显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示装置。


背景技术：

2.随着信息化社会的发展，对用于显示影像的显示装置的要求增加到多种形态。例如，显示装置用于智能手机、数码相机、笔记本电脑、导航仪以及智能电视之类的多种电子设备中。显示装置可以为液晶显示装置(liquid crystal display device)、场发射显示装置(field emission display device)、有机发光显示装置(organic light emitting display devic)等之类的平板显示装置。在这样的平板显示装置中，有机发光显示装置包括可以使显示面板的像素各自自行发光的发光元件，因此即便显示面板中没有提供光的背光单元也能显示图像。
3.显示面板的多个像素各自可以包括多个薄膜晶体管。薄膜晶体管可以按照构成有源层的物质而进行分类。例如，薄膜晶体管可以实施为包括由低温多晶硅((low temperature polycrystalline silicon；ltps)构成的有源层的低温多晶硅薄膜晶体管，或者包括氧化物基底的有源层的金属氧化物薄膜晶体管。金属氧化物薄膜晶体管的有源区域和导体化区域可以通过热处理金属氧化物而形成。该情况下，显示装置在设计金属氧化物薄膜晶体管的过程中，像素电路的设计自由度可能会降低，可能产生传导性偏差，可能对显示装置的分辨率产生坏影响。


技术实现要素：

4.本发明所要解决的课题为提供一种显示装置，其通过在氧化物基底的有源层的下部配置氢含量高的无机膜图案，从而在热处理过程中，即便在氧化物基底的有源层上配置有栅极电极，也能将与无机膜图案重叠的有源层导体化。
5.本发明所要解决的课题为提供一种显示装置，其通过在氧化物基底的有源层的下部配置氢含量高的无机膜图案，从而在热处理过程中，能够提高与无机膜图案重叠的有源层的传导性。
6.本发明的课题不限于以上所提及的课题，尚未提及的其他课题可通过以下记载供本领域技术人员明确理解。
7.为了解决所述课题，根据一实施例的显示装置包括：第一有源层，配置在基板上，由第一物质构成；第二有源层，配置在所述第一有源层上，由与所述第一物质不同的第二物质构成；第一栅极层，配置在所述第二有源层上；以及无机膜图案，配置在所述第二有源层的下部，与所述第一栅极层的一部分重叠，所述第二有源层包括配置在所述第一栅极层的一部分和所述无机膜图案之间的导体部。
8.可以为，所述显示装置还包括第一栅极绝缘膜，使所述第二有源层和所述第一栅极层绝缘，所述无机膜图案的氢含量高于所述第一栅极绝缘膜的氢含量。
9.可以为，所述显示装置还包括：第二栅极层，配置在所述第一有源层上；第一层间
绝缘膜，配置在所述第二栅极层上；第三栅极层，配置在所述第一层间绝缘膜上；以及第二层间绝缘膜，配置在所述第三栅极层上，所述无机膜图案配置在所述第二层间绝缘膜和所述第二有源层的导体部之间。
10.所述无机膜图案的氢含量可以高于所述第二层间绝缘膜的氢含量。
11.所述导体部的传导性可以高于除所述第二有源层的所述导体部之外的区域的传导性。
12.为了解决所述课题，根据一实施例的显示装置包括用于驱动具备发光元件的多个像素的显示面板，所述多个像素分别包括：驱动晶体管，包括在由第一物质构成的第一有源层配置的有源区域，控制在所述发光元件流通的驱动电流；第一晶体管，包括在由与所述第一物质不同的第二物质构成的第二有源层配置的有源区域，选择性地接通作为所述驱动晶体管的漏极电极的第一节点和作为所述驱动晶体管的栅极电极的第二节点；第一扫描线，配置在所述第二有源层上的第一栅极层，与所述第一晶体管的栅极电极接通；以及无机膜图案，与所述第二有源层以及所述第一扫描线的交叉区域重叠。
13.可以为，所述无机膜图案与所述第二有源层的下部直接接触，所述第二有源层包括配置在所述第一扫描线和所述无机膜图案之间的导体部。
14.可以为，所述驱动晶体管的栅极电极和所述第一晶体管的源极电极通过所述第二有源层的导体部电连接。
15.可以为，所述多个像素分别还包括：第二晶体管，以在所述第一有源层上的第二栅极层配置的第二扫描线的电压为基础，将数据电压供应给作为所述驱动晶体管的源极电极的第三节点；以及第一电容器，接通在所述第二扫描线和所述第二节点之间，所述第一电容器的第一电极配置在所述第二栅极层，所述第一电容器的第二电极配置在所述第二有源层。
16.可以为，所述驱动晶体管的栅极电极和所述第一电容器的第二电极通过所述第二有源层的导体部电连接。
17.可以为，所述多个像素分别还包括第二电容器，接通在所述第二节点和驱动电压线之间，所述第二电容器的第一电极和所述第一电容器的第二电极通过所述导体化的第二有源层的一部分电连接。
18.可以为，所述多个像素分别还包括配置在所述第一栅极层上的源极
‑
漏极层的第一连接电极，所述第一连接电极通过第一接触孔与在所述第二栅极层配置的所述驱动晶体管的栅极电极接通，通过第二接触孔与所述第二有源层接通。
19.所述多个像素分别还可以包括：第三晶体管，向所述第二节点选择性地供应初始化电压；第四晶体管，向所述第三节点选择性地供应驱动电压；第五晶体管，将所述第一节点选择性地接通在作为所述发光元件的阳极电极的第四节点；以及第六晶体管，向所述第四节点选择性地供应所述初始化电压。
20.可以为，所述第三晶体管的栅极电极与在所述第一栅极层配置的第三扫描线接通，所述第四晶体管以及所述第五晶体管各自的栅极电极与在所述第二栅极层配置的发光控制线接通，所述第六晶体管的栅极电极与所述第二扫描线接通。
21.为了解决所述课题，根据一实施例的显示装置包括用于驱动具备发光元件的多个像素的显示面板，所述多个像素分别包括：驱动晶体管，包括在由第一物质构成的第一有源
层配置的有源区域，控制在所述发光元件流通的驱动电流；第一晶体管，包括在由与所述第一物质不同的第二物质构成的第二有源层配置的有源区域，以在所述第二有源层上的第一栅极层配置的第一扫描线的电压为基础，接通作为所述驱动晶体管的漏极电极的第一节点和作为所述驱动晶体管的栅极电极的第二节点；第一电容器，包括第一电极和第二电极，所述第一电极相当于在所述第一有源层上的第二栅极层配置的第二扫描线的一部分，所述第二电极与所述第二节点接通而配置在所述第二有源层；以及无机膜图案，配置在所述第一电容器的第二电极的下部，所述第一电容器的第二电极的传导性高于与所述无机膜图案不发生重叠的第二有源层的传导性。
22.可以为，所述第一电容器的第二电极的传导性高于所述第一晶体管的源极电极的传导性。
23.可以为，所述多个像素分别还包括配置在所述第一栅极层上的源极
‑
漏极层的第二连接电极，所述第一连接电极通过第三接触孔与在所述第二栅极层配置的所述驱动晶体管的栅极电极接通，通过第四接触孔与在所述第二有源层配置的所述第一电容器的第二电极接通。
24.可以为，所述多个像素分别还包括第二晶体管，以所述第二扫描线的电压为基础，将数据电压供应给作为所述驱动晶体管的源极电极的第三节点。
25.可以为，所述多个像素分别还包括第三晶体管，向所述第二节点选择性地供应初始化电压，所述第一电容器的第二电极的传导性高于所述第三晶体管的源极电极的传导性。
26.可以为，所述多个像素分别还可以包括：第四晶体管，向所述第三节点选择性地供应驱动电压；第五晶体管，将所述第一节点选择性地接通在作为所述发光元件的阳极电极的第四节点；以及第六晶体管，向所述第四节点选择性地供应所述初始化电压。
27.其他实施例的具体事项包含在具体实施方式以及附图中。
28.根据实施例的显示装置，显示装置的多个像素各自可以包括低温多晶硅薄膜晶体管以及金属氧化物薄膜晶体管。金属氧化物薄膜晶体管的氧化物基底的有源层可以通过热处理过程，从在有源层上配置的无机膜传递得到氢，从而被导体化。多个像素各自在氧化物基底的有源层和无机膜之间配置有栅极电极时，可以在与栅极电极重叠的氧化物基底的有源层下部配置氢含量高的无机膜图案。显示装置在热处理过程中，即便在氧化物基底的有源层上配置有栅极电极，也能利用氢含量高的无机膜图案，将有源层导体化。因此，显示装置可以将在栅极电极下部配置的有源层作为布线使用，因此可以通过多种连接结构以及桥接结构，提高设计自由度。显示装置通过设计自由度的增加，可以提高空间活用度，可以提高显示装置的分辨率。
29.根据实施例的显示装置，显示装置通过在氧化物基底的有源层的下部配置氢含量高的无机膜图案，从而在热处理过程中，可以提高与无机膜图案重叠的有源层的传导性。因此，显示装置可以清除多个像素的传导性偏差导致的斑纹，可以提高显示装置的可靠性。
30.根据实施例的效果不限于以上示例的内容，本说明书内包含更多样的效果。
附图说明
31.图1是示出根据一实施例的显示装置的立体图。
32.图2是示出根据一实施例的显示装置的分解立体图。
33.图3是示出根据一实施例的显示面板的俯视图。
34.图4是示出根据一实施例的显示面板和显示驱动部的框图。
35.图5是示出根据一实施例的子像素的电路图。
36.图6是向图5中图示的子像素供应的信号的波形图。
37.图7是示出图5中图示的子像素的一例的俯视图。
38.图8是示出图7中图示的子像素的一部分层的俯视图。
39.图9是示出图7中图示的子像素的另一部分层的俯视图。
40.图10是沿着图7的截取线i
‑
i`截取的截面图。
41.图11是沿着图7的截取线ii
‑
ii`截取的截面图。
42.图12是示出图5中图示的子像素的其他例的俯视图。
43.图13是示出图12中图示的子像素的一部分层的俯视图。
44.图14是示出图12中图示的子像素的另一部分层的俯视图。
45.图15是沿着图12的截取线iii
‑
iii`截取的截面图。
46.图16是沿着图12的截取线iv
‑
iv`截取的截面图。
47.附图标记：
48.10：显示装置，100：盖板窗口，300：显示面板，310：显示驱动部，320：电源供应部，330：电源供应部，340：触摸驱动部，600：托架，700：主电路板，900：下部盖板，dt：驱动晶体管，el：发光元件，st1～st6：第一晶体管至第六晶体管，actl1：第一有源层，gtl1：第一栅极层，gtl2：第二栅极层，actl2：第二有源层，gtl3：第三栅极层，sdl：源极
‑
漏极层
具体实施方式
49.本发明的优点、特征以及达成其的方法会与附图一起通过详细后述的实施例变得明确。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以彼此不同的多种形态实施，本实施例仅是用于使本发明的公开变完整，用于向本发明所属技术领域中具有通常知识的人完整地告知发明的范畴而提供的，本发明仅由权利要求范畴而定义。
50.元件(elements)或者层被称为位于其他元件或者层的“上(on)”时，包括在其他元件的正上面或者在中间夹杂其他层或者其他元件的全部情况。在整个说明书中相同的附图标记指代相同的构成要件。为了说明实施例而在图中公开的形状、大小、比率、角度、数量等仅是示例，因此本发明不限于图示的事项。
51.第一、第二等是为了叙述多种构成要件而使用的，然而应明确该构成要件不受该类术语的限制。该类术语仅是为了将一个构成要件与其他构成要件进行区分而使用的。因此，应明确以下所提及的第一构成要件在本发明的技术思想内还可以为第二构成要件。
52.本发明的多个实施例的各个特征可以在部分或者整体上彼此结合或者组合，技术上可以进行多种联动以及驱动，各个实施例也可以相对于彼此独立实施，也可以作为相关关系一同实施。
53.以下，参考附图说明具体实施例。
54.图1是示出根据一实施例的显示装置的立体图，图2是示出根据一实施例的显示装置的分解立体图。
emitting diode)的有机发光显示面板、利用超小型发光二极管(micro led)的超小型发光二极管显示面板、利用包含量子点发光层的量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode)的量子点发光显示面板或者利用包含无机半导体的无机发光元件的无机发光显示面板。以下以显示面板300为有机发光显示面板的情况为中心进行说明。
65.显示面板300可以包括主区域ma以及从主区域ma的一侧突出的突出区域pa。
66.主区域ma可以包括一般区域mda、传感区域sda以及非显示区域nda。
67.一般区域mda可以与盖板窗口100的第一透过部da1重叠配置。传感区域sda可以与盖板窗口100的第二透过部da2重叠配置。传感区域sda可以配置在一般区域mda的一侧，例如如图2所示可以配置在上侧，然而不限于此。作为其他例，传感区域sda可以配置为被一般区域mda围绕，可以配置为与显示面板300的边角邻接。另外，图2中示例显示面板300包括一个传感区域sda，然而不限于此。例如，显示面板300可以包括多个传感区域sda。
68.一般区域mda和传感区域sda各自可以包括多个像素、与多个像素接通的扫描线和数据线、以及电源供应线。
69.非显示区域nda可以定义为显示面板300的边缘区域。非显示区域nda可以包括用于向扫描线施加扫描信号的扫描驱动部以及连接数据线和显示驱动部310的连接线。
70.突出区域pa可以从主区域ma的一侧突出。图2中，突出区域pa可以从一般区域mda的下侧突出。例如，突出区域pa的第一方向(x轴方向)的长度可以小于主区域ma的第一方向(x轴方向)的长度。
71.突出区域pa可以包括弯折区域和焊盘区域。此时，可以是焊盘区域配置在弯折区域的一侧，主区域ma配置在弯折区域的另一侧。例如，可以是焊盘区域配置在弯折区域的下侧，主区域ma配置在弯折区域的上侧。
72.显示面板300可以柔性形成以能够折弯、弯曲、弯折、折叠或者卷绕。因此，显示面板300可以在弯折区域朝厚度方向(z轴方向)弯折。
73.显示面板300可以包括显示驱动部310、电路板320、电源供应部330以及触摸驱动部340。
74.显示驱动部310可以输出用于驱动显示面板300的信号和电压。例如，显示驱动部310可以向数据线供应数据电压。另外，显示驱动部310可以向电源线供应电源电压，可以向扫描驱动部供应扫描控制信号。
75.电路板320可以利用异方性导电胶膜(anisotropic conductive film,acf)附着在焊盘上。然后，电路板320的导线可以与显示面板300的焊盘电连接。例如，电路板320可以为柔性印刷电路板(flexible printed circuit board,fpcb)、印刷电路板(printed circuit board,pcb)或者覆晶薄膜(chip on film,cof)之类的柔性膜(flexible film)。
76.电源供应部330可以配置在电路板320上，向显示驱动部310和显示面板300供应驱动电压。具体为，电源供应部330可以生成驱动电压，供应给驱动电压线，电源供应部330可以生成低电位电压，供应给子像素各自的发光元件的阴极电极。例如，驱动电压可以为用于驱动发光元件，例如有机发光二极管的高电位电压，低电位电压可以为用于驱动有机发光二极管的低电位电压。
77.触摸驱动部340可以配置在电路板320上，测定触摸电极的静电容量。例如，触摸驱动部340可以基于触摸电极的静电容量变化，判断使用者的触摸与否和使用者触摸位置等。
其中，使用者的触摸是指使用者的手指或者笔等之类的物体直接接触在触摸感测层上配置的显示装置10的一面的情况。然后，触摸驱动部340可以区分多个触摸电极中发生使用者触摸的部分和未发生使用者触摸的部分，判断使用者触摸位置。
78.托架600可以配置在显示面板300的下部。托架600可以由塑料、金属或者它们的组合构成。例如，托架600可以包括插入有第一摄像头传感器720的第一摄像头孔cmh1、配置有电池的电池孔bh、供与显示驱动部310或者电路板320连接的电缆通过的电缆孔cah以及配置有传感装置740、750、760、770的传感孔sh。作为其他例，托架600可以不包括传感孔sh，而代替地，可以形成为与显示面板300的传感区域sda不发生重叠。
79.主电路板700和电池790可以配置在托架600的下部。主电路板700可以为印刷电路板(printed circuit board)或者柔性印刷电路板。
80.主电路板700可以包括主处理器710、第一摄像头传感器720、主连接器730以及传感装置740、750、760、770。第一摄像头传感器720可以配置在主电路板700的上面和下面全部，主处理器710可以配置在主电路板700的上面，主连接器730可以配置在主电路板700的下面。传感装置740、750、760、770可以配置在主电路板700的上面。
81.主处理器710可以控制显示装置10的所有功能。例如，主处理器710可以向显示驱动部310供应数字视频数据以供显示面板300显示影像。主处理器710可以从触摸驱动部340输入得到触摸数据，并判断使用者的触摸坐标之后，执行使用者的触摸坐标中显示的图标所指示的应用。
82.主处理器710可以根据从传感装置740、750、760、770输入的传感信号，控制显示装置10。例如，主处理器710可以根据从接近传感器740输入的接近传感信号，判断物体是否位于接近显示装置10的上面。在通话模式中物体位于接近显示装置10的上面时，即便由使用者执行触摸，主处理器710也可以不执行触摸坐标中显示的图标所指示的应用。
83.主处理器710可以根据从照度传感器750输入的照度传感信号，判断显示装置10的上面的明度。主处理器710可以根据显示装置10的上面的明度，调整显示面板300所显示的影像的亮度。
84.主处理器710可以根据从虹膜传感器760输入的虹膜传感信号，判断使用者的虹膜图像是否与在存储器事先存储的虹膜图像相同。当使用者的虹膜图像与在存储器事先存储的虹膜图像相同时，主处理器710可以对显示装置10进行解锁，在显示面板300显示主画面。
85.第一摄像头传感器720可以处理通过图像传感器获取的静态影像或者动态影像等的图像帧，向主处理器710进行输出。例如，第一摄像头传感器720可以为cmos图像传感器或者ccd传感器，然而不一定局限于此。第一摄像头传感器720可以通过第二摄像头孔cmh2朝下部盖板900的下面露出，可以拍摄在显示装置10的下部配置的事物或者背景。
86.在主连接器730可以连接有通过托架600的电缆孔cah的电缆。由此，主电路板700可以与显示驱动部310或者电路板320电连接。
87.传感装置可以包括接近传感器740、照度传感器750、虹膜传感器760以及第二摄像头传感器770。
88.接近传感器740可以感测物体是否接近显示装置10的上面。例如，接近传感器740可以包括输出光的光源和接收被物体反射的光的光接收部。接近传感器740可以根据被物体反射的光量，判断是否存在位于接近显示装置10的上面的物体。接近传感器740在显示面
板300的厚度方向(z轴方向)上与传感孔sh、显示面板300的传感区域sda以及盖板窗口100的第二透过部da2重叠配置，因此可以根据是否存在位于接近显示装置10的上面的物体，生成接近传感信号，向主处理器710进行输出。
89.照度传感器750可以感测显示装置10的上面的明度。照度传感器750可以包括电阻值随着入射的光的明度而变化的电阻。照度传感器750可以根据电阻的电阻值，判断显示装置10的上面的明度。照度传感器750在显示面板300的厚度方向(z轴方向)上与传感孔sh、显示面板300的传感区域sda以及盖板窗口100的第二透过部da2重叠配置，因此可以根据显示装置10的上面的明度，生成照度传感信号，向主处理器710进行输出。
90.虹膜传感器760可以感测拍摄使用者的虹膜的图像是否与事先存储在存储器的虹膜图像相同。虹膜传感器760可以根据使用者的虹膜图像是否与事先存储在存储器的虹膜图像相同，生成虹膜传感信号，向主处理器710进行输出。
91.第二摄像头传感器770可以处理通过图像传感器获取的静态影像或者动态影像等的图像帧，向主处理器710进行输出。例如，第二摄像头传感器770可以为cmos图像传感器或者ccd传感器，然而并不一定局限于此。第二摄像头传感器770的像素数可以小于第一摄像头传感器720的像素数，第二摄像头传感器770的大小可以小于第一摄像头传感器720的大小。第二摄像头传感器770在显示面板300的厚度方向(z轴方向)上与传感孔sh、显示面板300的传感区域sda以及盖板窗口100的第二透过部da2重叠配置，因此可以拍摄在显示装置10的上部配置的事物或者背景。
92.电池790可以配置为在第三方向(z轴方向)上与主电路板700不发生重叠。电池790可以与托架600的电池孔bh重叠。
93.主电路板700还可以包括移动通信模组，其在移动通信网上可以与基地站、外部终端、服务器中的至少一个收发无线信号。无线信号可以包括语音信号、视频通话信号或者基于文字/多媒体短信收发的多种形态的数据。
94.下部盖板900可以配置在主电路板700和电池790的下部。下部盖板900可以与托架600耦合固定。下部盖板900可以形成显示装置10的下面外观。下部盖板900可以由塑料、金属或者它们的组合构成。
95.下部盖板900可以包括露出第一摄像头传感器720的下面的第二摄像头孔cmh2。第一摄像头传感器720的位置和与第一摄像头传感器720相对应的第一摄像头孔cmh1以及第二摄像头孔cmh2的位置不限于图2中图示的实施例。
96.图3是示出根据一实施例的显示面板的俯视图，图4是示出根据一实施例的显示面板和显示驱动部的框图。
97.参考图3以及图4，显示面板300可以包括一般区域mda、传感区域sda以及非显示区域nda。
98.一般区域mda可以包括第一子像素sp1、与第一子像素sp1接通的驱动电压线vddl、扫描线sl、发光控制线eml以及数据线dl。
99.第一子像素sp1可以与至少一个扫描线sl、至少一个数据线dl、至少一个发光控制线eml以及至少一个驱动电压线vddl接通。在图3以及图4中，第一子像素sp1分别与两个扫描线sl、一个数据线dl、一个发光控制线eml以及一个驱动电压线vddl接通，然而并不一定局限于此。例如，第一子像素sp1分别也可以与三个以上的扫描线sl接通。
100.第一子像素sp1分别可以包括驱动晶体管、至少一个开关晶体管、发光元件以及电容器。
101.第一子像素sp1可以通过驱动电压线vddl供应得到驱动电压。在此，驱动电压可以为用于驱动第一子像素sp1的发光元件的高电位电压。
102.扫描线sl和发光控制线eml可以朝第一方向(x轴方向)延长，可以朝与第一方向(x轴方向)交叉的第二方向(y轴方向)彼此隔开。
103.数据线dl和驱动电压线vddl可以朝第二方向(y轴方向)延长，可以朝第一方向(x轴方向)彼此隔开。
104.传感区域sda可以包括第二子像素sp2、与第二子像素sp2接通的驱动电压线vddl、扫描线sl、发光控制线eml以及数据线dl。
105.第二子像素sp2可以与至少一个扫描线sl、至少一个数据线dl、至少一个发光控制线eml以及至少一个驱动电压线vddl接通。在图3以及图4中，第二子像素sp2分别与两个扫描线sl、一个数据线dl、一个发光控制线eml以及一个驱动电压线vddl接通，然而并不一定局限于此。例如，第二子像素sp2分别也可以与三个以上的扫描线sl接通。
106.第二子像素sp2分别可以包括驱动晶体管、至少一个开关晶体管、发光元件以及电容器。
107.第二子像素sp2可以通过驱动电压线vddl供应得到驱动电压。在此，驱动电压可以为用于驱动第二子像素sp2的发光元件的高电位电压。
108.例如，一般区域mda的每单位面积的第一子像素sp1的数量可以多于传感区域sda的每单位面积的第二子像素sp2的数量。一般区域mda为作为显示装置10的主要功能的用于显示影像的区域，可以紧密配置有第一子像素sp1。传感区域sda可以包括配置有第二子像素sp2的像素区域和使光透过的透过区域。因此，传感区域sda的透过区域的面积越大，每单位面积的第二子像素sp2的数量可以少于每单位面积的第一子像素sp1的数量。
109.非显示区域nda可以定义为在显示面板300上除一般区域mda和传感区域sda之外的剩余区域。非显示区域nda可以包括用于向扫描线sl施加扫描信号的扫描驱动部410、连接数据线dl和显示驱动部310的扇出线fl以及与电路板320接通的焊盘dp。显示驱动部310和焊盘dp可以配置在显示面板300的焊盘区域。焊盘dp可以配置为相比显示驱动部310临近焊盘区域的一侧边缘。
110.图4中，显示驱动部310可以包括时序控制部311和数据驱动部312。
111.时序控制部311可以从电路板320接收数字视频数据data和时序信号。时序控制部311可以基于时序信号，生成扫描控制信号scs，控制扫描驱动部410的动作时序，可以生成发光控制信号ecs，控制发光控制驱动部420的动作时序，可以生成数据控制信号dcs，控制数据驱动部312的动作时序。时序控制部311可以通过第一扫描控制线scl1向扫描驱动部410输出扫描控制信号scs。时序控制部311可以通过第二扫描控制线scl2向发光控制驱动部420输出发光控制信号ecs。时序控制部311可以向数据驱动部312输出数字视频数据data和数据控制信号dcs。
112.数据驱动部312可以将数字视频数据data转换为模拟数据电压，通过扇出线fl向数据线dl输出。扫描驱动部410的扫描信号可以选择供应数据电压的子像素，经选择的子像素可以通过数据线dl接收数据电压。
113.图3中，扫描驱动部410可以配置在一般区域mda和传感区域sda的一侧外侧或者非显示区域nda的一侧。发光控制驱动部420可以配置在一般区域mda和传感区域sda的另一侧外侧或者非显示区域nda的另一侧。作为其他例，也可以是扫描驱动部410和发光控制驱动部420全部配置在一般区域mda和传感区域sda的一侧外侧。
114.可以为，扫描驱动部410包括用于基于扫描控制信号scs生成扫描信号的多个薄膜晶体管，发光控制驱动部420包括用于基于发光控制信号ecs生成发射信号的多个薄膜晶体管。例如，扫描驱动部410的薄膜晶体管和发光控制驱动部420的薄膜晶体管可以形成在与第一子像素sp1以及第二子像素sp2各自的薄膜晶体管相同的层。
115.图5是示出根据一实施例的子像素的电路图，图6是向图5中图示的子像素供应的信号的波形图。在此，图5中图示的子像素可以相当于图3以及图4中图示的第一子像素sp1或者第二子像素sp2。
116.参考图5以及图6，显示面板300可以包括沿着p行(p为自然数)和q列(q为自然数)排列的多个子像素。多个子像素分别可以与第一扫描线sla、第二扫描线slb、第三扫描线slc、发光控制线eml、数据线dl、驱动电压线vddl以及初始化电压线vil接通。
117.子像素可以包括驱动晶体管dt、发光元件el、多个开关元件、第一电容器c1以及第二电容器c2。开关元件可以包括第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st3、st4、st5、st6。
118.驱动晶体管dt可以包括栅极电极、源极电极以及漏极电极。驱动晶体管dt可以根据向栅极电极施加的数据电压，控制源极
‑
漏极间电流isd(以下称为“驱动电流”)。通过驱动晶体管dt的沟道流动的驱动电流isd可以与驱动晶体管dt的源极电极和栅极电极之间的电压vsg和阈值电压vth之差的平方成比例((isd＝k
×
(vsg
–
vth)2)。在此，k是指由驱动晶体管dt的结构和物理特性决定的比例系数，vsg是指驱动晶体管dt的源极
‑
栅极电压，vth是指驱动晶体管dt的阈值电压。
119.发光元件el可以接收驱动电流进行发光。发光元件el的发光量或者亮度可以与驱动电流的大小成比例。
120.发光元件el可以为包括阳极电极、阴极电极以及配置在阳极电极和阴极电极之间的有机发光层的有机发光二极管。或者，发光元件el可以为包括阳极电极、阴极电极以及配置在阳极电极和阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。或者，发光元件el可以为包括阳极电极、阴极电极以及配置在阳极电极和阴极电极之间的量子点发光层的量子点发光元件。或者，发光元件el可以为微型发光二极管。
121.发光元件el的阳极电极可以与第四节点n4接通。发光元件el的阳极电极可以通过第四节点n4与第五晶体管st5的漏极电极和第六晶体管st6的漏极电极接通。发光元件el的阴极电极可以与低电位线vssl接通。发光元件el的阳极电极和阴极电极之间可以形成寄生容量。
122.第一晶体管st1可以由第一扫描线sla的第一扫描信号sca开启(turn
‑
on)，从而接通作为驱动晶体管dt的漏极电极的第一节点n1和作为驱动晶体管dt的栅极电极的第二节点n2。第一晶体管st1的栅极电极可以与第一扫描线sla接通，漏极电极可以与第一节点n1接通，源极电极可以与第二节点n2接通。第一晶体管st1的漏极电极可以通过第一节点n1与驱动晶体管dt的漏极电极以及第五晶体管st5的源极电极接通。第一晶体管st1的源极电极可以通过第二节点n2与驱动晶体管dt的栅极电极、第三晶体管st3的源极电极、第一电容器
c1的第二电极以及第二电容器c2的第一电极接通。
123.第二晶体管st2可以由第二扫描线slb的第二扫描信号scb开启，从而接通数据线dl和作为驱动晶体管dt的源极电极的第三节点n3。第二晶体管st2可以以第二扫描信号scb为基础开启，从而向第三节点n3供应数据电压。第二晶体管st2的栅极电极可以与第二扫描线slb接通，源极电极可以与数据线dl接通，漏极电极可以与第三节点n3接通。第二晶体管st2的漏极电极可以通过第三节点n3与驱动晶体管dt的源极电极以及第四晶体管st4的漏极电极接通。
124.第三晶体管st3可以由第三扫描线slc的第三扫描信号scc开启，从而接通初始化电压线vil和作为驱动晶体管dt的栅极电极的第二节点n2。第三晶体管st3可以以第三扫描信号scc为基础开启，从而可以将驱动晶体管dt的栅极电极放电成初始化电压。第三晶体管st3的栅极电极可以与第三扫描线slc接通，漏极电极可以与初始化电压线vil接通，源极电极可以与第二节点n2接通。第三晶体管st3的源极电极可以通过第二节点n2与驱动晶体管dt的栅极电极、第一晶体管t1的源极电极、第一电容器c1的第二电极以及第二电容器c2的第一电极接通。
125.第四晶体管st4可以由发光控制线eml的发光信号em开启，从而接通驱动电压线vddl和作为驱动晶体管dt的源极电极的第三节点n3。可以是第四晶体管st4的栅极电极与发光控制线eml接通，源极电极与驱动电压线vddl接通，漏极电极与第三节点n3接通。第四晶体管st4的漏极电极可以通过第三节点n3与驱动晶体管dt的源极电极以及第二晶体管st2的漏极电极电连接。
126.第五晶体管st5可以由发光控制线eml的发光信号em开启，从而接通作为驱动晶体管dt的漏极电极的第一节点n1和作为发光元件el的阳极电极的第四节点n4。第五晶体管st5的栅极电极可以与发光控制线eml接通，源极电极可以与第一节点n1接通，漏极电极可以与第四节点n4接通。第五晶体管st5的源极电极可以通过第一节点n1与驱动晶体管dt的漏极电极以及第一晶体管st1的漏极电极接通。第五晶体管st5的漏极电极可以通过第四节点n4与发光元件el的阳极电极以及第六晶体管st6的漏极电极接通。
127.当第四晶体管st4、驱动晶体管dt以及第五晶体管st5全部被开启时，驱动电流可以被供应给发光元件el。
128.第六晶体管st6可以由第二扫描线slb的第二扫描信号scb开启，从而接通初始化电压线vil和作为发光元件el的阳极电极的第四节点n4。第六晶体管st6可以以第二扫描信号scb为基础开启，从而将发光元件el的阳极电极放电成初始化电压。第六晶体管st6的栅极电极可以与第二扫描线slb接通，源极电极可以与初始化电压线vil接通，漏极电极可以与第四节点n4接通。第六晶体管st6的漏极电极可以通过第四节点n4与发光元件el的阳极电极以及第五晶体管st5的漏极电极接通。
129.驱动晶体管dt、第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5以及第六晶体管st6分别可以包括硅基底的有源层。例如，驱动晶体管dt、第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5以及第六晶体管st6分别可以包括由低温多晶硅(low temperature polycrystalline silicon；ltps)构成的有源层。由低温多晶硅构成的有源层可以是电子移动性高，开启特性优秀。因此，显示装置10通过包括开启特性优秀的驱动晶体管dt、第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5以及第六晶体管st6，从而可以稳定有效地驱动
多个子像素。
130.驱动晶体管dt、第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5以及第六晶体管st6分别可以属于p
‑
型晶体管。例如，驱动晶体管dt、第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5以及第六晶体管st6分别可以以向栅极电极施加的栅极低电压为基础，将向源极电极流入的电流输出至漏极电极。
131.第一晶体管st1以及第三晶体管st3分别可以包括氧化物基底的有源层。例如，第一晶体管st1以及第三晶体管st3分别可以具有在氧化物基底的有源层的上部配置有栅极电极的共面(coplanar)结构。具有共面结构的晶体管的截止电流(off current)特性优秀，可以低频驱动，从而可以降低功耗。因此，显示装置10通过包括截止电流(off current)特性优秀的第一晶体管st1以及第三晶体管st3，从而可以防止在子像素内部流通截止电流，能够稳定维持子像素内部的电压。
132.第一晶体管st1以及第三晶体管st3分别可以相当于n
‑
型晶体管。例如，第一晶体管st1以及第三晶体管st3分别可以以向栅极电极施加的栅极高电压为基础，将向漏极电极流入的电流输出至源极电极。
133.第一电容器c1可以接通在第二扫描线slb和第二节点n2之间。例如，第一电容器c1的第一电极可以与第二扫描线slb接通，第一电容器c1的第二电极可以与作为驱动晶体管dt的栅极电极的第二节点n2接通。第一电容器c1通过存储第二扫描线slb和驱动晶体管dt的栅极电极之间的差电压，从而可以控制驱动晶体管dt的栅极电极的电压。
134.第一电容器c1可以利用第二扫描信号scb的栅极低电压，耦合(coupling)驱动晶体管dt的栅极电极。例如，由第二扫描线slb提供的第二扫描信号scb上升，则第一电容器c1可以提高第二节点n2的电压，第二扫描信号scb下降，则第一电容器c1可以降低第二节点n2的电压。因此，第一电容器c1可以与第二扫描信号scb的上升时刻或者下降时刻同步，从而控制驱动晶体管dt的栅极电极的电压。
135.第二电容器c2可以接通在作为驱动晶体管dt的栅极电极的第二节点n2和驱动电压线vddl之间。例如，第二电容器c2的第一电极与第二节点n2接通，第二电容器c2的第二电极与驱动电压线vddl接通，从而可以维持驱动电压线vddl和驱动晶体管dt的栅极电极之间的电位差。
136.将图6与图5进行结合，则显示装置10可以通过一个帧的第一期间t1至第四期间t4进行驱动。
137.第三晶体管st3可以在第一期间t1接收高电平的第三扫描信号scc。第三晶体管st3可以以高电平的第三扫描信号scc为基础被开启，可以将初始化电压(以下由“vi”表示)供应给作为驱动晶体管dt的栅极电极的第二节点n2。因此，第三晶体管st3可以在第一期间t1初始化驱动晶体管dt的栅极电极。
138.第六晶体管st6可以在第二期间t2接收低电平的第二扫描信号scb。第六晶体管st6可以以低电平的第二扫描信号scb为基础被开启，可以将初始化电压vi供应给作为发光元件el的阳极电极的第四节点n4。因此，第六晶体管st6可以在第二期间t2初始化发光元件el的阳极电极。
139.第二晶体管st2可以在第二期间t2接收低电平的第二扫描信号scb。第二晶体管st2可以以低电平的第二扫描信号scb为基础被开启，可以将数据电压(以下由“vdata”表
示)供应给作为驱动晶体管dt的源极电极的第三节点n3。
140.第一晶体管st1可以在第三期间t3接收高电平的第一扫描信号sca。第一晶体管st1可以以高电平的第一扫描信号sca为基础被开启，可以接通第一节点n1和第二节点n2。
141.驱动晶体管dt的源极电极接收数据电压vdata的情况下，驱动晶体管dt的源极
‑
栅极电压vsg可以相当于数据电压vdata和初始化电压vi的差电压vdata
‑
vi，驱动晶体管dt由于源极
‑
栅极电压vsg大于阈值电压(以下由“vth”表示)而可以被开启(vdata
‑
vi>＝vth)。因此，驱动晶体管dt在第二期间t2被开启的瞬间，驱动晶体管dt的源极
‑
栅极电流isd可以由数据电压vdata、初始化电压vi以及驱动晶体管dt的阈值电压vth决定(isd＝k*(vdata
‑
vi
‑
vth)^2)。驱动晶体管dt可以向第一节点n1供应源极
‑
漏极电流isd直到源极
‑
栅极电压vsg到达至驱动晶体管dt的阈值电压vth。然后，第一晶体管st1可以在第三期间t3被开启，将第一节点n1的电压供应给第二节点n2。通过这样的方式，在驱动晶体管dt被开启期间，第二节点n2的电压以及驱动晶体管dt的源极
‑
漏极电流isd可以发生改变，最终第二节点n2的电压可以收敛为数据电压vdata和驱动晶体管dt的阈值电压vth的差电压vdata
‑
vth。
142.发射信号em在第四期间t4可以具有栅极低电压。发射信号em具有低电平，则第四晶体管st4以及第五晶体管st5被开启而可以向发光元件el供应驱动电流。
143.图7是示出图5中图示的子像素的一例的俯视图，图8是示出图7中图示的子像素的一部分层的俯视图，图9是示出图7中图示的子像素的另一部分层的俯视图。例如，图7可以相当于第一有源层、第一栅极层、第二栅极层、第二有源层、第三栅极层以及源极
‑
漏极层按顺序层叠的图。图8可以相当于第一有源层、第一栅极层以及第二栅极层按顺序层叠的图，图9可以相当于第二有源层、第三栅极层以及源极
‑
漏极层按顺序层叠的图。对于图7至图9的层的层叠关系，在以下图10以及图11中进行详细说明。
144.参考图7至图9，驱动晶体管dt可以包括有源区域dt_act、栅极电极dt_g、源极电极dt_s以及漏极电极dt_d。驱动晶体管dt的有源区域dt_act可以配置在第一有源层，可以与驱动晶体管dt的栅极电极dt_g重叠。例如，第一有源层可以由低温多晶硅(ltps)构成。
145.驱动晶体管dt的栅极电极dt_g可以通过第一接触孔cnt1与第一连接电极be1接通，第一连接电极be1可以通过第二接触孔cnt2与第二有源层的导体部con接通。例如，第二有源层可以由氧化物基底的物质构成。另外，驱动晶体管dt的栅极电极dt_g中与第二电容器c2的第二电极ce22重叠的区域可以相当于第二电容器c2的第一电极ce21。
146.驱动晶体管dt的源极电极dt_s可以与第二晶体管st2的漏极电极d2以及第四晶体管st4的漏极电极d4接通。
147.驱动晶体管dt的漏极电极dt_d可以通过第七接触孔cnt7与第三连接电极be3接通，第三连接电极be3可以通过第六接触孔cnt6与第一晶体管st1的漏极电极d1接通。另外，驱动晶体管dt的漏极电极dt_d可以与第五晶体管st5的源极电极s5接通。
148.第二有源层的导体部con可以配置在无机膜图案ptn上，可以配置在第一扫描线sla的下部。例如，第二有源层的导体部con、第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3可以通过热处理氧化物基底的第二有源层进行导体化。
149.第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3可以从配置在第二有源层上的无机膜传递得到
氢，从而被导体化。其中，配置在第二有源层上的无机膜可以覆盖第二有源层上的栅极绝缘膜以及栅极层。例如，配置在第二有源层上的无机膜可以包括氢含量相对高的硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx。硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx中包含的氢可以通过热处理工艺被扩散到第二有源层，可以将第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3导体化。
150.例如，第二有源层的导体部con可以与配置在第二有源层上的第一扫描线sla重叠。即，配置在第二有源层上的无机膜可以覆盖第一扫描线sla，因此第一扫描线sla可以阻止热处理工艺中无机膜的氢扩散到第二有源层的导体部con。
151.第二有源层的导体部con可以在热处理工艺中从配置在导体部con的下部的无机膜图案ptn传递得到氢。例如，无机膜图案ptn可以包括氢含量相对高的硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx。无机膜图案ptn的氢含量可以高于覆盖第二有源层的栅极绝缘膜或者配置在第二有源层的下部的层间绝缘膜的氢含量。因此，第二有源层的导体部con即便配置在第一扫描线sla的下部，也可以作为连接第一电容器c1的第二电极ce12或者第一晶体管st1的源极电极s1和驱动晶体管dt的栅极电极dt_g的布线使用。显示装置10将在栅极电极(例如，第一扫描线sla)下部配置的有源层(例如，导体部con)作为布线使用，从而能够体现多种连接结构以及桥架结构，可以增加像素电路的设计自由度。显示装置10通过设计自由度的增加，可以提高空间活用度，可以提高显示装置10的分辨率。
152.第一晶体管st1可以包括有源区域act1、栅极电极g1、源极电极s1以及漏极电极d1。第一晶体管st1的有源区域act1可以与第一晶体管st1的栅极电极g1重叠。例如，第一晶体管st1的有源区域act1可以由氧化物基底的物质构成。第一晶体管st1的栅极电极g1作为第一扫描线sla的一部分，可以相当于第一扫描线sla中与有源区域act1重叠的区域。
153.第一晶体管st1的漏极电极d1可以通过第六接触孔cnt6与第三连接电极be3接通，第三连接电极be3可以通过第七接触孔cnt7与驱动晶体管dt的漏极电极dt_d以及第五晶体管st5的源极电极s5接通。
154.第一晶体管st1的源极电极s1可以与第三晶体管st3的源极电极s3以及第一电容器c1的第二电极ce12接通。另外，第一晶体管st1的源极电极s1可以通过导体部con以及第二接触孔cnt2与第一连接电极be1接通，第一连接电极be1可以通过第一接触孔cnt1与驱动晶体管dt的栅极电极dt_g或者第二电容器c2的第一电极ce21接通。
155.第二晶体管st2可以包括有源区域act2、栅极电极g2、源极电极s2以及漏极电极d2。第二晶体管st2的有源区域act2可以与第二晶体管st2的栅极电极g2重叠。例如，第二晶体管st2的有源区域act2可以由低温多晶硅ltps构成。第二晶体管st2的栅极电极g2作为第二扫描线slb的一部分，可以相当于第二扫描线slb中与有源区域act2重叠的区域。
156.第二晶体管st2的源极电极s2可以通过第八接触孔cnt8与第四连接电极be4接通，第四连接电极be4可以与数据线dl接通。因此，第二晶体管st2的源极电极s2可以从数据线dl接收数据电压。
157.第二晶体管st2的漏极电极d2可以与驱动晶体管dt的源极电极dt_s以及第四晶体管st4的漏极电极d2接通。
158.第三晶体管st3可以包括有源区域act3、栅极电极g3、漏极电极d3以及源极电极s3。第三晶体管st3的有源区域act3可以与第三晶体管st3的栅极电极g3重叠。例如，第三晶
体管st3的有源区域act3可以包括氧化物基底的有源层。第三晶体管st3的栅极电极g3作为第三扫描线slc的一部分，可以相当于第三扫描线slc中与有源区域act3重叠的区域。
159.第三晶体管st3的漏极电极d3可以通过第十接触孔cnt10与初始化电压线vil接通，从而接收初始化电压vi。
160.第三晶体管st3的源极电极s3可以与第一晶体管st1的源极电极s1以及第一电容器c1的第二电极ce12接通。另外，第三晶体管st3的源极电极s3可以通过导体部con以及第二接触孔cnt2与第一连接电极be1接通，第一连接电极be1可以通过第一接触孔cnt1与驱动晶体管dt的栅极电极dt_g或者第二电容器c2的第一电极ce21接通。
161.第四晶体管st4可以包括有源区域act4、栅极电极g4、源极电极s4以及漏极电极d4。第四晶体管st4的有源区域act4可以与第四晶体管st4的栅极电极g4重叠。例如，第四晶体管st4的有源区域act4可以由低温多晶硅ltps构成。第四晶体管st4的栅极电极g4作为发光控制线eml的一部分，可以相当于发光控制线eml中与有源区域act4重叠的区域。
162.第四晶体管st4的源极电极s4可以通过第十二接触孔cnt12与驱动电压线vddl接通。因此，第四晶体管st4的源极电极s4可以从驱动电压线vddl接收驱动电压。
163.第四晶体管st4的漏极电极d4可以与驱动晶体管dt的源极电极dt_s以及第二晶体管st2的漏极电极d2接通。
164.第五晶体管st5可以包括有源区域act5、栅极电极g5、源极电极s5以及漏极电极d5。第五晶体管st5的有源区域act5可以与第五晶体管st5的栅极电极g5重叠。例如，第五晶体管st5的有源区域act5可以由低温多晶硅ltps构成。第五晶体管st5的栅极电极g5作为发光控制线eml的一部分，可以相当于发光控制线eml中与有源区域act5重叠的区域。
165.第五晶体管st5的源极电极s5可以与驱动晶体管dt的漏极电极dt_d接通。另外，第五晶体管st5的源极电极s5可以通过第七接触孔cnt7与第三连接电极be3接通，第三连接电极be3可以通过第六接触孔cnt6与第一晶体管st1的漏极电极d1接通。
166.第五晶体管st5的漏极电极d5可以通过第九接触孔cnt9与第一阳极连接电极ande1接通。第一阳极连接电极ande1可以与发光元件el的阳极电极接通。
167.第六晶体管st6可以包括有源区域act6、栅极电极g6、漏极电极d6以及源极电极s6。第六晶体管st6的有源区域act6可以与第六晶体管st6的栅极电极g6重叠。例如，第六晶体管st6的有源区域act6可以由低温多晶硅ltps构成。第六晶体管st6的栅极电极g6作为第二扫描线slb的一部分，可以相当于第二扫描线slb中与有源区域act6重叠的区域。
168.第六晶体管st6的源极电极s6可以通过第十一接触孔cnt11与初始化电压线vil接通，从而接收初始化电压vi。
169.第六晶体管st6的漏极电极d6可以通过第九接触孔cnt9与第一阳极连接电极ande1接通。第一阳极连接电极ande1可以与发光元件el的阳极电极接通。
170.第一电容器c1可以包括第一电极ce11以及第二电极ce12。第一电容器c1的第一电极ce11作为第二扫描线slb的一部分，可以相当于第二扫描线slb中与第二有源层重叠的区域。第一电容器c1的第二电极ce12作为第二有源层的一部分，可以相当于第二有源层中与第二扫描线slb重叠的区域。
171.第一电容器c1的第二电极ce12可以通过导体部con以及第二接触孔cnt2与第一连接电极be1接通，第一连接电极be1可以通过第一接触孔cnt1与驱动晶体管dt的栅极电极
dt_g或者第二电容器c2的第一电极ce21接通。第一电容器c1可以利用第二扫描信号scb的栅极低电压，耦合(coupling)驱动晶体管dt的栅极电极dt_g。因此，第一电容器c1可以与第二扫描信号scb的下降时刻同步，降低驱动晶体管dt的栅极电极dt_g的电压，从而可以提高驱动晶体管dt的开启特性，提高发光元件el的亮度。
172.第二电容器c2可以包括第一电极ce21以及第二电极ce22。第二电容器c2的第一电极ce21作为驱动晶体管dt的栅极电极dt_g的一部分，可以相当于驱动晶体管dt的栅极电极dt_g中与第二栅极层重叠的区域。第二电容器c2的第一电极ce21可以通过第一接触孔cnt1与第一连接电极be1接通，第一连接电极be1可以通过第二接触孔cnt2与第二有源层的导体部con接通。
173.第二电容器c2的第二电极ce22可以通过第五接触孔cnt5与驱动电压线vddl接通。因此，第二电容器c2的第二电极ce22可以从驱动电压线vddl接收驱动电压。
174.图10是沿着图7的截取线i
‑
i`截取的截面图，图11是沿着图7的截取线ii
‑
ii`截取的截面图。
175.将图10以及图11与图7至图9结合时，显示面板300可以包括基板sub、缓冲层bf、第一有源层actl1、第一栅极绝缘层gi1、第一栅极层gtl1、第一层间绝缘膜ild1、第二栅极层gtl2、第二层间绝缘膜ild2、无机膜图案ptn、第二有源层actl2、第二栅极绝缘层gi2、第三栅极层gtl3、第三层间绝缘膜ild3以及源极
‑
漏极层sdl。
176.基板sub可以为基底基板，可以由高分子树脂等绝缘物质构成。例如，基板sub可以为可弯折(bending)、折叠(folding)、卷取(rolling)等的柔性(flexible)基板。
177.例如，显示面板300还可以包括与驱动晶体管dt、第一晶体管st1至第六晶体管st6中的至少一个晶体管重叠的遮光层bml。遮光层bml阻隔向驱动晶体管dt或者第一晶体管st1至第六晶体管st6入射的光，从而可以提高晶体管的开启特性。
178.缓冲层bf可以配置在基板sub上。例如，缓冲层bf可以包括多个无机膜，为了阻隔通过基板sub渗透到发光元件el的水分，可以形成在基板sub的整个上面。
179.第一有源层actl1可以配置在缓冲层bf上。第一有源层actl1可以由硅基底的物质构成。例如，第一有源层actl1可以由低温多晶硅ltps构成。驱动晶体管dt、第二晶体管st2、第四晶体管st4、第五晶体管st5以及第六晶体管st6各自的有源区域dt_act、act2、act4、act5、act6、源极电极dt_s、s2、s4、s5、s6以及漏极电极dt_d、d2、d4、d5、d6可以配置在第一有源层actl1。
180.第一栅极绝缘膜gi1可以覆盖缓冲层bf和第一有源层actl1，可以使第一有源层actl1和第一栅极层gtl1绝缘。
181.第一栅极层gtl1可以配置在第一栅极绝缘膜gi1上。驱动晶体管dt的栅极电极dt_g、第二扫描线slb以及发光控制线eml可以配置在第一栅极层gtl1。
182.第一栅极电极dt_g的一部分可以与在第二栅极层gtl2配置的第二电容器c2的第二电极ce22重叠，形成第二电容器c2的第一电极ce21。
183.第二扫描线slb的一部分可以与第二晶体管st2的有源区域act2重叠，形成第二晶体管st2的栅极电极g2。第二扫描线slb的另一部分可以与第六晶体管st6的有源区域act6重叠，形成第六晶体管st6的栅极电极g6。第二扫描线slb的又一部分可以与在第二有源层actl2配置的第一电容器c1的第二电极ce12重叠，形成第一电容器c1的第一电极ce11。
184.发光控制线eml的一部分可以与第四晶体管st4的有源区域act4重叠，形成第四晶体管st4的栅极电极g4。发光控制线eml的另一部分可以与第五晶体管st5的有源区域act5重叠，形成第五晶体管st5的栅极电极g5。
185.第一层间绝缘膜ild1可以覆盖第一栅极层gtl1和第一栅极绝缘膜gi1。第一层间绝缘膜ild1可以使第一栅极层gtl1和第二栅极层gtl2绝缘。
186.第二栅极层gtl2可以配置在第一层间绝缘膜ild1上。遮光层bml以及第二电容器c2的第二电极ce22可以配置在第二栅极层gtl2。遮光层bml可以与第一晶体管st1重叠配置，从而阻隔向第一晶体管st1入射的光。第二电容器c2的第二电极ce22可以与配置在第一栅极层gtl1的第一电极ce21重叠。
187.第二层间绝缘膜ild2可以覆盖第二栅极层gtl2和第一层间绝缘膜ild1。第二层间绝缘膜ild2可以使第二栅极层gtl2和第二有源层actl2绝缘。
188.无机膜图案ptn可以夹杂在第二层间绝缘膜ild2和第二有源层actl2之间。例如，无机膜图案ptn可以与第二有源层actl2以及第一扫描线sla的交叉区域重叠。第二有源层actl2的导体部con可以配置在无机膜图案ptn上，可以配置在第一扫描线sla的下部。例如，导体部con、第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3可以通过热处理氧化物基底的第二有源层actl2进行导体化。
189.第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3可以从第三层间绝缘膜ild3传递得到氢进行导体化。在此，第三层间绝缘膜ild3可以覆盖第二有源层actl2上的第二栅极绝缘膜gi2以及第三栅极层gtl3。例如，第三层间绝缘膜ild3可以包括氢含量相对高的硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx。硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx中包含的氢可以通过热处理工序扩散到第二有源层actl2，可以使第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3导体化。
190.例如，第二有源层actl2的导体部con可以与配置在第二有源层actl2上的第一扫描线sla重叠。即，第三层间绝缘膜ild3可以覆盖配置在第三栅极层gtl3的第一扫描线sla，因此，第一扫描线sla可以阻止热处理工艺中第三层间绝缘膜ild3的氢扩散到第二有源层actl2的导体部con。
191.第二有源层actl2的导体部con可以在热处理工艺中从配置在导体部con的下部的无机膜图案ptn传递得到氢。例如，无机膜图案ptn可以包括氢含量相对高的硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx。无机膜图案ptn的氢含量可以高于覆盖第二有源层actl2的第二栅极绝缘膜gi2或者在第二有源层actl2的下部配置的第二层间绝缘膜ild2的氢含量。因此，第二有源层actl2的导体部con即便配置在第一扫描线sla的下部，也可以从无机膜图案ptn传递得到氢进行导体化。第二有源层actl2的导体部con可以作为用于连接与导体部con的一端接通的第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的源极电极s1或者第三晶体管st3的源极电极s3与在导体部con的另一端接通的驱动晶体管dt的栅极电极dt_g或者第二电容器c2的第一电极ce21的布线使用。显示装置10将配置在配置于第三栅极层gtl3的第一扫描线sla的下部的导体部con作为布线使用，从而能够体现多种连接结构以及桥架结构，可以增加像素电路的设计自由度。显示装置10通过设计自由度的增加，可以提高空间活用度，可以
提高显示装置10的分辨率。
192.第二有源层actl2可以配置在第二层间绝缘膜ild2上。例如，第二有源层actl2可以由氧化物基底的物质构成。第一晶体管st1以及第三晶体管st3各自的有源区域act1、act3、漏极电极d1、d3以及源极电极s1、s3可以配置在第二有源层actl2。另外，第二有源层actl2的一部分可以与配置在第一栅极层gtl1的第二扫描线slb重叠，形成第一电容器c1的第二电极ce12。
193.第二栅极绝缘膜gi2可以覆盖第二层间绝缘膜ild2和第二有源层actl2，可以使第二有源层actl2和第三栅极层gtl3绝缘。
194.第三栅极层gtl3可以配置在第二栅极绝缘膜gi2上。第一扫描线sla以及第三扫描线slc可以配置在第三栅极层gtl3。第一扫描线sla的一部分可以与第一晶体管st1的有源区域act1重叠，形成第一晶体管st1的栅极电极g1。第三扫描线slc的一部分可以与第三晶体管st3的有源区域act3重叠，形成第三晶体管st3的栅极电极g3。
195.第三层间绝缘膜ild3可以覆盖第三栅极层gtl3和第二栅极绝缘膜gi2。第三层间绝缘膜ild3可以使第三栅极层gtl3和源极
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漏极层sdl绝缘。
196.源极
‑
漏极层sdl可以配置在第三层间绝缘膜ild3上。第一连接电极be1、第三连接电极be3、第四连接电极be4、驱动电压线vddl、初始化电压线vil以及第一阳极连接电极ande1分别可以配置在源极
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漏极层sdl。
197.第一连接电极be1可以通过第一接触孔cnt1与驱动晶体管dt的栅极电极dt_g接通，可以通过第二接触孔cnt2与第二有源层的导体部con接通。
198.第三连接电极be3可以通过第六接触孔cnt6与第一晶体管st1的源极电极s1接通，可以通过第七接触孔cnt7与驱动晶体管dt的漏极电极dt_d接通。
199.第四连接电极be4可以通过第八接触孔cnt8与第二晶体管st2的源极电极s2接通。另外，第四连接电极be4可以与数据线dl接通。
200.驱动电压线vddl可以通过第五接触孔cnt5与第二电容器c2的第二电极ce22接通，可以通过第十二接触孔cnt12与第四晶体管st4的源极电极s4接通。
201.初始化电压线vil可以通过第十接触孔cnt10与第三晶体管st3的漏极电极d3接通，可以通过第十一接触孔cnt11与第六晶体管st6的源极电极s6接通。
202.第一阳极连接电极ande1可以通过第九接触孔cnt9与第五晶体管st5的漏极电极d5接通。另外，第一阳极连接电极ande1可以与发光元件el的阳极电极接通。
203.图12是示出图5中图示的子像素的其他例的俯视图，图13是示出图12中图示的子像素的一部分层的俯视图，图14是示出图12中图示的子像素的另一部分层的俯视图。例如，图12可以相当于第一有源层、第一栅极层、第二栅极层、第二有源层、第三栅极层以及源极
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漏极层按顺序层叠的图。图13可以相当于第一有源层、第一栅极层以及第二栅极层按顺序层叠的图，图14可以相当于第二有源层、第三栅极层以及源极
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漏极层按顺序层叠的图。另外，图15是沿着图12的截取线iii
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iii`截取的截面图，图16是沿着图12的截取线iv
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iv`截取的截面图。
204.图12至图16中图示的子像素为在上述的子像素中将无机膜图案ptn的配置以及基于此的像素电路的连接结构设置为不同，对于与上述的结构相同的结构，进行简单说明或者省略。
205.参考图12至图16，显示面板300可以包括基板sub、缓冲层bf、第一有源层actl1、第一栅极绝缘层gi1、第一栅极层gtl1、第一层间绝缘膜ild1、第二栅极层gtl2、第二层间绝缘膜ild2、无机膜图案ptn、第二有源层actl2、第二栅极绝缘层gi2、第三栅极层gtl3、第三层间绝缘膜ild3以及源极
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漏极层sdl。显示面板300的多个子像素分别可以包括驱动晶体管dt、第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5、st6以及第一电容器c1以及第二电容器c2。
206.显示面板300还可以包括配置在源极
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漏极层sdl的第二连接电极be2。驱动晶体管dt的栅极电极dt_g可以通过第三接触孔cnt3与第二连接电极be2接通，第二连接电极be2可以通过第四接触孔cnt4与第一电容器c1的第二电极ce12接通。第一电容器c1的第二电极ce12可以与第一晶体管st1的源极电极s1以及第三晶体管st3的源极电极s3接通。另外，驱动晶体管dt的栅极电极dt_g中与第二栅极层gtl2重叠的区域可以相当于第二电容器c2的第一电极ce21。
207.第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3可以通过热处理氧化物基底的第二有源层actl2进行导体化。
208.例如，第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3可以从第三层间绝缘膜ild3传递得到氢进行导体化。在此，第三层间绝缘膜ild3可以覆盖第二有源层actl2上的第二栅极绝缘膜gi2以及第三栅极层gtl3。例如，第三层间绝缘膜ild3可以包括氢含量相对高的硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx。硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx中包含的氢可以通过热处理工艺被扩散到第二有源层actl2，可以将第一电容器c1的第二电极ce12、第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3导体化。
209.无机膜图案ptn可以配置在第一电容器c1的第二电极ce12的下部。例如，无机膜图案ptn可以配置为在第二层间绝缘膜ild2和第二有源层actl2之间与第一电容器c1的第二电极ce12重叠。
210.第一电容器c1的第二电极ce12可以在热处理工艺中从第三层间绝缘膜ild3传递得到氢，可以从无机膜图案ptn进一步传递得到氢。例如，无机膜图案ptn可以包括氢含量相对高的硅氧化膜siox或者硅氮化膜sinx。无机膜图案ptn的氢含量可以高于覆盖第二有源层actl2的第二栅极绝缘膜gi2或者配置在第二有源层actl2的下部的第二层间绝缘膜ild2的氢含量。因此，第一电容器c1的第二电极ce12的传导性可以高于与无机膜图案ptn不发生重叠的第二有源层actl2的传导性。例如，第一电容器c1的第二电极ce12的传导性可以高于第一晶体管st1的漏极电极d1以及源极电极s1、第三晶体管st3的漏极电极d3以及源极电极s3的传导性。因此，显示装置10可以清除多个像素的传导性偏差导致的斑纹，可以提高显示装置10的信赖性。
211.以上参考附图说明了本发明的实施例，然而本发明所属技术领域中具有通常知识的人应理解在不改变本发明的技术思想或者必要特征的情况下可以实施为其他具体形态。因此，应理解以上叙述的实施例在所有面上属于示例，而不用于限定。