形成图案的方法与流程

技术特征：
1.一种形成图案的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供结构，包括基板以及目标层，其中所述目标层设置于所述基板上，以及所述目标层包括中央区以及周边区；在所述中央区上形成多个核心图案以及线型分隔图案，其中通过沟槽使所述线型分隔图案与所述多个核心图案分隔，其中所述线型分隔图案的宽度大于50纳米；在周边区上覆盖光阻；移除未覆盖所述多个核心图案以及未覆盖所述线型分隔图案的所述中央区的一部分，以在中央区内形成图案；以及移除所述光阻、所述线型分隔图案以及所述多个核心图案，以暴露所述图案。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结构还包括介于所述基板以及所述目标层之间的硬遮罩。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标层包括氮化硅。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述线型分隔图案的所述宽度为50纳米至150纳米。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个核心图案以及所述线型分隔图案的材料包括氧化物。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述多个核心图案以及所述线型分隔图案在所述中央区上的步骤包括：在所述目标层上设置遮罩层；在所述遮罩层上形成第一图案化光阻；蚀刻未覆盖所述第一图案化光阻的所述遮罩层，以在所述中央区上形成所述多个核心图案以及所述线型分隔图案；以及移除所述第一图案化光阻。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述多个核心图案以及所述线型分隔图案在所述中央区上的步骤包括在所述中央区上形成多个线型分隔图案。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，移除未覆盖所述多个核心图案以及未覆盖所述线型分隔图案的所述中央区的所述部分的步骤包括执行第二微影蚀刻处理，以在中央区上形成所述图案。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，移除所述光阻、所述线型分隔图案以及所述多个核心图案的步骤包括执行蚀刻处理，以移除所述线型分隔图案以及所述多个核心图案。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案为阵列图案或是对准记号。11.一种形成对准记号的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供结构，包括基板以及目标层，其中所述目标层设置于所述基板上，以及所述目标层包括中央区以及周边区；在所述中央区上形成多个核心图案以及线型分隔图案，其中通过沟槽使所述线型分隔图案与所述多个核心图案分隔，其中所述线型分隔图案的宽度大于50纳米；在周边区上覆盖光阻；移除未覆盖所述多个核心图案以及未覆盖所述线型分隔图案的所述中央区的一部分，
以在中央区内形成对准记号；以及移除所述光阻、所述线型分隔图案以及所述多个核心图案，以暴露所述对准记号。

技术总结
本发明公开了一种形成图案的方法，包括以下步骤：提供结构，包括基板以及目标层，其中目标层设置于基板上，以及目标层包括中央区以及周边区；形成多个核心图案以及线型分隔图案在中央区上，其中线型分隔图案的宽度大于50纳米；在周边区上覆盖光阻；移除未覆盖多个核心图案以及未覆盖线型分隔图案的中央区的部分，以形成图案于中央区内；以及移除光阻、线型分隔图案以及多个核心图案，以暴露图案。本发明提供如上所述的形成图案的方法，通过增加光阻屏障的宽度，阻止光阻的溢出，来避免光学邻近校正造成的边缘缺陷，可简化工艺，并实现更高品质的半导体元件，其中图案没有边缘缺陷，有着更好的精确度。着更好的精确度。着更好的精确度。


技术研发人员：庄英政
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2020.06.05
技术公布日：2021/10/22