薄膜覆晶封装结构的制作方法

1.本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种薄膜覆晶封装结构。


背景技术：

2.在薄膜覆晶封装结构中，内引脚接合(ilb)通常是利用热压合技术使可挠性薄膜上的引脚与芯片上的凸块在高温下产生共晶接合。进一步而言，由于可挠性薄膜与芯片的热膨胀系数不同，可挠性薄膜遇热收缩程度较大，而收缩会导致引脚由原设计位置往中央引脚偏移，且越往芯片的两侧(即芯片长度方向的两端)引脚偏移程度越大，因此引脚的设计会自中央引脚向两侧分别对引脚的设置位置加上补偿值，且补偿值自中央向两侧逐步加大，以使所有引脚在可挠性薄膜收缩的情况下仍能与凸块顺利对位接合。
3.然而，在芯片尺寸加长的情况下，可挠性薄膜收缩的影响加剧，即便加上补偿值，靠近芯片两侧的引脚仍可能随引脚宽度不同而产生对位上的误差，进而导致引脚与凸块之间接合不良的问题。因此，如何有效地抑制可挠性薄膜的胀缩幅度，降低引脚与凸块之间对位上的误差，进而改善引脚与凸块之间接合不良的问题实已成目前亟欲解决的课题。


技术实现要素：

4.本发明是针对一种薄膜覆晶封装结构，其可以有效地抑制可挠性薄膜的胀缩幅度，降低引脚与凸块之间对位上的误差，进而改善引脚与凸块之间接合不良的问题。
5.根据本发明的实施例，一种薄膜覆晶封装结构，包括可挠性薄膜、线路结构以及芯片。可挠性薄膜具有芯片接合区。线路结构设置于可挠性薄膜上，且包括多个第一引脚、多个第二引脚与多个第三引脚。各第一引脚具有第一内引脚部与第一延伸部，各第二引脚具有第二内引脚部与第二延伸部。芯片设置于芯片接合区内。芯片包括第一区、第二区与位于第一区与第二区之间的第三区，且具有位于第一区内的多个第一凸块、位于第二区内的多个第二凸块与位于第三区内的多个第三凸块。第一凸块、第二凸块与第三凸块沿着芯片的边缘相邻排列，且分别对应连接第一内引脚部、第二内引脚部与第三引脚。第一内引脚部自第一区内斜向延伸经过芯片的边缘并与第一延伸部连接于第一弯折点，第二内引脚部自第二区内斜向延伸经过边缘并与第二延伸部连接于第二弯折点，多个第三引脚自第三区内延伸正交边缘而向外延伸。
6.在根据本发明的一实施例中，上述的第一凸块与第二凸块分别顺应第一内引脚部与第二内引脚部的延伸方向斜向延伸。
7.在根据本发明的一实施例中，上述的第一弯折点与第二弯折点位于芯片的覆盖范围之外，且与芯片的边缘之间具有间隙。
8.在根据本发明的一实施例中，上述的间隙不小于30微米。
9.在根据本发明的一实施例中，上述的第一内引脚部自第一区内往远离第三引脚的方向斜向延伸，第二内引脚部自第二区内往远离第三引脚的方向斜向延伸。
10.在根据本发明的一实施例中，上述的第一内引脚部与边缘形成第一夹角，第二内
引脚部与边缘形成第二夹角，第一夹角与第二夹角大于零度且小于九十度。
11.在根据本发明的一实施例中，上述的薄膜覆晶封装结构还包括防焊层。防焊层设置于可挠性薄膜上，局部覆盖线路结构，且暴露出芯片接合区。
12.在根据本发明的一实施例中，上述的防焊层暴露出第一弯折点与第二弯折点。
13.在根据本发明的一实施例中，上述的薄膜覆晶封装结构还包括封装胶体。封装胶体填充于芯片与可挠性薄膜之间，且覆盖芯片接合区。
14.在根据本发明的一实施例中，上述的封装胶体覆盖第一弯折点与第二弯折点。
15.基于上述，本发明的引脚(第一引脚与第二引脚)通过内引脚部(第一内引脚部与第二内引脚部)的斜向设计可以扩大抑制可挠性薄膜胀缩的影响范围，进而可以有效地抑制可挠性薄膜的胀缩幅度，降低引脚与凸块之间对位上的误差，进而改善引脚与凸块之间接合不良的问题。
16.为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
17.图1是本发明一实施例的薄膜覆晶封装结构的俯视示意图；
18.图2是图1的区域a的放大示意图；
19.图3是斜向引脚与直向引脚的比较示意图；
20.图4是斜向凸块与直向凸块与引脚接合的比较示意图。
21.附图标记说明
22.10:直向引脚
23.20:直向凸块
24.100:薄膜覆晶封装结构
25.110:可挠性薄膜
26.112:芯片接合区
27.120:线路结构
28.121:第一引脚
29.1211:第一内引脚部
30.1212:第一延伸部
31.122:第二引脚
32.1221:第二内引脚部
33.1222:第二延伸部
34.123:第三引脚
35.130:芯片
36.131:第一凸块
37.132:第二凸块
38.133:第三凸块
39.140:防焊层
40.142:开口
41.150:封装胶体
42.a:区域
43.a1:第一区
44.a2:第二区
45.a3:第三区
46.ar1、ar2:影响范围
47.ar3、ar4:面积
48.b1:第一弯折点
49.b2:第二弯折点
50.c:覆盖范围
51.d:方向
52.e:边缘
53.g1、g2:间隙
54.θ1:第一夹角
55.θ2:第二夹角
具体实施方式
56.现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
57.图1是本发明一实施例的薄膜覆晶封装结构的俯视示意图。图2是图1的区域a的放大示意图。图3是斜向引脚与直向引脚的比较示意图。图4是斜向凸块与直向凸块与引脚接合的比较示意图。为求清楚表示，图1与图2中的芯片130、第一凸块131、第二凸块132、第三凸块133及封装胶体150采用透视绘法呈现。
58.请同时参考图1与图2，在本实施例中，薄膜覆晶封装结构100包括可挠性薄膜110、线路结构120以及芯片130。进一步来说，可挠性薄膜110具有芯片接合区112，芯片130设置于芯片接合区112内，而线路结构120设置于可挠性薄膜110上。
59.可挠性薄膜110的材质例如是聚酰亚胺(polyimide,pi)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate,pet)、聚醚(polyethersulfone,pes)、碳酸脂(polycarbonate,pc)或其他适合的可挠性材料，因此使用可挠性薄膜110的薄膜覆晶封装结构100具有可挠曲性。
60.线路结构120包括多个第一引脚121、多个第二引脚122与多个第三引脚123，其中各第一引脚121具有第一内引脚部1211与第一延伸部1212，各第二引脚122具有第二内引脚部1221与第二延伸部1222。线路结构120的材质例如是铜或其他适合的金属。
61.芯片130包括第一区a1、第二区a2与位于第一区a1与第二区a2之间的第三区a3，其中芯片130具有位于第一区a1内的多个第一凸块131、位于第二区a2内的多个第二凸块132与位于第三区a3内的多个第三凸块133。此外，第一凸块131、第三凸块133与第二凸块132沿着芯片130的一边缘e相邻排列，且分别对应连接第一内引脚部1211、第三引脚123与第二内引脚部1221。换言之，第一内引脚部1211、第三引脚123与第二内引脚部1221也是沿着芯片130的边缘e相邻排列。举例而言，芯片130具有相对的两个短边侧与相对的两个长边侧，而
第一凸块131、第三凸块133与第二凸块132可以是分别沿着芯片130的相对的两个长边侧的边缘e相邻排列。
62.在本实施例中，第一内引脚部1211自第一区a1内斜向延伸经过芯片130的边缘e并与第一延伸部1212连接于第一弯折点b1，第二内引脚部1221自第二区a2内斜向延伸经过边缘e并与第二延伸部1222连接于第二弯折点b2，多个第三引脚123自第三区a3内延伸正交边缘e而向外延伸。本发明通过第一内引脚部1211与第二内引脚部1221的斜向设计可有效抑制可挠性薄膜110的胀缩幅度。详细而言，如图3所示，图3中是以第一引脚121与第一凸块131为例，本实施例的第一引脚121将第一内引脚部1211作斜向设计，使得第一内引脚部1211抑制可挠性薄膜110胀缩的影响范围ar2相较于直向引脚10所形成的影响范围ar1来得大，因此可达到较佳的胀缩抑制效果，有效地抑制可挠性薄膜110的胀缩幅度，降低第一内引脚部1211偏移的程度，进而避免第一引脚121与第一凸块131之间对位上的误差，改善第一引脚121与第一凸块131之间接合不良的问题。
63.在一实施例中，第一弯折点b1与第二弯折点b2位于芯片130的覆盖范围c之外，且与芯片130的边缘e之间可以具有间隙。举例而言，第一弯折点b1与芯片130的边缘e之间具有间隙g1，第二弯折点b2与芯片130的边缘e之间具有间隙g2。进一步而言，当间隙(间隙g1与间隙g2)较小时，弯折点(第一弯折点b1与第二弯折点b2)较靠近芯片接合区112，易导致引脚(第一引脚121与第二引脚122)在接合时因受力而在弯折点(第一弯折点b1与第二弯折点b2)处断裂，因此，间隙(间隙g1与间隙g2)例如是不小于30微米，以降低引脚(第一引脚部121与第二引脚122)在接合时易因受力而断裂的机率，进而可以提升薄膜覆晶封装结构100的可靠度，但本发明不限于此。此外，间隙g1与间隙g2可以是相同，因此，第一弯折点b1与第二弯折点b2于芯片130的两侧可以是对位配置，但本发明不限于此。间隙g1与间隙g2可以视实际设计上的需求而定。
64.在一实施例中，第一内引脚部1211可以自第一区a1内往远离第三引脚123的方向斜向延伸，而第二内引脚部1221可以自第二区a2内往远离第三引脚123的方向斜向延伸。换句话说，第一内引脚部1211位于第一区a1内的一端部可以较第一内引脚部1211位于第一区a1外的另一端部靠近第三引脚123，而第二内引脚部1221位于第二区a2内的一端部可以较第二内引脚部1221位于第二区a2外的另一端部靠近第三引脚123。
65.此外，第一凸块131与第二凸块132可以分别顺应第一内引脚部1211与第二内引脚部1221的延伸方向斜向延伸。换句话说，第一凸块131的延伸方向可以平行于第一内引脚部1211的延伸方向，而第二凸块132的延伸方向可以平行于第二内引脚部1221的延伸方向。因此，如图4所示，图4中是以第一引脚121与第一凸块131为例，当第一引脚121于接合时发生偏移时，例如朝方向d偏移，本实施例的斜向延伸的第一凸块131与偏移的第一引脚121的接合面积ar4相较于直向凸块20与偏移的第一引脚121的接合面积ar3来得大，也就是说，本实施例的第一凸块131与第二凸块132分别顺应第一内引脚部1211与第二内引脚部1221的延伸方向斜向配置，即便第一引脚121与第二引脚122于接合时发生偏移，第一凸块131与第一引脚121之间以及第二凸块132与第二引脚122之间仍能维持足够的接合面积，以确保内引脚接合的质量。
66.在一实施例中，第一内引脚部1211与边缘e形成第一夹角θ1，第二内引脚部1221与边缘e形成第二夹角θ2，第一夹角θ1与第二夹角θ2大于零度且小于九十度。换句话说，第一
内引脚部1211与第二内引脚部1221不会正交或平行边缘e。举例来说，第一夹角θ1与第二夹角θ2较佳的例如是45
°
，但本发明不限制第一夹角θ1与第二夹角θ2的角度，可以视实际设计上的需求而定。
67.在一实施例中，由于引脚的偏移程度越往芯片130的两侧越趋严重，为了抑制可挠性薄膜110在这些区域的胀缩幅度，第一引脚121与第二引脚122的分布范围可以是分别占芯片130的长度的三分之一，也就是说，第一区a1与第二区a2分别占芯片130的长度的三分之一，但本发明不限于此。第一引脚121与第二引脚122的分布范围可以依实际设计上的需求进行调整。
68.在一实施例中，为使线路结构120维持良好的电性，薄膜覆晶封装结构100还可以包括防焊层140。防焊层140可以设置于可挠性薄膜110上，局部覆盖线路结构120，且暴露出芯片接合区112。进一步来说，防焊层140具有开口142，且芯片接合区112实质上是由防焊层140的开口142所界定。在一实施例中，防焊层140可以暴露出第一弯折点b1与第二弯折点b2。
69.在一实施例中，为避免湿气及污染侵入，薄膜覆晶封装结构100还可以包括封装胶体150。特别说明，图1与图2中封装胶体150是采用透视绘法呈现，因此仅框示出封装胶体150的概略分布范围。封装胶体150可以填充于芯片130与可挠性薄膜110之间，且覆盖芯片接合区112。在一实施例中，封装胶体150可以覆盖第一弯折点b1与第二弯折点b2。换句话说，第一弯折点b1与第二弯折点b2不会超出封装胶体150的边缘。
70.综上所述，本发明的的引脚(第一引脚与第二引脚)通过内引脚部(第一内引脚部与第二内引脚部)的斜向设计可以扩大抑制可挠性薄膜胀缩的影响范围，进而可以有效地抑制可挠性薄膜的胀缩幅度，降低引脚与凸块之间对位上的误差，进而改善引脚与凸块之间接合不良的问题。此外，本发明通过凸块(第一凸块与第二凸块)的斜向设计可以使内引脚部(第一内引脚部与第二内引脚部)与凸块(第一凸块与第二凸块)之间维持足够的接合面积，确保当引脚(第一引脚与第二引脚)发生偏移时仍能与凸块(第一凸块与第二凸块)顺利对位接合，以确保内引脚接合的质量。
71.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。