半导体工艺设备及薄膜沉积方法与流程

1.本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备及薄膜沉积方法。


背景技术：

2.在物理气相沉积(physical vapor deposition，简称pvd)工艺中，随着工艺腔室内的等离子体不断轰击靶材，靶原子不断沉积在晶圆(wafer)上，会导致晶圆的温度迅速上升，这就需要承载晶圆的静电卡盘(electrostatic chuck，简称esc)能够及时的将晶圆(wafer)的热量传导出去，以保证晶圆的温度能够维持在工艺温度范围内，从而保证工艺结果的稳定性。而晶圆的温度上升也会导致静电卡盘的温度上升，因此如何保证静电卡盘的温度稳定就显得十分重要。
3.现有技术中，通常是在完成一个或多个晶圆的物理气相沉积工艺后，进行冷却工艺，即，停止沉积工艺，使静电卡盘静置冷却，或从工艺腔室的进气口向工艺腔室内通入室温的工艺气体，对静电卡盘进行冷却。但是，此种冷却方式通常需要大于500秒的冷却时间才能使静电卡盘的温度恢复到正常温度，冷却效率低，对半导体设备的产能造成极大的影响。


技术实现要素：

4.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备及薄膜沉积方法，其能够减少承载部件降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
5.为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、承载部件和冷却部件，其中，
6.所述承载部件可移动地设置在所述工艺腔室中，用于承载晶圆；
7.所述冷却部件设置在所述工艺腔室中，并位于所述承载部件的下方，用于在所述承载部件移动至靠近所述冷却部件时，对所述承载部件进行冷却。
8.可选的，所述冷却部件包括：
9.冷却主体，设置在所述工艺腔室中，并位于所述承载部件的下方，所述冷却主体中开设有液体冷却通道和气体冷却通道；
10.支撑件，分别与所述工艺腔室和所述冷却主体连接，用于支撑所述冷却主体；
11.进液管，用于向所述液体冷却通道中引入冷却液体；
12.出液管，用于从所述液体冷却通道中导出所述冷却液体；
13.进气管，用于向所述气体冷却通道中引入冷却气体；
14.所述气体冷却通道的侧壁上开设有多个出气孔，所述出气孔的出气口设置在所述冷却主体的顶面上。
15.可选的，所述冷却主体包括环状冷却板和设置在所述冷却板边缘处的环状凸起，
所述环状冷却板套设在所述承载部件的驱动轴上，所述环状冷却板和所述环状凸起配合形成一容纳槽，用于容纳至少部分所述承载部件，所述环状冷却板和所述环状凸起的顶面上均设置有所述出气孔的出气口；
16.所述支撑件包括多个支撑柱，多个所述支撑柱沿所述环状冷却板的周向均匀分布，一端与所述环状冷却板的底壁连接，另一端与所述工艺腔室的底壁连接。
17.可选的，所述环状凸起的径向尺寸大于所述承载部件的径向尺寸，在所述承载部件容纳于所述容纳槽中时，所述环状凸起的内侧壁与所述承载部件的外侧壁之间具有间隙。
18.可选的，所述液体冷却通道和所述气体冷却通道均设置在所述环状冷却板中，且均包括多个同心的环形通道，所述液体冷却通道的环形通道和所述气体冷却通道的环形通道交替排布。
19.可选的，所述气体冷却通道包括位于同一平面上的第一环形通道、第二环形通道、第三环形通道、第一连接通道及第二连接通道，所述第一环形通道、所述第二环形通道、所述第三环形通道沿由所述环状冷却板中心向边缘的方向依次排布，所述第二环形通道具有一缺口，所述第一连接通道通过所述缺口连通所述第一环形通道和所述第三环形通道，所述第二连接通道连通所述第二环形通道和所述第三环形通道，所述气体冷却通道的进气口开设在所述第二连接通道上，开设在所述第一环形通道和所述第二环形通道侧壁上的所述出气孔的出气口位于所述环状冷却板的顶面上，开设在所述第三环形通道侧壁上的所述出气孔的出气口位于所述环状凸起的顶面上。
20.可选的，所述液体冷却通道与所述气体冷却通道位于同一平面上，包括第四环形通道、第五环形通道、第三连接通道及第四连接通道，所述第四环形通道位于所述第一环形通道和所述第二环形通道之间，所述第五环形通道位于所述第二环形通道和所述第三环形通道之间，所述第四环形通道具有一缺口，以供所述第一连接通道通过，所述第五环形通道包括第一通道段及第二通道段，所述第一通道段的一端开设有所述液体冷却通道的进液口，另一端通过所述第三连接通道与所述第四环形通道的进液端连通，所述第二通道段的一端开设有所述液体冷却通道的出液口，另一端通过所述第四连接通道与所述第四环形通道的出液端连通。
21.可选的，所述第一环形通道、所述第二环形通道、所述第三环形通道、所述第四环形通道及所述第五环形通道均呈圆环状，所述第一通道段及所述第二通道段呈圆弧状。
22.本发明还提供一种薄膜沉积方法，应用于如本发明提供的所述半导体工艺设备，包括：
23.在对预设数量的晶圆执行了薄膜沉积工艺后，将用于承载晶圆的承载部件移动至靠近位于所述承载部件下方的冷却部件；
24.由所述冷却部件对所述承载部件进行冷却。
25.可选的，所述将用于承载晶圆的承载部件移动至靠近位于所述承载部件下方的冷却部件，包括：
26.将所述承载部件移动至所述冷却部件上的容纳槽中；
27.所述由所述冷却部件对所述承载部件进行冷却，包括：
28.向所述冷却部件中的液体冷却通道通入冷却液体；
29.向所述冷却部件中的气体冷却通道通入冷却气体，通过开设在所述气体冷却通道侧壁上的多个出气孔将所述冷却气体通向所述承载部件的底面、侧面、和/或顶面。
30.本发明具有以下有益效果：
31.本发明提供的半导体工艺设备，通过在工艺腔室中，承载部件的下方设置冷却部件，可以在需要对承载部件进行冷却时，通过将承载部件移动至靠近冷却部件，以借助冷却部件对承载部件进行冷却，这与现有技术中承载部件静置冷却，或者通过向工艺腔室中通入室温的工艺气体，对承载部件进行冷却的方式相比，能够减少承载部件降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
32.本发明提供的薄膜沉积方法，借助本发明提供的半导体工艺设备，可以在对预设数量的晶圆执行了薄膜沉积工艺后，将用于承载晶圆的承载部件移动至靠近位于承载部件下方的冷却部件，以由冷却部件对承载部件进行冷却，这与现有技术中承载部件静置冷却，或者通过向工艺腔室中通入室温的工艺气体，对承载部件进行冷却的方式相比，能够减少承载部件降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
附图说明
33.图1为本发明实施例提供的半导体工艺设备的结构示意图；
34.图2为本发明实施例提供的半导体工艺设备中冷却部件的结构示意图；
35.图3为本发明实施例提供的半导体工艺设备中冷却部件的出气孔的结构示意图；
36.图4为本发明实施例提供的半导体工艺设备中冷却部件的液体冷却通道和气体冷却通道的透视示意图；
37.图5为本发明实施例提供的薄膜沉积方法的一种流程图；
38.图6为本发明实施例提供的薄膜沉积方法的另一种流程图；
39.附图标记说明：
[0040]1‑
冷却部件；11
‑
冷却主体；111
‑
环状冷却板；112
‑
环状凸起；12
‑
进液管；13
‑
出液管；14
‑
进气管；15
‑
支撑件；16
‑
出气孔；171
‑
第四环形通道；172
‑
第五环形通道；1721
‑
第一通道段；1722
‑
第二通道段；173
‑
第三连接通道；174
‑
第四连接通道；181
‑
第一环形通道；182
‑
第二环形通道；183
‑
第三环形通道；184
‑
第一连接通道；185
‑
第二连接通道；2
‑
工艺腔室；3
‑
承载部件；4
‑
驱动轴；5
‑
靶材；6
‑
旋转磁控装置；7
‑
内衬；8
‑
盖环；9
‑
晶圆。
具体实施方式
[0041]
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体工艺设备及薄膜沉积方法进行详细描述。
[0042]
如图1和图2所示，本实施例提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室2、承载部件3和冷却部件1，其中，承载部件3可移动地设置在工艺腔室2中，用于承载晶圆9；冷却部件1设置在工艺腔室2中，并位于承载部件3的下方，用于在承载部件3移动至靠近冷却部件1时，对承载部件3进行冷却。
[0043]
本发明实施例提供的半导体工艺设备，通过在工艺腔室2中，承载部件3的下方设置冷却部件1，可以在需要对承载部件3进行冷却时，通过将承载部件3移动至靠近冷却部件1，以借助冷却部件1对承载部件3进行冷却，这与现有技术中承载部件3静置冷却，或者通过
向工艺腔室2中通入室温的工艺气体，对承载部件3进行冷却的方式相比，能够减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
[0044]
如图1所示，承载部件3可移动地设置在工艺腔室2中，冷却部件1设置在工艺腔室2中，并位于承载部件3的下方。在半导体工艺中，承载部件3承载晶圆9进行半导体工艺，当晶圆9的温度或者承载部件3的温度上升至大于半导体工艺要求的温度时，则需要对承载部件3进行冷却，以降低承载部件3温度，使承载部件3的温度下降至满足半导体工艺要求的温度，此时，可以停止半导体工艺，进行冷却工艺。在进行冷却工艺时，可以通过使承载部件3下降，将承载部件3移动至靠近冷却部件1，以借助冷却部件1对承载部件3进行冷却，当承载部件3的温度满足半导体工艺要求的温度后，则可以停止冷却工艺，再次进行半导体工艺，此时，可以通过使承载部件3上升，将承载部件3移动至远离冷却部件1，或者停止冷却部件1对承载部件3的冷却，避免在半导体工艺中，冷却部件1持续对承载部件3进行冷却，导致承载部件3或者晶圆9的温度小于半导体工艺要求的温度。由于借助本发明实施例提供的半导体工艺设备可以在每次进行冷却工艺时，减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，从而能够提高冷却效率，提高整个半导体工艺设备的产能。
[0045]
如图1所示，在工艺腔室2的顶部可以还设置有靶材5和旋转磁控装置6，其中，旋转磁控装置6可旋转的设置在靶材5的上方，其在物理气相沉积工艺中，用于产生磁场，吸引工艺腔室2内的等离子体对靶材5进行轰击，使靶材5产生靶材原子，并且，由于旋转磁控装置6可旋转，可以改变磁场的位置，从而可以使等离子体对靶材5进行均匀的轰击。
[0046]
如图1所示，工艺腔室2内可以还设置有内衬7和盖环8(cover ring)，其中，内衬7用于对工艺腔室2的内壁进行遮挡，避免等离子体对工艺腔室2的内壁进行轰击，造成工艺腔室2的内壁的损坏，盖环8搭接在内衬7上，用于在半导体工艺中，对承载部件3的边缘进行遮挡，避免等离子体对承载部件3的边缘进行轰击，造成承载部件3的边缘的损坏。
[0047]
可选的，承载部件3可以包括静电卡盘。
[0048]
如图1和图2所示，在本发明一优选实施例中，冷却部件1可以包括冷却主体11、支撑件15、进液管12、出液管13和进气管14，其中，冷却主体11设置在工艺腔室2中，并位于承载部件3的下方，冷却主体11中开设有液体冷却通道和气体冷却通道；支撑件15分别与工艺腔室2和冷却主体11连接，用于支撑冷却主体11；进液管12用于向液体冷却通道中引入冷却液体；出液管13用于从液体冷却通道中导出冷却液体；进气管14用于向气体冷却通道中引入冷却气体；气体冷却通道的侧壁上开设有多个出气孔16，出气孔16的出气口设置在冷却主体11的顶面上。
[0049]
冷却主体11设置在工艺腔室2中，并位于承载部件3的下方，冷却主体11中开设有液体冷却通道和气体冷却通道，支撑件15分别与工艺腔室2和冷却主体11连接，用于支撑冷却主体11。进液管12与液体冷却通道连通，用于向液体冷却通道中引入冷却液体，出液管13与液体冷却通道连通，用于从液体冷却通道中导出冷却液体，即，冷却液体经进液管12被引入至液体冷却通道中，在流经液体冷却通道后，经出液管13从液体冷却通道中导出，这样可以使新的冷却液体能够不断的进入液体冷却通道中，以能够持续不断的对承载部件3进行冷却，并保持稳定的冷却效果。进气管14与气体冷却通道连通，用于向气体冷却通道中引入冷却气体，气体冷却通道的侧壁上开设有多个出气孔16，且出气孔16的出气口设置在冷却主体11的顶面上，经进气管14被引入至气体冷却通道中的冷却气体，在流经气体冷却通道
的过程中，会流入至开设在气体冷却通道侧壁上的多个出气孔16中，并通过设置在冷却主体11顶面上的出气孔16的出气口从出气孔16中流出，以能够流向位于冷却主体11上方的承载部件3。
[0050]
在需要对承载部件3进行冷却时，可以通过进液管12向液体冷却通道中引入冷却液体，并可以通过进气管14向气体冷却通道中引入冷却气体，且将承载部件3移动至靠近冷却主体11，以借助冷却液体和冷却气体共同对承载部件3进行冷却。这样一方面可以借助流经液体冷却通道的冷却液体对冷却主体11进行冷却，使冷却主体11与承载部件3之间能够在半导体工艺的真空环境中产生热辐射，对承载部件3进行冷却，另一方面还可以借助流经气体冷却通道通过多个出气孔16流出的冷却气体与承载部件3之间的热对流，对承载部件3进行冷却，再一方面还可以借助冷却气体使冷却主体11与承载部件3之间不再处于真空环境，使冷却主体11与承载部件3之间产生热传导，对承载部件3进行冷却。并且，冷却液体的比热容大于冷却气体的比热容，因此，借助冷却液体和冷却气体共同对承载部件3进行冷却，能够进一步减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，从而进一步提高冷却效率，提升产能。
[0051]
可选的，出气孔16的出气口的直径可以为2mm。
[0052]
可选的，冷却气体的种类可以与工艺气体的种类相同。这样可以避免冷却气体对工艺腔室2内的环境以及晶圆9造成污染，从而提高半导体工艺效果。
[0053]
可选的，冷却气体可以包括氩气(ar)。
[0054]
如图1
‑
图3所示，冷却主体11可以包括环状冷却板111和设置在冷却板边缘处的环状凸起112，环状冷却板111套设在承载部件3的驱动轴4上，环状冷却板111和环状凸起112配合形成一容纳槽，用于容纳至少部分承载部件3，环状冷却板111和环状凸起112的顶面上均设置有出气孔16的出气口；支撑件15包括多个支撑柱，多个支撑柱沿环状冷却板111的周向均匀分布，一端与环状冷却板111的底壁连接，另一端与工艺腔室2的底壁连接。
[0055]
驱动轴4用于驱动承载部件3移动，以驱动承载部件3移动至靠近冷却部件1，或者远离冷却部件1，或者移动至半导体工艺位置，可选的，驱动轴4可以驱动承载部件3升降，以通过驱动承载部件3下降，将承载部件3移动至靠近冷却部件1，或者通驱动承载部件3上升，将承载部件3移动至远离冷却部件1，或者通驱动承载部件3上升，将承载部件3移动至半导体工艺位置。环状冷却板111呈环状，并环绕在驱动轴4的周围。多个支撑柱沿环状冷却板111的周向均匀分布，各支撑柱的一端与环状冷却板111的底壁连接，另一端与工艺腔室2的底壁连接，以通过支撑环状冷却板111，对环状冷却板111和设置在冷却板边缘处的环状凸起112进行支撑，即，对冷却主体11进行支撑。环状冷却板111和环状凸起112配合形成一容纳槽，用于容纳至少部分承载部件3，例如，容纳槽的深度可以小于承载部件3的厚度，以将至少一定厚度的承载部件3容纳于其中，但是，容纳槽的深度也可以大于或等于承载部件3的厚度，以将承载部件3全部容纳于其中。
[0056]
通过在环状冷却板111和环状凸起112的顶面上均设置有出气孔16的出气口，可以使流经气体冷却通道的冷却气体，在通过设置在环状冷却板111顶面上的出气孔16的出气口流出后，能够流向承载部件3的底面，从而借助冷却气体与承载部件3的底面之间的热对流，对承载部件3的底部进行冷却，并可以使流经气体冷却通道的冷却气体，在通过设置在环状凸起112顶面上的出气孔16的出气口流出后，能够流向承载部件3的顶面，从而借助冷
却气体与承载部件3的顶面之间的热对流，对承载部件3的顶部进行冷却，从而借助设置在环状冷却板111和环状凸起112的顶面上的出气孔16的出气口，可以使流经气体冷却通道的冷却气体同时流向承载部件3的底面的顶面，继而能够从承载部件3的底部和顶部同时对承载部件3进行冷却，进而能够进一步减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，进一步提高冷却效率，提升产能。
[0057]
可选的，环状凸起112的高可以为25mm，宽可以为5mm。
[0058]
如图1所示，在本发明一优选实施例中，环状凸起112的径向尺寸可以大于承载部件3的径向尺寸，在承载部件3容纳于容纳槽中时，环状凸起112的内侧壁与承载部件3的外侧壁之间具有间隙。这样可以避免驱动轴4在驱动承载部件3升降的过程中，造成承载部件3与环状凸起112之间发生摩擦，从而避免环状凸起112与承载部件3的摩擦产生颗粒污染物，对工艺腔室2内的晶圆9造成染物，从而提高半导体工艺效果。
[0059]
如图2和图4所示，液体冷却通道和气体冷却通道可以均设置在环状冷却板111中，且可以均包括多个同心的环形通道，液体冷却通道的环形通道和气体冷却通道的环形通道可以交替排布。
[0060]
这样的设计一方面可以提高液体冷却通道和气体冷却通道在环状冷却板111中的面积，并可以提高液体冷却通道和气体冷却通道在环状冷却板111中分布的均匀性，以提高冷却液体和冷却气体流经环状冷却板111的面积，并提高冷却液体和冷却气体流经环状冷却板111的均匀性，从而提高环状冷却板111与承载部件3之间的热辐射和热传导的效果及均匀性，并提高冷却气体与承载部件3之间的热对流的效果及均匀性，继而进一步减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，并提高冷却效果，进而进一步提高冷却效率，提升产能。
[0061]
另一方面可以使由于冷却液体对环状冷却板111进行冷却，产生的环状冷却板111与承载部件3之间的热辐射和热传导，与冷却气体与承载部件3之间的热对流，能够自承载部件3的中心向边缘交替的对承载部件3进行冷却，从而可以避免由于冷却液体的比热容大于冷却气体的比热容，导致承载部件3与冷却液体对应的部分的温度低于承载部件3与冷却气体对应的部分的温度的情况发生，继而提高对承载部件3冷却的均匀性，进而提高冷却效果。
[0062]
如图4所示，在本发明一优选实施例中，气体冷却通道可以包括位于同一平面上的第一环形通道181、第二环形通道182、第三环形通道183、第一连接通道184及第二连接通道185，第一环形通道181、第二环形通道182、第三环形通道183沿由环状冷却板111中心向边缘的方向依次排布，第二环形通道182具有一缺口，第一连接通道184通过缺口连通第一环形通道181和第三环形通道183，第二连接通道185连通第二环形通道182和第三环形通道183，气体冷却通道的进气口开设在第二连接通道185上，开设在第一环形通道181和第二环形通道182侧壁上的出气孔16的出气口位于环状冷却板111的顶面上，开设在第三环形通道183侧壁上的出气孔16的出气口位于环状凸起112的顶面上。
[0063]
在冷却气体自进气管14被引入至气体冷却通道中，并在流经气体冷却通道，从出气孔16中流出的过程中，冷却气体会经过开设在第二连接通道185上的进气口进入第二连接通道185中，由于第二连接通道185连通第二环形通道182和第三环形通道183，因此，进入第二连接通道185中的冷却气体会经过第二连接通道185扩散至第二环形通道182和第三环
形通道183中，由于第一连接通道184通过缺口连通第一环形通道181和第三环形通道183，因此，进入第三环形通道183中的会经过第一连接通道184扩散至第一环形通道181中，并且，冷却气体在流经第一环形通道181、第二环形通道182和第三环形通道183的过程中，会分别流入至开设在第一环形通道181、第二环形通道182和第三环形通道183侧壁上的多个出气孔16中，并分别从位于环状冷却板111的顶面上的开设在第一环形通道181和第二环形通道182侧壁上的出气孔16的出气口，以及位于环状凸起112的顶面上的开设在第三环形通道183侧壁上的出气孔16的出气口流出，以能够分别流向承载部件3的底面和顶面。
[0064]
如图4所示，在本发明一优选实施例中，第一连接通道184的侧壁上也可以开设有出气孔16，且出气孔16的出气口可以位于环状冷却板111的顶面上。这样可以使冷却液体在流经第一连接通道184的过程中，能够流入至开设在第一连接通道184侧壁上的多个出气孔16中，并从位于环状冷却板111的顶面上的开设在第一连接通道184侧壁上的出气孔16的出气口流出，以能够流向承载部件3的底面。通过在第一连接通道184的侧壁上也开设出气孔16，且使出气孔16的出气口位于环状冷却板111的顶面上，可以增加流向承载部件3的底面的冷却气体的量，从而提高对承载部件3的冷却效果。
[0065]
如图4所示，液体冷却通道可以与气体冷却通道位于同一平面上，可以包括第四环形通道171、第五环形通道172、第三连接通道173及第四连接通道174，第四环形通道171位于第一环形通道181和第二环形通道182之间，第五环形通道172位于第二环形通道182和第三环形通道183之间，第四环形通道171具有一缺口，以供第一连接通道184通过，第五环形通道172包括第一通道段1721及第二通道段1722，第一通道段1721的一端开设有液体冷却通道的进液口，另一端通过第三连接通道173与第四环形通道171的进液端连通，第二通道段1722的一端开设有液体冷却通道的出液口，另一端通过第四连接通道174与第四环形通道171的出液端连通。
[0066]
在冷却液体自进液管12被引入至液体冷却通道中，并在流经液体冷却通道，从出液管13导出的过程中，冷却液体会经过开设在第一通道段1721的一端的进液口进入第一通道段1721中，由于第一通道段1721的另一端通过第三连接通道173与第四环形通道171的进液端连通，因此，冷却液体在流经第一通道段1721后会经过第三连接通道173，从第四环形通道171的进液端进入第四环形通道171中，由于第四环形通道171的出液端通过第四连接通道174与第二通道段1722的另一端连通，因此，冷却液体在流经第四环形通道171后，会从第四环形通道171的出液端进入第二通道段1722中，并在经过第二通道段1722后，从开设在第二通道段1722的一端的出液口进入出液管13中，以从出液管13导出。
[0067]
如图4所示，在本发明一优选实施例中，第一环形通道181、第二环形通道182、第三环形通道183、第四环形通道171及第五环形通道172可以均呈圆环状，第一通道段1721及第二通道段1722可以呈圆弧状。
[0068]
如图5所示，作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种薄膜沉积方法，应用于如本发明实施例提供的半导体工艺设备，包括：
[0069]
s1，在对预设数量的晶圆9执行了薄膜沉积工艺后，将用于承载晶圆9的承载部件3移动至靠近位于承载部件3下方的冷却部件1；
[0070]
s2，由冷却部件1对承载部件3进行冷却。
[0071]
本发明实施例提供的薄膜沉积方法，借助本发明实施例提供的半导体工艺设备，
可以在对预设数量的晶圆9执行了薄膜沉积工艺后，将用于承载晶圆9的承载部件3移动至靠近位于承载部件3下方的冷却部件1，以由冷却部件1对承载部件3进行冷却，这与现有技术中承载部件3静置冷却，或者通过向工艺腔室2中通入室温的工艺气体，对承载部件3进行冷却的方式相比，能够减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
[0072]
晶圆9的预设数量可以是一个也可以是多个。
[0073]
如图6所示，在本发明一优选实施例中，s1，在对预设数量的晶圆9执行了薄膜沉积工艺后，将用于承载晶圆9的承载部件3移动至靠近位于承载部件3下方的冷却部件1，可以包括：
[0074]
s11，将承载部件3移动至冷却部件1上的容纳槽中；
[0075]
s2，由冷却部件1对承载部件3进行冷却，可以包括：
[0076]
s21，向冷却部件1中的液体冷却通道通入冷却液体；
[0077]
s22，向冷却部件1中的气体冷却通道通入冷却气体，通过开设在气体冷却通道侧壁上的多个出气孔16将冷却气体通向承载部件3的底面、侧面、和/或顶面。
[0078]
向冷却部件1中的液体冷却通道通入冷却液体，并向冷却部件1中的气体冷却通道通入冷却气体，通过开设在气体冷却通道侧壁上的多个出气孔16将冷却气体通向承载部件3的底面、侧面、和/或顶面，以借助冷却液体和冷却气体共同对承载部件3进行冷却。这样一方面可以借助流经液体冷却通道的冷却液体对冷却主体11进行冷却，使冷却主体11与承载部件3之间能够在半导体工艺的真空环境中产生热辐射，对承载部件3进行冷却，另一方面还可以借助流经气体冷却通道通过多个出气孔16流出的冷却气体与承载部件3之间的热对流，对承载部件3进行冷却，再一方面还可以借助冷却气体使冷却主体11与承载部件3之间不再处于真空环境，使冷却液体对冷却主体11的冷却，还可以使冷却主体11与承载部件3之间产生热传导，对承载部件3进行冷却，并且，冷却液体的比热容大于冷却气体的比热容，因此，借助冷却液体和冷却气体共同对承载部件3进行冷却，能够进一步减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，从而进一步提高冷却效率，提升产能。
[0079]
并且，通过开设在气体冷却通道侧壁上的多个出气孔16将冷却气体通向承载部件3的底面、侧面、和/或顶面，可以从承载部件3的底部、侧部和/或顶部同时对承载部件3进行冷却，从而能够进一步减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，进一步提高冷却效率，提升产能。
[0080]
综上所述，本发明实施例提供的半导体工艺设备及薄膜沉积方法，能够减少承载部件3降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
[0081]
可以解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。