半导体器件结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；所述第一导电类型的外延结构，所述外延结构形成于所述半导体衬底上，且所述外延结构包括至少两层外延单元层，所述外延单元层中的至少两层具有不同的掺杂浓度；沟槽结构，形成于所述外延结构中；第二导电类型的柱结构，所述柱结构形成于所述沟槽结构中。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，半导体器件结构还包括：体区，形成于所述外延结构内，且位于所述柱结构的顶部；栅氧化层，位于所述外延结构上，且所述栅氧化层显露部分所述体区；栅极层，位于所述栅氧化层的表面；源区，位于所述体区内，且位于所述栅氧化层的侧部；层间电介质层，位于栅极层的表面及侧壁，且显露部分所述源区；正面金属电极，位于所述体区、所述源区及所述层间电介质层的表面；背面金属电极，位于所述半导体衬底远离所述外延结构的一侧。3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述外延结构包括顶层结构层，所述体区形成于所述顶层结构层中。4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构还包括引出接触区，所述引出接触区形成于所述体区中且与所述源区相邻接。5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述外延结构包括底层结构层，所述底层结构层形成于所述半导体衬底上，所述外延单元层形成于所述底层结构层上。6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，各所述外延单元层的浓度范围介于1.9e
15
～2.3e
15
cm-3
之间。7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于，各层所述外延单元层的浓度自所述半导体衬底向上呈线性梯度变化。8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于，各层所述外延单元层的浓度自所述半导体衬底向上呈等差数列递增。9.根据权利要求1-8中任意一项所述的半导体器件结构，其特征在于，所述沟槽结构的侧壁与底部之间的夹角的角度范围介于87
°-
90
°
之间。10.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其特征在于，所述沟槽结构的深度基于35μm-45μm之间，各所述外延单元层的厚度介于6μm-12μm之间。

技术总结
本发明提供一种半导体器件结构，半导体器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延结构，外延结构包括至少两层外延单元层，且至少两层具有不同的掺杂浓度；沟槽结构以及形成于沟槽结构中的第二导电类型的柱结构。本发明在制备外延结构的过程中，制备出包括少两层外延单元层的外延结构，且外延单元层中的至少两层具有不同的掺杂浓度，可以基于上述材料层的设置改变形成在外延结构中的沟槽结构的侧壁的形貌，从而可以使得在沟槽结构中形成的柱结构的形貌依据实际需求进行改进，可以改变沟槽结构侧壁与底部之间的倾斜情况，即改变柱结构侧壁与底部之间的倾斜情况，进而可以改善由其引起的电容急剧变化的问题。题。题。


技术研发人员：王鹏 徐大朋 罗杰馨 柴展
受保护的技术使用者：上海功成半导体科技有限公司
技术研发日：2020.04.13
技术公布日：2021/10/21