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薄膜覆晶封装结构的制作方法

2021-10-23 03:30:00 来源:中国专利 TAG:封装 结构 薄膜

技术特征:
1.一种薄膜覆晶封装结构,其特征在于,包括:可挠性薄膜,具有芯片接合区;线路结构,设置于所述可挠性薄膜上,且包括多个第一引脚、多个第二引脚与多个第三引脚,其中各所述第一引脚具有第一内引脚部与第一延伸部,各所述第二引脚具有第二内引脚部与第二延伸部;以及芯片,设置于所述芯片接合区内,所述芯片包括第一区、第二区与位于所述第一区与所述第二区之间的第三区,且具有位于所述第一区内的多个第一凸块、位于所述第二区内的多个第二凸块与位于所述第三区内的多个第三凸块,所述多个第一凸块、所述多个第二凸块与所述多个第三凸块沿着所述芯片的一边缘相邻排列,且分别对应连接所述多个第一内引脚部、所述多个第二内引脚部与所述多个第三引脚;其中所述第一内引脚部自所述第一区内斜向延伸经过所述芯片的所述边缘并与所述第一延伸部连接于第一弯折点,所述第二内引脚部自所述第二区内斜向延伸经过所述边缘并与所述第二延伸部连接于第二弯折点,所述多个第三引脚自所述第三区内延伸正交所述边缘而向外延伸。2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述多个第一凸块与所述多个第二凸块分别顺应所述多个第一内引脚部与所述多个第二内引脚部的延伸方向斜向延伸。3.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述第一弯折点与所述第二弯折点位于所述芯片的覆盖范围之外,且与所述芯片的所述边缘之间具有间隙。4.根据权利要求3所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述间隙不小于30微米。5.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述第一内引脚部自所述第一区内往远离所述多个第三引脚的方向斜向延伸,所述第二内引脚部自所述第二区内往远离所述多个第三引脚的方向斜向延伸。6.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述第一内引脚部与所述边缘形成第一夹角,所述第二内引脚部与所述边缘形成第二夹角,所述第一夹角与所述第二夹角大于零度且小于九十度。7.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,还包括防焊层,设置于所述可挠性薄膜上,所述防焊层局部覆盖所述线路结构,且暴露出所述芯片接合区。8.根据权利要求7所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述防焊层暴露出所述第一弯折点与所述第二弯折点。9.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,还包括封装胶体,填充于所述芯片与所述可挠性薄膜之间,且覆盖所述芯片接合区。10.根据权利要求9所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述封装胶体覆盖所述第一弯折点与所述第二弯折点。

技术总结
本发明提供一种薄膜覆晶封装结构,包括可挠性薄膜、线路结构以及芯片。线路结构设置于可挠性薄膜上,包括多个第一引脚、第二引脚与第三引脚。第一引脚具有第一内引脚部与第一延伸部,第二引脚具有第二内引脚部与第二延伸部。芯片具有分别位于第一区、第二区与第三区内的多个第一凸块、第二凸块与第三凸块。第一凸块、第二凸块与第三凸块沿着芯片的边缘相邻排列,分别对应连接第一内引脚部、第二内引脚部与第三引脚。第一内引脚部自第一区内斜向延伸经过芯片的边缘并与第一延伸部连接于第一弯折点,第二内引脚部自第二区内斜向延伸经过边缘并与第二延伸部连接于第二弯折点,第三引脚自第三区内延伸正交边缘而向外延伸。脚自第三区内延伸正交边缘而向外延伸。脚自第三区内延伸正交边缘而向外延伸。


技术研发人员:陈崇龙
受保护的技术使用者:南茂科技股份有限公司
技术研发日:2020.06.19
技术公布日:2021/10/22
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