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粘合片及其应用的制作方法

2021-09-11 06:48:00 来源:中国专利 TAG:申请 优先权 专利申请 并入 日本

技术特征:
1.一种粘合片,其具备粘合剂层,所述粘合剂层的表面电阻值为1.0
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以下,所述粘合片对不锈钢板的粘合力为0.01~4.0n/20mm的范围内。2.根据权利要求1所述的粘合片,其雾度值为50%以下。3.根据权利要求1或2所述的粘合片,其中,所述粘合剂层包含氧亚烷基结构单元。4.根据权利要求3所述的粘合片,其中,所述粘合剂层包含具有所述氧亚烷基结构单元的聚合物。5.根据权利要求4所述的粘合片,其中,具有所述氧亚烷基结构单元的聚合物在侧链具有所述氧亚烷基结构单元。6.根据权利要求3~5中任一项所述的粘合片,其中,所述粘合剂层中的所述氧亚烷基结构单元的含有比例为20~95重量%。7.根据权利要求1~6中任一项所述的粘合片,其中,所述粘合剂层包含离子性化合物。8.根据权利要求1~7中任一项所述的粘合片,其还具备基材层,所述粘合剂层设置在该基材层的至少一个面。9.根据权利要求8所述的粘合片,其中,所述基材层由弹性模量为50mpa以上的树脂薄膜构成。10.根据权利要求8或9所述的粘合片,其中,在所述基材层与所述粘合剂层之间配置有底涂层。11.一种粘合片,其具备粘合剂层,所述粘合剂层包含具有氧亚烷基结构单元的聚合物,所述氧亚烷基结构单元包含氧亚烷基的摩尔数大于2的聚氧亚烷基单元,所述聚合物以35重量%以上的比例包含氧亚烷基结构单元。12.根据权利要求11所述的粘合片,其雾度值为50%以下。13.根据权利要求11或12所述的粘合片,其中,所述具有氧亚烷基结构单元的聚合物在侧链具有所述氧亚烷基结构单元。14.根据权利要求11~13中任一项所述的粘合片,其中,所述粘合剂层中的所述氧亚烷基结构单元的含有比例为20~95重量%。15.根据权利要求11~14中任一项所述的粘合片,其中,所述粘合剂层包含离子性化合物。16.根据权利要求11~15中任一项所述的粘合片,其还具备基材层,所述粘合剂层设置在该基材层的至少一个面。17.根据权利要求16所述的粘合片,其中,所述基材层由弹性模量为50mpa以上的树脂薄膜构成。18.根据权利要求16或17所述的粘合片,其中,在所述基材层与所述粘合剂层之间配置有底涂层。19.一种检查完的导电性小片的制造方法,包括下述工序:准备固定有多个检查对象导电性小片的粘合片的工序,其中该粘合片包含具有导电性的粘合剂层,该多个检查对象导电性小片以可分离的方式固定于该粘合剂层表面;和经过所述粘合剂层对所述多个检查对象导电性小片的至少一部分进行通电并对该通
电状态的该检查对象导电性小片进行检查的工序。20.根据权利要求19所述的方法,其中,在所述检查工序之前还包括使所述多个检查对象导电性小片的与该粘合剂层的固定面的相反侧的面与导电材料接触的工序。21.根据权利要求19或20所述的方法,其中,在准备固定有所述导电性小片的所述粘合片的工序之前还包括下述工序:将导电性晶圆固定于所述粘合片的工序;和对所述导电性晶圆进行加工,由该导电性晶圆形成该多个导电性小片的工序。22.根据权利要求21所述的方法,其中,所述导电性晶圆的加工工序包括导电性晶圆的切割工序,还任选包括扩展工序。23.根据权利要求19或20所述的方法,其中,在准备固定有所述导电性小片的所述粘合片的工序之前还包括将所述多个导电性小片固定于所述粘合片的工序。24.根据权利要求19~23中任一项所述的方法,其中,所述粘合片为权利要求1~18中任一项所述的粘合片。25.根据权利要求20所述的方法,其中,所述导电材料为权利要求1~18中任一项所述的粘合片。26.根据权利要求20所述的方法,其中,所述导电材料为金属板或导电性粘合片。27.根据权利要求19~26中任一项所述的方法,其中,所述检查对象导电性小片的检查工序包括通过检查手段或目视来进行的隔着粘合片的检查。28.一种粘合剂组合物,其包含具有氧亚烷基结构单元的聚合物,所述氧亚烷基结构单元包含氧亚烷基的摩尔数大于2的聚氧亚烷基单元,所述聚合物以35重量%以上的比例包含氧亚烷基结构单元。29.根据权利要求28所述的粘合剂组合物,其中,所述具有氧亚烷基结构单元的聚合物在侧链具有所述氧亚烷基结构单元。30.根据权利要求28或29所述的粘合剂组合物,其中,所述氧亚烷基结构单元的比例以固体成分基准计为20~95重量%。31.根据权利要求28~30中任一项所述的粘合剂组合物,其包含离子性化合物。32.根据权利要求28~31中任一项所述的粘合剂组合物,其中,所述具有氧亚烷基结构单元的聚合物为丙烯酸系聚合物。

技术总结
提供可适合用于多个导电性小片的整批同时检查的新型粘合片。提供一种粘合片,其具备粘合剂层。前述粘合剂层的表面电阻值为1.0


技术研发人员:由藤拓三
受保护的技术使用者:日东电工株式会社
技术研发日:2020.01.24
技术公布日:2021/9/10
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