阱区二(6)的上端固定安装有漏极(8)，所述半导体硅衬底(4)上表面的中间位置设置有阱区三(9)，所述阱区三(9)的上端固定安装有氧化绝缘层一(10)，所述氧化绝缘层一(10)的上端固定连接有栅极(11)，所述半导体硅衬底(4)上表面的左右两端均固定安装有氧化绝缘层二(12)，所述栅极(11)上端的后侧设置有凸块(13)，且其上方设置有接地片(14)，所述栅极(11)的上方设置有上包胶(16)，所述接地片(14)的窄端贯穿上包胶(16)的后侧壁延伸到其内部并与其固定连接，所述源极(7)、漏极(8)和栅极(11)的前端均设置有引脚(17)，所述下包胶(1)的后端固定安装有l型块(20)，所述上包胶(16)的后端固定安装有连接块(21)，所述连接块(21)与l型块(20)卡接，且其上开设有贯穿l型块(20)的安装孔(22)。2.根据权利要求1所述的一种高压mos管，其特征在于：所述接地片(14)下表面的窄端开设有凹槽(15)，所述凹槽(15)与凸块(13)卡接。3.根据权利要求1所述的一种高压mos管，其特征在于：所述下包胶(1)的前侧壁上设置有挡板(18)，所述上包胶(16)的前侧壁上设置有缺口(19)，所述引脚(17)贯穿缺口(19)延伸到上包胶(16)的外侧，且其上下两端分别与缺口(19)和挡板(18)贴合。4.根据权利要求1所述的一种高压mos管，其特征在于：所述下包胶(1)的下表面均匀设置有通气槽(24)，所述通气槽(24)的两端连通到下包胶(1)的侧面。5.根据权利要求1所述的一种高压mos管，其特征在于：所述上包胶(16)的侧壁内侧设置有卡槽(23)，与下包胶(1)侧壁的上端设置有与卡槽(23)相匹配的卡板。6.根据权利要求1所述的一种高压mos管，其特征在于：所述接地片(14)的宽端设置在上包胶(16)的外侧，且其上开设有接线孔(25)。

技术总结
本实用新型属于半导体电子元件技术领域，尤其为一种高压MOS管，包括下包胶，所述下包胶的内底壁上设置有基底，所述基底的上表面设置有散热片，所述散热片的上端固定安装有半导体硅衬底，所述半导体硅衬底上表面的左右两端分别设置有阱区一和阱区二，所述阱区一的上端固定安装有源极，所述阱区二的上端固定安装有漏极，所述半导体硅衬底上表面的中间位置设置有阱区三。本实用新型通过设置连接块和L型块卡接，使得上包胶和下包胶在胶合的同时其后端进行卡接，通过安装孔固定MOS管时也使上包胶和下包胶的连接更加稳定，避免MOS管受到撞击或震动时上包胶和下包胶直接脱离，使其内部的零部件脱落。部件脱落。部件脱落。


技术研发人员：何海洋 胡健峰 彭强 梁金
受保护的技术使用者：无锡市查奥微电子科技有限公司
技术研发日：2021.03.10
技术公布日：2021/10/23