存储器器件及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种存储器器件，包括：层堆叠，设置在衬底上，其中所述层堆叠包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层；多个复合柱结构，分别穿透过所述层堆叠，其中每一个复合柱结构包括：介电柱；一对导电柱，穿透过所述介电柱且通过所述介电柱的一部分彼此电隔离；沟道层，覆盖所述介电柱的两侧及所述一对导电柱的两侧；铁电层，设置在所述沟道层与所述层堆叠之间；以及缓冲层，设置在所述沟道层与所述铁电层之间。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述缓冲层包含具有大于5的介电常数的介电材料。3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述缓冲层至少包括：第一介电材料，与所述铁电层接触；以及第二介电材料，与所述沟道层接触，其中所述第一介电材料与所述第二介电材料具有不同的介电常数。4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述缓冲层是掺杂氮的介电层，且所述缓冲层的氮掺杂浓度是梯度分布。5.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括多个隔离结构，所述多个隔离结构分别穿透过所述层堆叠且分别设置在所述多个复合柱结构之间以对所述多个复合柱结构进行电隔离，其中所述多个复合柱结构中的一者与位于所述多个复合柱结构中的所述一者的一侧处的对应导电层构成存储单元。6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中在y方向上交替排列的多个存储单元共享同一字线，且在z方向上交替排列的多个存储单元共享同一位线及同一源极线。7.一种存储器器件，包括：层堆叠，设置在衬底上，其中所述层堆叠包括交替堆叠的多个导电层与多个介电层；介电柱，穿透过所述层堆叠；沟道层，环绕所述介电柱；铁电层，设置在所述沟道层与所述层堆叠之间；以及缓冲层，设置在所述铁电层与所述沟道层之间。8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述铁电层嵌置在两个相邻的介电层之间并与对应的导电层接触。9.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述铁电层及所述缓冲层二者皆嵌置在两个相邻的介电层之间，并所述铁电层、所述缓冲层及对应的导电层位于同一水平高度处。10.一种形成存储器器件的方法，包括：在衬底上形成层堆叠，其中所述层堆叠包括交替堆叠的多个介电层与多个牺牲层；在所述层堆叠中形成沟槽，以穿透过所述层堆叠；将铁电层装衬在所述沟槽的侧壁上；在所述沟槽中形成缓冲层，以覆盖所述铁电层；在所述沟槽中形成沟道层，以覆盖所述缓冲层；使用介电材料填充所述沟槽，以形成介电柱；
形成嵌置在所述介电柱中的一对导电柱；以及实行置换工艺，以将所述多个牺牲层置换成多个导电层。

技术总结
一种存储器器件包括：衬底、层堆叠及多个复合柱结构。层堆叠设置在衬底上。层堆叠包括交替堆叠的多个导电层及多个介电层。复合柱结构分别穿透过层堆叠。每一个复合柱结构包括介电柱；一对导电柱，穿透过介电柱且通过介电柱的一部分彼此电隔离；沟道层，覆盖介电柱的两侧及所述一对导电柱的两侧；铁电层，设置在沟道层与层堆叠之间；以及缓冲层，设置在沟道层与铁电层之间。与铁电层之间。与铁电层之间。


技术研发人员：吴昭谊 林佑明 杨世海
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.26
技术公布日：2021/10/18