一种制备压电复合薄膜的方法及压电复合薄膜与流程

技术特征：
1.一种制备压电复合薄膜的方法，其特征在于，包括：制备原始压电复合薄膜，所述原始压电复合薄膜包括衬底层；通过离子注入法使离子穿过原始压电复合薄膜，注入到衬底层表面区域，使衬底层的表面区域形成损伤层；对包含损伤层在内的原始压电复合薄膜进行低温退火处理，获得目标压电复合薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原始压电复合薄膜还包括依次叠加在衬底层表面的低声阻层和压电层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，制备原始压电复合薄膜的步骤，包括：在衬底层上通过热氧化法形成低声阻层；通过离子注入法和键合法将压电层转移至低声阻层上；对衬底层、低声阻层和压电层的整体结构进行高温退火处理，恢复离子注入法对压电层的损伤，获得原始压电复合薄膜。4.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，所述离子注入法中注入的离子为h离子。5.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，所述离子注入法中的离子注入量为5x10
11-1x10
15
ions/cm2。6.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，所述损伤层的缺陷密度为1x10
11-1x10
15
/cm2，以及所述损伤层的厚度为200～3000nm。7.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，所述低温退火处理的温度范围为300～400℃。8.根据权利要求2-3任一项所述的方法，其特征在于，所述压电层的材料为钽酸锂或者铌酸锂，以及，所述压电层的厚度为100～2000nm。9.根据权利要求2-3任一项所述的方法，其特征在于，所述低声阻层的材料为二氧化硅，以及，所述低声阻层的厚度为100～5000nm，所述低声阻层的厚度均匀度小于2％。10.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底层的材料为电阻率大于5000ω
·
cm的单晶硅，以及，所述衬底层的厚度为150～1000μm。11.一种压电复合薄膜，其特征在于，所述压电复合薄膜通过权利要求1-10任一项所述的方法制备。12.一种压电复合薄膜，其特征在于，包括衬底层、低声阻层和至少一层功能层，其中，所述衬底层的表面区域通过离子注入法被损伤形成损伤层。

技术总结
本发明公开了一种制备压电复合薄膜的方法及压电复合薄膜，在具有衬底层的原始压电复合薄膜内，通过离子注入法将离子注入到衬底层的表面区域，使得离子破坏衬底层表面处的晶格结构，造成一定的损伤进而形成损伤层，之后再对包含损伤层在内的原始压电复合薄膜进行低温退火处理，获得目标压电复合薄膜。本发明的方案可以在制备好整体的原始压电复合薄膜之后，通过离子注入法形成损伤层，再利用损伤层捕获衬底层与低声阻层之间的电荷，避免采用当前常用的方法，使得后形成低声阻层时对先生成的损伤层造成影响，本发明的方案能够保证损伤层捕获电荷的能力。层捕获电荷的能力。层捕获电荷的能力。


技术研发人员：胡卉 李真宇 朱厚彬 张秀全 薛海蛟
受保护的技术使用者：济南晶正电子科技有限公司
技术研发日：2020.04.21
技术公布日：2021/10/22