位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备与流程

技术特征：
1.一种位线结构，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的至少一条位线；其中，所述半导体基底包括有器件隔离层限定的至少一个有源区，所述位线与所述有源区接触，所述位线包括自所述半导体基底起依次叠加设置的金属层和绝缘层。2.根据权利要求1所述的位线结构，其特征在于，所述金属层包括：导线金属层；以及，包裹所述导线金属层底面和侧面的阻挡金属层。3.根据权利要求2所述的位线结构，其特征在于，所述导线金属层的制作材料为钨；所述阻挡金属层的制作材料为钛、氮化钛。4.根据权利要求1所述的位线结构，其特征在于，所述绝缘层为氮化层。5.根据权利要求4所述的位线结构，其特征在于，所述氮化层的制作材料为氮化硅。6.根据权利要求1所述的位线结构，其特征在于，所述器件隔离层上形成有至少一个位线接触槽，所述位线接触槽暴露所述有源区，所述位线形成于所述位线接触槽内。7.一种位线结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；所述半导体基底包括有器件隔离层限定的至少一个有源区；在所述器件隔离层上形成有至少一个位线接触槽，所述位线接触槽暴露所述有源区；在所述位线接触槽内形成自所述位线接触槽起依次叠加的金属层和绝缘层，所述金属层和绝缘层构成位线。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述金属层包括导线金属层和包裹所述导线金属层底面和侧面的阻挡金属层；所述在所述位线接触槽内形成自所述位线接触槽起依次叠加的金属层和绝缘层，包括：在所述位线接触槽内沉积多晶硅；在所述多晶硅上沉积氮化层；通过大马士革工艺，在所述多晶硅和氮化层中蚀刻出位线接触孔和位线沟槽；在所述位线沟槽中，依次形成导线金属层和包裹所述导线金属层底面和侧面的阻挡金属层。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述金属层上形成绝缘层；去除氮化层和所述位线接触槽内的多晶硅。10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述通过大马士革工艺，在所述多晶硅和氮化层中蚀刻出位线接触孔和位线沟槽，包括：利用第一光刻掩模对所述多晶硅和氮化层进行刻蚀形成位线接触孔；利用第二光刻掩模对所述多晶硅和氮化层进行刻蚀形成位线沟槽。11.一种半导体存储器，其特征在于，包括：如权利要求1至6中任一项所述的位线结构。12.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求11中所述的半导体存储器。
13.根据权利要求12所述的电子设备，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。

技术总结
本公开提供一种位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的位线结构包括半导体基底；位于所述半导体基底上的至少一条位线；其中，所述半导体基底包括有器件隔离层限定的至少一个有源区，所述位线与所述有源区接触，所述位线包括自所述半导体基底起依次叠加设置的金属层和绝缘层。该位线结构通过将位线从多晶硅


技术研发人员：金镇泳 周娜 李俊杰 杨涛 李俊峰 王文武
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.04.14
技术公布日：2021/10/21