一种高压MOS管的制作方法

一种高压mos管
技术领域
1.本实用新型涉及半导体电子元件技术领域，具体为一种高压mos管。


背景技术：

2.mos管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以fet管的gate电流非常小。最普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管，或金属氧化物半导体场效应管。因为mos管更小更省电，已经在很多应用场合取代了双极型晶体管，常见的mos管存在以下问题：
3.1、常见的mos管外部通过硅胶包覆以固定内部的半导体结构，当mos管受到震撞击或震动时，可能导致硅胶包覆外壳出现缺损或上下端硅胶外壳胶合失效，导致mos管内部结构松散，影响mos管的使用寿命。
4.2、常见的mos管其击穿电压较低，且在高电压下工作时容易被烧毁，在电压高于击穿电压时基底容易损坏。


技术实现要素：

5.(一)解决的技术问题
6.针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种高压mos管，解决了上述技术背景中提到的mos管易损坏和击穿电压低的问题。
7.(二)技术方案。
8.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高压mos管，包括下包胶，所述下包胶的内底壁上设置有基底，所述基底的上表面设置有散热片，所述散热片的上端固定安装有半导体硅衬底，所述半导体硅衬底上表面的左右两端分别设置有阱区一和阱区二，所述阱区一的上端固定安装有源极，所述阱区二的上端固定安装有漏极，所述半导体硅衬底上表面的中间位置设置有阱区三，所述阱区三的上端固定安装有氧化绝缘层一，所述氧化绝缘层一的上端固定连接有栅极，所述半导体硅衬底上表面的左右两端均固定安装有氧化绝缘层二，所述栅极上端的后侧设置有凸块，且其上方设置有接地片，所述栅极的上方设置有上包胶，所述接地片的窄端贯穿上包胶的后侧壁延伸到其内部并与其固定连接，所述源极、漏极和栅极的前端均设置有引脚，所述下包胶的后端固定安装有l型块，所述上包胶的后端固定安装有连接块，所述连接块与l型块卡接，且其上开设有贯穿l型块的安装孔。
9.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述接地片下表面的窄端开设有凹槽，所述凹槽与凸块卡接。
10.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述下包胶的前侧壁上设置有挡板，所述上包胶的前侧壁上设置有缺口，所述引脚贯穿缺口延伸到上包胶的外侧，且其上下两端分别与缺口和挡板贴合。
11.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述下包胶的下表面均匀设置有通气槽，
所述通气槽的两端连通到下包胶的侧面。
12.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述上包胶的侧壁内侧设置有卡槽，与下包胶侧壁的上端设置有与卡槽相匹配的卡板。
13.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述接地片的宽端设置在上包胶的外侧，且其上开设有接线孔。
14.(三)有益效果
15.与现有技术相比，本实用新型提供了一种高压mos管，具备以下有益效果：
16.1、该高压mos管，通过设置连接块和l型块卡接，使得上包胶和下包胶在胶合的同时其后端进行卡接，通过安装孔固定mos管时也使上包胶和下包胶的连接更加稳定，避免mos管受到撞击或震动时上包胶和下包胶直接脱离，使其内部的零部件脱落。
17.2、该高压mos管，通过设置在中间的阱区三作用于增加阱区一与阱区二之间的电阻，从而增加击穿电压，通过设置半导体硅衬底和基底之间的散热片，便于提升mos管的散热效果，以适应高电压下工作。
附图说明
18.图1为本实用新型外观示意图；
19.图2为本实用新型内部结构示意图；
20.图3为本实用新型上包胶和接地片结构示意图；
21.图4为本实用新型下视结构示意图。
22.图中：1、下包胶；2、基底；3、散热片；4、半导体硅衬底；5、阱区一；6、阱区二；7、源极；8、漏极；9、阱区三；10、氧化绝缘层一；11、栅极；12、氧化绝缘层二；13、凸块；14、接地片；15、凹槽；16、上包胶；17、引脚；18、挡板；19、缺口；20、l型块；21、连接块；22、安装孔；23、卡槽；24、通气槽；25、接线孔。
具体实施方式
23.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
24.实施例
25.请参阅图1
‑
4，本实用新型提供以下技术方案：一种高压mos管，包括下包胶1，下包胶1的内底壁上设置有基底2，基底2的上表面设置有散热片3，散热片3的上端固定安装有半导体硅衬底4，半导体硅衬底4上表面的左右两端分别设置有阱区一5和阱区二6，阱区一5的上端固定安装有源极7，阱区二6的上端固定安装有漏极8，半导体硅衬底4上表面的中间位置设置有阱区三9，阱区三9的上端固定安装有氧化绝缘层一10，氧化绝缘层一10的上端固定连接有栅极11，半导体硅衬底4上表面的左右两端均固定安装有氧化绝缘层二12，栅极11上端的后侧设置有凸块13，且其上方设置有接地片14，栅极11的上方设置有上包胶16，接地片14的窄端贯穿上包胶16的后侧壁延伸到其内部并与其固定连接，源极7、漏极8和栅极11的前端均设置有引脚17，下包胶1的后端固定安装有l型块20，上包胶16的后端固定安装有
连接块21，连接块21与l型块20卡接，且其上开设有贯穿l型块20的安装孔22。
26.本实施方案中，通过设置连接块21和l型块20卡接，使得上包胶16和下包胶1在胶合的同时其后端进行卡接，通过安装孔22固定mos管时也使上包胶16和下包胶1的连接更加稳定，避免mos管受到震撞击或震动时上包胶16和下包胶1直接脱离，使其内部的零部件脱落，通过设置在中间的阱区三9作用于增加阱区一5与阱区二6之间的电阻，从而增加击穿电压，通过设置半导体硅衬底4和基底2之间的散热片3，便于提升mos管的散热效果，以适应高电压下的发热情况。
27.具体的，接地片14下表面的窄端开设有凹槽15，凹槽15与凸块13卡接。
28.本实施例中，通过凹槽15和凸块13的设置，使得接地片14连接的更加稳定。
29.具体的，下包胶1的前侧壁上设置有挡板18，上包胶16的前侧壁上设置有缺口19，引脚17贯穿缺口19延伸到上包胶16的外侧，且其上下两端分别与缺口19和挡板18贴合。
30.本实施例中，通过挡板18和缺口19的设置，固定引脚17的位置。
31.具体的，下包胶1的下表面均匀设置有通气槽24，通气槽24的两端连通到下包胶1的侧面。
32.本实施例中，通过通气槽24的设置，增加下包胶1下表面的散热空间，便于提高mos管的散热性能。
33.具体的，上包胶16的侧壁内侧设置有卡槽23，与下包胶1侧壁的上端设置有与卡槽23相匹配的卡板。
34.本实施例中，通过卡槽23和卡板的设置，便于固定上包胶16和下包胶1，也便于对其进行胶合。
35.具体的，接地片14的宽端设置在上包胶16的外侧，且其上开设有接线孔25。
36.本实施例中，通过接地片14的设置，便于消除静电同时也能提高散热性能。
37.本实用新型的工作原理及使用流程：通过设置在中间的阱区三9作用于增加阱区一5与阱区二6之间的电阻，从而增加击穿电压，通过设置半导体硅衬底4和基底2之间的散热片3，便于提升mos管工作时的散热效果，以适应高电压下的发热情况，通过设置连接块21和l型块20卡接，使上包胶16和下包胶1的连接更加稳定，避免mos管受到震撞击或震动时上包胶16和下包胶1直接脱离，使其内部的零部件脱落，通过通气槽24的设置，增加下包胶1下表面的散热空间，便于提高mos管的散热性能。
38.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。