双电晶体的封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种双电晶体的封装结构，其特征在于，包括有：一基板，其定义具有一正面及一背面；一设于该基板内部的第一导电部，其一端延伸至该正面形成有一第一接点，且另一端延伸至该背面形成有一汲极输出接点；一设于该基板内部的第二导电部，其一端延伸至该正面形成有一第二接点，另一端延伸至该正面形成有一第三接点，又一端延伸至该背面形成有一源极输出接点；一设于该基板内部的第三导电部，其一端延伸至该正面形成有一第四接点，且另一端延伸至该背面形成有一闸极输出接点；一设于该基板正面的第四导电部；一设于该基板正面的第一电晶体，其面对该正面的一侧具有一第一汲极、一第一闸极及一第一源极，其中该第一汲极连接该第一接点，该第一闸极连接该第二接点，该第一源极连接该第四导电部；一设于该基板正面的第二电晶体，其面对该正面的一侧具有一第二闸极及一第二源极，背对该正面的一侧具有一第二汲极，其中该第二源极连接该第三接点，该第二闸极连接该第四接点，该第二汲极连接该第四导电部。2.根据权利要求1所述的双电晶体的封装结构，其特征在于，该第一汲极与该第一接点之间、该第一闸极与该第二接点之间、该第一源极与该第四导电部之间、该第二源极与该第三接点之间、该第二闸极与该第四接点之间分别以可导电的固晶胶固定连接。3.根据权利要求1所述的双电晶体的封装结构，其特征在于，该第一电晶体及该第二电晶体分别以一封装胶密封。4.根据权利要求1所述的双电晶体的封装结构，其特征在于，该源极输出接点与该汲极输出接点的距离大于1mm。5.根据权利要求1所述的双电晶体的封装结构，其特征在于，该闸极输出接点与该汲极输出接点的距离大于1mm。6.根据权利要求1所述的双电晶体的封装结构，其特征在于，该第一电晶体为氮化镓高电子迁移率电晶体，该第二电晶体为金属氧化物半导体场效电晶体。7.根据权利要求6所述的双电晶体的封装结构，其特征在于，该氮化镓高电子迁移率电晶体包括有依序相叠的一第一氮化镓窄禁带层、一氮化铝镓宽禁带层、一第二氮化镓窄禁带层、一缓冲层、一基层及一背镀金属层。

技术总结
本实用新型提供一种双电晶体的封装结构，包括有一基板，其内部设有第一、第二、第三及第四导电部，其中第一导电部延伸至基板正面形成有一第一接点，且延伸至基板背面形成有一汲极输出接点；第二导电部延伸至基板正面形成有一第二接点，且延伸至基板正面形成有一第三接点，以及延伸至基板背面形成有一源极输出接点；第三导电部延伸至基板正面形成有一第四接点，且延伸至基板背面形成有一闸极输出接点。一第一电晶体以其汲极连接第一接点，闸极连接第二接点，源极连接第四导电部。一第二电晶体以其源极连接第三接点，闸极连接第四接点，汲极连接第四导电部。极连接第四导电部。极连接第四导电部。


技术研发人员：颜宗贤 王兴烨 沈峰睿 吴家荣
受保护的技术使用者：鸿镓科技股份有限公司
技术研发日：2021.01.28
技术公布日：2021/10/23