一种MOS型超结功率器件的终端结构的制作方法

技术特征：
1.一种mos型超结功率器件的终端结构，其特征在于，从器件边缘向器件有源区方向依次为终端区、过渡区和元胞区，终端区、过渡区和元胞区共用第一导电类型半导体衬底以及位于第一导电类型半导体衬底上方的第一导电类型外延层；终端区包括截止环、多个相互独立的终端区第二导电类型第一柱区、多个相互独立的终端区第二导电类型第二柱区和终端区第二导电类型第三柱区；终端区第二导电类型第一柱区和终端区第二导电类型第二柱区均通过第一导电类型半导体外延层相隔离，终端区第二导电类型第一柱区上表面与外延层的上表面齐平，终端区第二导电类型第二柱区上表面与终端区第二导电类型第三柱区下表面连接，终端区第二导电类型第一柱区下表面与终端区第二导电类型第二柱区下表面齐平；终端区第二导电类型第三柱区位于第一导电类型外延层上层靠近过渡区的一端，终端区第二导电类型第三柱区上表面与第一导电类型外延层的上表面齐平；元胞区包括一个或多个相互独立的元胞区第二导电类型柱区和元胞区第二导电类型体区，元胞区第二导电类型体区位于第一导电类型外延层上层，元胞区第二导电类型体区上表面与第一导电类型外延层上表面平齐，元胞区第二导电类型体区下表面与元胞区第二导电类型柱区上表面连接；元胞区第二导电类型柱区的下表面与终端区第二导电类型第一柱区的下表面齐平；过渡区包括一个或多个相互独立的过渡区第二导电类型柱区和过渡区第二导电类型体区，过渡区第二导电类型体区位于第一导电类型外延层上层，由元胞区第二导电类型体区延伸而来，过渡区第二导电类型体区下表面与过渡区第二导电类型柱区上表面连接；过渡区第二导电类型柱区的下表面与终端区第二导电类型第一柱区的下表面齐平。2.根据权利要求1所述的mos型超结功率器件的终端结构，其特征在于，终端区第二导电类型第一柱区的掺杂浓度与终端区第二导电类型第二柱区的掺杂浓度相同，终端区第二导电类型第三柱区掺杂浓度大于或等于终端区第二导电类型第一柱区的掺杂浓度，终端区第二导电类型第三柱区的宽度大于或等于终端区第二导电类型第二柱区宽度与邻近间距之和。3.根据权利要求1或2所述的mos型超结功率器件的终端结构，其特征在于，终端区第二导电类型第一柱区、终端区第二导电类型第二柱区、过渡区第二导电类型柱区和元胞区第二导电类型柱区的宽度相同，其邻近间距相同。4.根据权利要求1或2所述的mos型超结功率器件的终端结构，其特征在于，第一导电类型为n型,第二导电类型为p型；或第一导电类型为p型,第二导电类型为n型。5.根据权利要求3所述的mos型超结功率器件的终端结构，其特征在于，第一导电类型为n型,第二导电类型为p型；或第一导电类型为p型,第二导电类型为n型。

技术总结
本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种MOS型超结功率器件的终端结构，从器件边缘向器件有源区方向依次为终端区、过渡区和元胞区，终端区、过渡区和元胞区共用第一导电类型半导体衬底以及位于第一导电类型半导体衬底上方的第一导电类型外延层；本发明提供的MOS型超结功率器件的终端结构，降低了终端区内电荷不平衡的影响，增强了终端区内部的电场强度，提升了终端区的耐压水平。本发明适用于各种电子产品。种电子产品。种电子产品。


技术研发人员：赵建明 陈龙 张宜尧 陈彦旭 陈勇 徐开凯
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2021/10/19