半导体器件的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成间隔材料层；在部分所述间隔材料层中形成间隔掺杂区，间隔掺杂区侧部的间隔材料层为间隔非掺杂区，所述间隔掺杂区和间隔非掺杂区的顶部表面具有第一氧化层；采用第一湿法刻蚀工艺去除所述第一氧化层；进行所述第一湿法刻蚀工艺之后，对所述间隔非掺杂区的顶部表面执行氧化处理，在间隔非掺杂区的顶部形成第二氧化层；采用第二湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述第二氧化层；进行第一湿法刻蚀工艺之后，去除所述间隔掺杂区；去除所述间隔掺杂区之后且进行所述第二湿法刻蚀工艺之后，在所述间隔非掺杂区的侧壁形成侧墙掩模层；形成所述侧墙掩模层之后，去除所述间隔非掺杂区。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在部分所述间隔材料层中形成所述间隔掺杂区的工艺包括离子注入工艺。3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在部分所述间隔材料层中形成所述间隔掺杂区的步骤包括：在所述间隔材料层上形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层中具有掩模开口；对所述掩模开口底部的间隔材料层中注入掺杂离子，形成所述间隔掺杂区；注入掺杂离子之后，去除所述图形化的掩模层。4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺所注入的离子包括p型离子或n型离子。5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺采用的化学溶液包括氢氟酸溶液、磷酸溶液或硝酸溶液中的任一种或者任意几种的组合。6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，执行氧化处理的工艺包括：臭氧氧化工艺、氧气氧化工艺或含氧退火工艺。7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二湿法刻蚀工艺所采用的化学溶液包括氢氟酸溶液、磷酸溶液或硝酸溶液中的任一种或者任意几种的组合。8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在对所述间隔非掺杂区的顶部表面执行氧化处理的过程中，所述氧化处理还作用于所述间隔掺杂区的顶部表面，所述第二氧化层还位于间隔掺杂区的顶部表面；所述第二湿法刻蚀工艺还去除了位于间隔掺杂区的顶部表面的第二氧化层；进行所述第二湿法刻蚀工艺之后，去除所述间隔掺杂区。9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在进行所述氧化处理之前，去除所述间隔掺杂区。10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，第一氧化层的厚度为10埃～25埃。11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，第二氧化层的高度为10埃～20埃。12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述间隔材料层的材
料为非晶硅。13.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙掩模层的步骤包括：在所述间隔非掺杂区的侧壁和顶部、以及待刻蚀层上形成侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层以形成所述侧墙掩模层。14.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述间隔非掺杂区之后，以所述侧墙掩模层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。15.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料包括tio2。16.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述间隔非掺杂区的工艺为湿法刻蚀工艺。

技术总结
一种半导体器件的形成方法，所述方法先采用第一湿法刻蚀工艺去除第一氧化层，然后对所述间隔非掺杂区II的顶部表面执行氧化处理，在间隔非掺杂区的顶部形成第二氧化层，之后将第二湿法刻蚀工艺刻蚀去除间隔非掺杂区顶部的第二氧化层，这样去除第二氧化层之后，间隔非掺杂区顶部的缺陷较少，避免在形成侧墙掩层的过程中在所述空洞内形成残余侧墙材料，因而避免在去除间隔非掺杂区时空洞内的残余侧墙材料的阻挡，容易去除间隔非掺杂区，可以提高所形成的半导体器件的性能。形成的半导体器件的性能。形成的半导体器件的性能。


技术研发人员：李强 张前江
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.04.16
技术公布日：2021/10/22