技术特征：
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含：形成一鳍状结构于一基材上方；形成具有一横向宽度的一源极/漏极区域于该鳍状结构上方；移除该源极/漏极区域的一部位以缩短该源极/漏极区域的该横向宽度；以及形成一绝缘堆叠体于具有经缩短的该横向宽度的该源极/漏极区域上。
技术总结
本揭露叙述一种半导体结构的形成方法。半导体结构可包含基材、形成于基材上方的绝缘堆叠体、穿过绝缘堆叠体形成的垂直结构、形成于垂直结构上方的源极/漏极区域以及形成与源极/漏极区域相邻并突出绝缘堆叠体的隔离结构。源极/漏极区域可包含第一侧面以及第二侧面。介于第一侧面以及垂直结构之间的侧向离距可大于介于第二侧面以及垂直结构之间的另一侧向离距。侧向离距。侧向离距。
技术研发人员：陈朝硕 张嘉德 李宜静
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.12.11
技术公布日：2021/10/21
再多了解一些
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