芯片封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种芯片封装结构，所述芯片包括基底，其具有第一面、与第一面相对的第二面以及连接第一面和第二面的多个侧面，于所述基底第一面上依次设有绝缘层、金属布线层和阻焊层，所述阻焊层上设有电连接于所述金属布线层的焊接凸起，其特征在于，所述绝缘层边缘和所述阻焊层边缘分别沿所述基底侧面向内缩进第一距离a和第二距离b，其中，0nm≤b＜a；所述绝缘层位于所述阻焊层内部，所述阻焊层位于所述绝缘层外侧的部分覆盖所述基底，且包覆所述绝缘层侧边。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基底侧面设有沿所述基底第一面向内凹陷的沟槽，所述沟槽沿所述基底侧面长度方向分布。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述沟槽于所述基底侧面形成台阶结构，具有沟槽侧壁面与沟槽底面，所述沟槽侧壁面顶端和与其同侧的所述基底侧面之间间隔第三距离c，其中，c≤b。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘层和所述金属布线层之间设有缓冲层。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基底第二面设有焊垫，所述基底第一面设有向其第二面延伸的通孔，所述通孔底部暴露所述焊垫，所述金属布线层沿所述通孔侧壁延伸至所述焊垫，与其电性连接。

技术总结
本实用新型提供一种芯片封装结构，通过设置沿芯片基底侧边向内缩进的绝缘层和阻焊层，在未切割的晶圆中，使绝缘层和阻焊层暴露出切割道，一方面，在切割分离各芯片时，可直接对晶圆硅基体部分进行切割，避免对绝缘层和阻焊层进行切割，从而避免由于切割作用在这两层边缘处形成微裂纹；另一方面，绝缘层和阻焊层在基底表面形成完整的连续膜层结构，不会出现在切断的膜层中应力于单侧产生而得不到补偿的情况。阻焊层延伸至绝缘层外侧，其包覆绝缘层且和基底结合，可以完全密封保护绝缘层，从而减缓水汽等对绝缘层的侵蚀，同时阻焊层的部分应力可以直接被基底承担，当阻焊层与基底之间未出现分层时，绝缘层只会受到少量应力。绝缘层只会受到少量应力。绝缘层只会受到少量应力。


技术研发人员：沈戌霖 印鑫 刘怡然
受保护的技术使用者：苏州晶方半导体科技股份有限公司
技术研发日：2021.03.12
技术公布日：2021/10/18