技术特征：
1.一种集成芯片，包括：一对第一金属线，位于一基板上；一第一层间介电层，横向位于该对第一金属线之间，该第一层间介电层包括一第一介电材料；以及一对间隔物，位于该第一层间介电层的两侧，且通过一对空腔与该第一层间介电层横向分隔，其中该对间隔物包括一第二介电材料，且其中该对空腔是由该第一层间介电层的相对侧壁以及面向该第一层间介电层的该对间隔物的多个侧壁所定义。
技术总结
本发明实施例涉及一种集成芯片，包括位于基板上的一对第一金属线。第一层间介电(interlayer dielectric，ILD)层横向位于该对第一金属线之间。第一ILD层包括第一介电材料。一对间隔物位于第一ILD层的两侧，且通过一对空腔(cavities)与第一ILD层横向分隔。该对间隔物包括第二介电材料。此外，该对空腔是由第一ILD层的相对侧壁以及面向第一ILD层的该对间隔物的多个侧壁所定义。间隔物的多个侧壁所定义。间隔物的多个侧壁所定义。
技术研发人员：廖韦豪 田希文 吕志伟 戴羽腾 李忠儒
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.06.11
技术公布日：2021/10/23
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
