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一种显示面板及其制备方法、显示装置与流程

2021-10-24 05:15:00 来源:中国专利 TAG:显示 制备方法 装置 面板

技术特征:
1.一种显示面板,其特征在于,包括基板、覆盖在所述基板上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的走线层、覆盖所述走线层的第二绝缘层,以及设置在所述第二绝缘层上的阳极层,所述基板包括衬底,所述显示面板包括用于设置发光器件的像素开口区域;其中,所述走线层包括第一走线部,所述第一走线部在所述衬底上的正投影与所述像素开口区域在所述衬底上的正投影存在交叠,所述第一绝缘层上设置有凹槽,所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述像素开口区域在所述衬底上的正投影存在交叠,所述第一走线部设于所述凹槽中;或者,所述走线层包括第二走线部,所述第二走线部在所述衬底上的正投影与所述像素开口区域在所述衬底上的正投影不存在交叠,所述显示面板还包括与所述阳极层同层设置的第三走线部,所述第三走线部与所述第二走线部过孔连接。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的叠层方向上,所述凹槽的深度大于或等于所述第一走线部的厚度的1/3,且小于或等于所述第一走线部的厚度的3/2。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的叠层方向上,所述凹槽的底面与所述基板之间的所述第一绝缘层的厚度大于或等于所述第一走线部的厚度的1/3。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽的侧壁与所述第一走线部之间填充有所述第二绝缘层。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阳极层包括分立的多个阳极区,所述阳极区在所述衬底上的正投影覆盖所述像素开口区域在所述衬底上的正投影,所述阳极区与所述发光器件一一对应,所述阳极区用于驱动对应的所述发光器件,所述第三走线部设置在相邻的所述阳极区之间的非显示区域。6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板还包括:缓冲层,形成在所述衬底上;有源层,形成在所述缓冲层上;第一栅绝缘层,覆盖所述有源层;第一栅电极层,形成在所述第一栅绝缘层上;第二栅绝缘层,覆盖所述第一栅电极层;第二栅电极层,形成在所述第二栅绝缘层上;所述第一绝缘层覆盖所述第二栅绝缘层及所述第二栅电极层。7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述走线层还包括源漏极电极部,所述源漏极电极部与所述有源层过孔连接,所述阳极层与所述源漏极电极部过孔连接。8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:制备基板;所述基板包括衬底;在所述基板上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成走线层;形成覆盖所述走线层的第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成阳极层;其中,所述显示面板包括用于设置发光器件的像素开口区域;
所述在所述基板上形成第一绝缘层之后,还包括:在所述第一绝缘层上形成凹槽;所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述像素开口区域在所述衬底上的正投影存在交叠,所述走线层包括第一走线部,所述第一走线部在所述衬底上的正投影与所述像素开口区域在所述衬底上的正投影存在交叠,所述第一走线部设于所述凹槽中;或者,所述在所述第二绝缘层上形成阳极层,包括:在所述第二绝缘层上同层形成阳极层和第三走线部;所述走线层包括第二走线部,所述第二走线部在所述衬底上的正投影与所述像素开口区域在所述衬底上的正投影不存在交叠,所述第三走线部与所述第二走线部过孔连接。9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘层上形成凹槽之前或之后,还包括:在所述第一绝缘层上形成源漏极过孔;所述在所述第一绝缘层上形成走线层,包括:在所述第一绝缘层上同层形成所述第一走线部和源漏极电极部;所述基板包括有源层,所述源漏极电极部与所述有源层通过所述源漏极过孔连接,所述阳极层与所述源漏极电极部过孔连接;或者,在所述第一绝缘层上同层形成所述第二走线部和源漏极电极部;所述基板包括有源层,所述源漏极电极部与所述有源层通过所述源漏极过孔连接,所述阳极层与所述源漏极电极部过孔连接。10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1

7所述的显示面板。

技术总结
本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域。其中,显示面板的走线层包括第一走线部,第一走线部在衬底上的正投影与像素开口区域在衬底上的正投影存在交叠,第一绝缘层上设置有凹槽,将第一走线部设于凹槽中,提高了像素开口区域的高度均一性。或者,走线层包括第二走线部,第二走线部在衬底上的正投影与像素开口区域在衬底上的正投影不存在交叠,第三走线部与阳极层同层设置,并将第三走线部作为搭接走线与第二走线部过孔连接,可以在实现信号导通的同时,提高像素开口区域的高度均一性。如此,后续在蒸镀发光器件的发光层材料时,发光材料底部的平整度提高,避免了显示装置出现色偏问题。避免了显示装置出现色偏问题。避免了显示装置出现色偏问题。


技术研发人员:包征 张家祥 王明强 王康 杨皓天 刘皓瑜 罗淼 郝晓东 左堃 张燚 傅晓亮 张斌
受保护的技术使用者:成都京东方光电科技有限公司
技术研发日:2021.07.16
技术公布日:2021/10/23
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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