磁盘装置及读出处理方法与流程

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019-169200号(申请日：2019年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

实施方式涉及磁盘装置及读出处理方法。

背景技术：

近年来，开发出了具有包括多个读出头的头的二维记录(two-dimensionalmagneticrecording：tdmr)方式的磁盘装置。tdmr方式的磁盘装置例如能够执行将利用多个读出头读出的数据的信号波形合成的处理。在多个读出头中的至少一个读出头因故障等而无法进行读出的状态下tdmr方式的磁盘装置执行了该处理的情况下，错误率变大，在读出处理时有可能产生未修复错误(unrecoverederror)。

技术实现要素：

实施方式提供能够提高可靠性的磁盘装置及读出处理方法。

实施方式的磁盘装置具备：盘；头，具有写入头、第1读出头及第2读出头，所述写入头对所述盘写入数据，所述第1读出头从所述盘读出数据，在读出处理中能够检测表示读出数据的信号品质的第1值，所述第2读出头从所述盘读出数据，在读出处理中能够检测表示读出数据的信号品质的第2值；及控制器，基于所述第1值和所述第2值来判定是否存在无法利用所述第1读出头及所述第2读出头进行读出的可能性。

附图说明

图1是示出实施方式的磁盘装置的构成的框图。

图2是示出实施方式的头相对于盘的配置的一例的示意图。

图3是示出将头定位于磁道的情况下的写入头和2个读出头的几何学配置的一例的示意图。

图4是示出将头定位于磁道的情况下的写入头和2个读出头的几何学配置的一例的图。

图5是示出实施方式的读出处理方法的一例的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图来对实施方式进行说明。此外，附图是一例，并非限定发明的范围。

(实施方式)

图1是示出实施方式的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(hda)、驱动器ic20、头放大器集成电路(以下，有时称作头放大器ic或前置放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓存)80、非易失性存储器90及作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。磁盘装置1例如是二维记录(two-dimensionalmagneticrecording：tdmr)方式的磁盘装置。

hda具有磁盘(以下，称作盘)10、主轴马达(spm)12、搭载有头15的臂13及音圈马达(vcm)14。盘10安装于主轴马达12，通过主轴马达12的驱动而旋转。臂13及vcm14构成了致动器。致动器通过vcm14的驱动而将搭载于臂13的头15移动控制至盘10的预定的位置。盘10及头15也可以设置有2个以上的数量。

盘10在其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需的信息的系统区10b。以下，将沿着盘10的圆周的方向称作圆周方向，将与圆周方向交叉的方向称作半径方向。将盘10的预定的圆周方向的预定的位置称作圆周位置，将盘10的预定的半径方向的预定的位置称作半径位置。另外，有时将半径位置及圆周位置统一简称作位置。盘10(的用户数据区域10a)针对半径方向的预定的每个范围被划分为多个区域(以下，有时称作区段)。区段包括多个磁道(柱面)。另外，磁道包括多个扇区。“磁道”以在盘10的半径方向上划分出的多个区域中的1个区域、在盘10的圆周方向上延长的数据、写入到磁道的数据及其他各种含义来使用。“扇区”以将磁道在圆周方向上划分而得到的多个区域中的1个区域、写入到盘10的预定的位置的数据、写入到扇区的数据及其他各种含义来使用。将磁道的半径方向的宽度称作磁道宽度。有时将预定的磁道的预定的圆周位置处的磁道宽度的中心位置称作磁道中央，有时将在预定的磁道中通过磁道宽度的中心的路径称作磁道中央。

头15以滑块为主体，具备安装于该滑块的写入头15w和读出头15r。写入头15w向盘10写入数据。读出头15r将记录于盘10的数据读出。读出头15r具有多个读出头，例如2个读出头15r1、15r2。读出头15r1例如设置于最远离写入头15w的位置。读出头15r2例如设置于继读出头15r1之后远离写入头15w的位置。换言之，读出头15r2位于写入头15w与读出头15r1之间。此外，读出头15r也可以具有3个以上的读出头。以下，有时将多个读出头15r、例如2个读出头15r1、15r2统一称作读出头15r，有时将多个读出头15r、例如读出头15r1及15r2的任一个简称作读出头15r。

图2是示出本实施方式的头15相对于盘10的配置的一例的示意图。如图2所示，在半径方向上，将朝向盘10的外周的方向称作外方向(外侧)，将外方向的相反方向称作内方向(内侧)。另外，如图2所示，在圆周方向上，将盘10旋转的方向称作旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向以逆时针方向示出，但也可以是相反方向(顺时针方向)。在图2中，用户数据区域10a被划分为位于内方向的内周区域ir、位于外方向的外周区域or及位于内周区域ir与外周区域or之间的中周区域mr。在图2中，示出了具有磁道中央trcn的磁道trn和具有磁道中央trcn-1的磁道trn-1。磁道trn-1位于比磁道trn靠内侧处。例如可以是，磁道trn位于中周区域mr，磁道trn-1位于内周区域ir。磁道中央trcn及trcn-1相对于盘10处于同心圆状的位置。例如，磁道中央trcn及trn-1处于正圆状的位置。此外，磁道中央trcn及trn-1也可以处于在盘10的半径方向上变动的波状而非圆状的位置。

在将头15定位于磁道trn、例如磁道中央trcn的情况下，偏斜角例如成为0°。随着头15在半径方向上从磁道中央trcn向外方向移动，偏斜角的绝对值增大。另外，随着头15在半径方向上从磁道中央trcn向内方向移动，偏斜角的绝对值增大。

图3是示出将头15定位于磁道trn的情况下的写入头15w和2个读出头15r1、15r2的几何学配置的一例的示意图。在图3中示出了写入头15w的中心部wc、读出头15r1的中心部rc1、读出头15r2的中心部rc2及位于读出头15r1的中心部rc1与读出头15r2的中心部rc2的中间的中间部mp。以下，有时将读出头15r1的中心部rc1与读出头15r2的中心部rc2之间的圆周方向的间隔称作沿磁道间隔(downtrackseparation：dts)。有时将读出头15r1的中心部rc1与读出头15r2的中心部rc2之间的半径方向的间隔称作穿磁道间隔(crosstrackseparation：cts)或头间隔。以下，为便于说明，有时将“写入头的中心部”及“写入头的各部”简称作“写入头”，将“读出头的中心部”“多个读出头中的2个读出头的中间部”及“读出头的各部”简称作“读出头”。

在图3所示的例中，在将中间部mp定位于磁道trn的磁道中央trcn的情况下，头15(写入头15w、读出头15r1、读出头15r2及中间部mp)沿着圆周方向排列。在该情况下，读出头15r1和读出头15r2在半径方向上未偏离。也就是说，将中间部mp定位于磁道中央trcn的情况下的cts是0。此外，在将中间部mp定位于磁道中央trcn的情况下，读出头15r1及15r2也可以在半径方向上偏离，写入头15w与读出头15r1及15r也可以在半径方向上偏离。

在图3所示的例中，在将中间部mp定位于磁道中央trcn的情况下，读出头15r1和读出头15r2在圆周方向上以x0分离。也就是说，将中间部mp定位于磁道中央trcn的情况下的dts是x0。

图4是示出将头15定位于磁道trn-1的情况下的写入头15w和2个读出头15r1、15r2的几何学配置的一例的图。

在图4所示的例中，在将中间部mp定位于磁道trn-1的磁道中央trcn-1的情况下，头15(写入头15w、读出头15r1、读出头15r2及中间部mp)相对于圆周方向以θ1向内方向倾斜。也就是说，在将中间部mp定位于磁道中央trcn-1的情况下，偏斜角是θ1。在将中间部mp定位于磁道中央trcn-1的情况下，读出头15r1和读出头15r2在半径方向上以cts＝y1分离。在图4所示的例子中，在将中间部mp定位于磁道中央trcn-1的情况下，读出头15r1和读出头15r2在圆周方向上以dts＝x1分离。此外，虽然未图示，但在将中间部mp定位于比磁道trn靠外方向的预定的磁道的情况下，头15(写入头15w、读出头15r1、读出头15r2及中间部mp)以预定的偏斜角向外方向倾斜。

驱动器ic20按照系统控制器130(详细而言是后述的mpu60)的控制来控制spm12及vcm14的驱动。

头放大器ic(前置放大器)30具备读出放大器及写入驱动器。读出放大器将从盘10读出的读出信号放大，并向系统控制器130(详细而言是后述的读出/写入(r/w)通道50)输出。写入驱动器将与从r/w通道50输出的写入数据相应的写入电流向头15输出。头放大器ic30按照系统控制器130、例如后述的mpu60的控制，将激发用于使盘10的记录位的磁化方向变化的记录磁场的记录电流向写入头15w供给。另外，头放大器ic30能够向读出头15r施加电流来测定磁阻效应(magnetoresisrtive)阻值(以下，有时简称作阻值)。

易失性存储器70是若电力供给被断开则保存着的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是dram(dynamicrandomaccessmemory：动态随机存取存储器)或sdram(synchronousdynamicrandomaccessmemory：同步动态随机存取存储器)。

缓冲存储器80是暂时记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70一体构成。缓冲存储器80例如是dram、sram(staticrandomaccessmemory：静态随机存取存储器)、sdram、feram(ferroelectricrandomaccessmemory：铁电随机存取存储器)或mram(magnetoresistiverandomaccessmemory：磁阻式随机存取存储器)等。

非易失性存储器90是即使电力供给被断开也记录保存着的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如是nor型或nand型的快闪rom(flashreadonlymemory(快闪只读存储器)：from)。

系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单个芯片的被称作system-on-a-chip(soc：片上系统)的大规模集成电路(lsi)来实现。系统控制器130包括硬盘控制器(hdc)40、读出/写入(r/w)通道50及微处理器(mpu)60。hdc40、r/w通道50及mpu60分别互相电连接。系统控制器130例如电连接于驱动器ic20、头放大器ic60、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90及主机系统100等。

hdc40根据来自后述的mpu60的指示而控制主机100与r/w通道50之间的数据传送。hdc40能够根据来自后述的mpu60的指示而测定错误率、例如sectorerrorrate(ser：扇区错误率)。hdc40例如电连接于易失性存储器70、缓冲存储器80及非易失性存储器90等。

r/w通道50根据来自mpu60的指示而执行从盘10读出的读出数据及向盘10写入的写入数据的信号处理。r/w通道50具有测定读出数据的信号品质的电路或功能。r/w通道50例如电连接于头放大器ic30等。r/w通道50实时地测定在头15(读出头15r)的读出处理中能够检测的与读出数据的信号品质相关联的信号及值(以下，有时称作数据品质值)。换言之，r/w通道50实时地测定基于利用读出头15r读出的读出数据的数据品质值。数据品质值例如包括dgain值及asymmetry值。dgain值相当于在r/w通道50中进行了信号处理的读出数据的增益的输出值。asymmetry值是表示读出数据的输出振幅非对称性的值。

mpu60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。mpu60经由驱动器ic20而控制vcm14，执行头15的定位。mpu60控制数据向盘10的写入动作，并且选择从主机100传送的写入数据的保存对象。另外，mpu60控制数据从盘10的读出动作，并且控制从盘10向主机100传送的读出数据的处理。mpu60连接于磁盘装置1的各部。mpu60例如电连接于驱动器ic20、hdc40及r/w通道50等。

mpu60包括读出/写入控制部610及判定部620。mpu60将这些各部、例如读出/写入控制部610及判定部620等的处理在固件上执行。此外，mpu60也可以具备这些各部、例如读出/写入控制部610及判定部620作为电路。

读出/写入控制部610按照来自主机100的命令等而控制数据的读出处理及写入处理。读出/写入控制部610经由驱动器ic20而控制vcm14，将头15定位于盘10上的预定的位置，读出或写入数据。例如，读出/写入控制部610在读出预定的磁道的情况下将中间部mp定位于预定的磁道的作为目标的半径位置(以下，称作目标位置)、例如磁道中央，利用读出头15r1及15r2来读出该磁道。在利用读出头15r1及15r2读出了预定的数据的情况下，读出/写入控制部610经由r/w通道50而执行将利用读出头15r1读出的读出数据的信号波形和利用读出头15r2读出的读出数据的信号波形合成后的信号波形的处理。另外，读出/写入控制部610也能够将预定的磁道利用读出头15r1及15r2的任一方来读出。读出/写入控制部610将读出头15r1定位于预定的磁道的目标位置、例如磁道中央，利用读出头15r1来读出该磁道。在仅利用读出头15r1读出了预定的数据的情况下，读出/写入控制部610经由r/w通道50而执行利用读出头15r1读出的读出数据的信号波形的处理。读出/写入控制部610将读出头15r2定位于预定的磁道的目标位置、例如磁道中央，利用读出头15r2来读出该磁道。在仅利用读出头15r2读出了预定的数据的情况下，读出/写入控制部610经由r/w通道50而执行利用读出头15r2读出的读出数据的信号波形的处理。在磁盘装置1具备2个读出头15r1及15r2的情况下，有时将利用2个读出头15r1及15r2执行读出处理称作tdmr模式，将仅利用2个读出头15r1及15r2中的一方执行读出处理称作单头模式。

判定部620判定各读出头15r是否是无法进行读出或无法正常执行读出处理的读出头(以下，有时称作不良读出头)，从tdmr模式向单头模式切换，利用多个读出头15r中的至少一个不良读出头15r以外的读出头15r来执行读出处理。例如，判定部620判定读出头15r1及15r2是否是不良读出头。在判定为读出头15r1是不良读出头的情况下，判定部620从tdmr模式向单头模式切换，例如，将头放大器ic30的设定值从tdmr模式的设定值向单头模式的设定值切换，将r/w通道50的设定值从tdmr模式的设定值向单头模式的设定值切换，将偏斜角的设定值从tdmr模式的设定值向单头模式的设定值切换，利用读出头15r2来执行读出处理。

判定部620可以将各读出头15r的读出通道50的tdmr模式的设定值、各读出头15r的读出通道50的单头模式的设定值、各读出头15r的头放大器ic30的tdmr模式的设定值、各读出头15r的头放大器ic30的单头模式的设定值、各读出头15r的偏斜角(yew角)的tdmr模式的设定值、各读出头15r的头放大器ic30的单头模式的设定值及各读出头15r的偏斜角(yew角)的单头模式的设定值等记录于预定的记录区域、例如系统区10b或非易失性存储器90等。

判定部620在与判定不良读出头的功能对应的位(以下，有时称作判定位)是on的情况下，基于在r/w通道50中在读出处理中能够检测的各读出头的各数据品质值来判定是否存在多个读出头15r的至少一个是不良读出头的可能性。判定部620例如可以将判定位记录于预定的记录区域、例如系统区10b或非易失性存储器90等。在判定为存在至少一个读出头15r是不良读出头的可能性的情况下，判定部620基于包括阻值、错误率(ser)等的读出特性值来判定判定为存在不良读出头的可能性的至少一个读出头(以下，有时称作判定对象读出头)15r是否是不良读出头。读出特性值例如相当于表示读出头15r的读出处理的特性的值。由于在读出处理中无法检测读出特性值，所以判定部620在判定为至少一个读出头15r是判定对象读出头的情况下取得至少一个判定对象读出头15r的读出特性值。判定部620可以将读出特性值、例如阻值、错误率(ser)及测定错误率的各读出头的位置信息等记录于预定的记录区域、例如系统区10b或非易失性存储器90等。在判定为至少一个判定对象读出头是不良读出头的情况下，判定部620从tdmr模式向单头模式切换，利用多个读出头15r的至少一个不良读出头15r以外的读出头15r来执行读出处理。

例如，判定部620判定多个读出头各自的多个数据品质值的变化率(以下，有时称作数据品质变化率)的至少一个是比阈值(以下，有时称作品质变化率阈值)大还是为品质变化率阈值以下。数据品质变化率相当于每个读出头15r的出厂前的数据品质值的基准值与每个读出头15r的当前测定到的数据品质值之比(％)。换言之，数据品质变化率相当于每个读出头15r的当前测定到的数据品质值相对于每个读出头15r的数据品质值的基准值的比(％)。品质变化率阈值是与数据品质变化率对应的阈值。品质变化率阈值例如针对每个读出头15r而设定。判定部620可以将数据品质变化率及品质变化率阈值针对每个读出头15r而记录于预定的记录区域、例如系统区10b、易失性存储器70或非易失性存储器90等。判定部620将判定为数据品质变化率比品质变化率阈值大的至少一个读出头15r判定为判定对象读出头15r。

在一例中，判定部620对判定位是on还是off进行判定。在判定为判定位是on的情况下，判定部620判定在r/w通道50中在读出处理中能够检测的多个读出头15r各自的多个dgain值的变化率(以下，有时称作dgain变化率)的至少一个是比阈值(增益变化率阈值)大还是为增益变化率阈值以下。dgain变化率相当于每个读出头15r的出厂前的dgain值的基准值与每个读出头15r的当前测定到的dgain值之比(％)。换言之，dgain变化率相当于每个读出头15r的当前测定到的dgain值相对于每个读出头15r的出厂前的dgain值的基准值的比(％)。dgain变化率阈值是与dgain变化率对应的阈值。dgain变化率阈值例如针对每个读出头15r而设定。判定部620可以将dgain变化率及dgain变化率阈值针对每个读出头15r而记录于预定的记录区域、例如系统区10b、易失性存储器70或非易失性存储器90等。判定部620将判定为dgain变化率比增益变化率阈值大的至少一个读出头15r判定为判定对象读出头15r。另外，判定部620判定在r/w通道50中在读出处理中能够检测的多个读出头15r各自的多个asymmetry值的变化率(以下，称作asymmetry变化率)的至少一个是比阈值(以下，有时称作asymmetry变化率阈值)大还是为asymmetry以下。asymmetry变化率相当于每个读出头15r的出厂前的asymmetry值的基准值与每个读出头15r的当前测定到的asymmetry值之比(％)。换言之，asymmetry变化率相当于每个读出头15r的当前测定到的asymmetry值相对于每个读出头15r的出厂前的asymmetry值的基准值的比(％)。asymmetry变化率阈值是与asymmetry变化率对应的阈值。asymmetry变化率阈值例如针对每个读出头15r而设定。判定部620可以将asymmetry变化率及asymmetry变化率阈值针对每个读出头15r而记录于预定的记录区域、例如系统区10b、易失性存储器70或非易失性存储器90等。判定部620将判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的至少一个读出头15r判定为判定对象读出头15r。

判定部620判定至少一个判定对象读出头15r的读出特性值的变化率(以下，有时称作读出特性变化率)是比预定的阈值(以下，有时称作特性变化率阈值)大还是为特性变化率阈值以下。读出特性变化率相当于每个读出头15r的出厂前的读出特性值的基准值与每个读出头15r的当前测定到的读出特性值之比(％)。换言之，读出特性变化率相当于每个读出头15r的当前测定到的数据的读出特性值相对于每个读出头15r的读出特性值的基准值的比(％)。特性变化率阈值是与读出特性变化率对应的阈值。特性变化率阈值例如针对每个读出头15r而设定。判定部620可以将读出特性变化率及特性变化率阈值针对每个读出头15r而记录于预定的记录区域、例如系统区10b、易失性存储器70或非易失性存储器90等。判定部620将判定为读出特性变化率比特性变化率阈值大的至少一个判定对象读出头15r判定为不良读出头，从tdmr模式向单头模式切换，利用多个读出头的至少一个不良读出头以外的读出头15r来执行读出处理。

在一例中，判定部620判定至少一个判定对象读出头15r的阻值的变化率(以下，有时称作阻值变化率)是比预定的阈值(以下，有时称作阻值变化率阈值)大还是为阻值变化率阈值以下。阻值变化率相当于每个读出头15r的出厂前的阻值的基准值与每个读出头15r的当前测定到的阻值之比(％)。换言之，阻值变化率相当于每个读出头15r的当前测定到的阻值相对于每个读出头15r的出厂前的阻值的基准值的比(％)。阻值变化率阈值是与阻值变化率对应的阈值。阻值变化率阈值例如针对每个读出头15r而设定。判定部620可以将阻值变化率及阻值变化率阈值针对每个读出头15r而记录于预定的记录区域、例如系统区10b、易失性存储器70或非易失性存储器90等。判定部620将判定为阻值变化率比阻值变化率阈值大的至少一个判定对象读出头15r判定为不良读出头，从tdmr模式向单头模式切换，利用多个读出头中的不良读出头以外的读出头15r来执行读出处理。判定部620判定1个判定对象读出头15r的错误率的变化率(以下，有时称作错误率变化率)是比预定的阈值(以下，有时称作错误率变化率阈值)大还是为错误率变化率阈值以下。错误率变化率相当于每个读出头15r的出厂前的错误率的基准值与每个读出头15r的当前测定到的错误率之比(％)。换言之，错误率变化率相当于每个读出头15r的当前测定到的错误率相对于每个读出头15r的出厂前的错误率的基准值的比(％)。错误率变化率阈值是与错误率变化率对应的阈值。错误率变化率阈值例如针对每个读出头15r而设定。判定部620可以将错误率变化率及错误率变化率阈值针对每个读出头15r而记录于预定的记录区域、例如系统区10b、易失性存储器70或非易失性存储器90等。判定部620将判定为错误率变化率比错误率变化率阈值大的至少一个判定对象读出头15r判定为不良读出头，从tdmr模式向单头模式切换，利用多个读出头中的不良读出头以外的读出头15r来执行读出处理。

例如，在判定为判定位是on的情况下，判定部620取得与读出头15r1对应的dgain值和与读出头15r2对应的dgain值。判定部620基于与读出头15r1对应的dgain值来算出与读出头15r1对应的dgain变化率，基于与读出头15r2对应的dgain值来算出与读出头15r2对应的dgain变化率。判定部620判定与读出头15r1对应的dgain变化率和与读出头15r2对应的dgain变化率是比增益变化率阈值大还是为增益变化率阈值以下。在判定为与读出头15r1对应的dgain变化率比增益变化率阈值大且判定为与读出头15r2对应的dgain变化率为增益变化率阈值以下的情况下，判定部620将读出头15r1判定为判定对象读出头15r1。另外，判定部620判定与读出头15r1对应的asymmetry变化率和与读出头15r2对应的asymmetry变化率是比asymmetry变化率阈值大还是为asymmetry变化率阈值以下。在判定为读出头15r1的asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大且判定为与读出头15r2对应的asymmetry变化率为asymmetry变化率阈值以下的情况下，判定部620将读出头15r1判定为判定对象读出头15r1。

例如，判定部620取得与判定为dgain变化率比dgain变化率阈值大或判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的判定对象读出头15r1对应的阻值。另外，例如，判定部620取得与判定为dgain变化率比dgain变化率阈值大且判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的判定对象读出头15r1对应的阻值。判定部620基于与判定对象读出头15r1对应的阻值来算出与判定对象读出头15r1对应的阻值变化率。判定部620判定与判定对象读出头15r1对应的阻值变化率是比阻值变化率阈值大还是为阻值变化率阈值以下。判定部620将判定为与判定对象读出头15r1对应的阻值变化率比阻值变化率阈值大的判定对象读出头15r1判定为不良读出头。在将判定对象读出头15r1判定为不良读出头的情况下，判定部620从tdmr模式向单头模式切换，将读出头15r2定位于预定的磁道并仅利用读出头15r2来读出该磁道。换言之，在将判定对象读出头15r1判定为不良读出头的情况下，判定部620执行仅利用读出头15r2来读出预定的磁道的单头模式。此外，在前述的例子中，设为读出头15r1是不良读出头，但在读出头15r2是不良读出头的情况下，判定部620也执行与读出头15r1是不良读出头的情况同样的处理。换言之，在将读出头15r2判定为不良读出头的情况下，判定部620执行仅利用读出头15r1来读出预定的磁道的单头模式。

例如，在判定为判定位是on的情况下，判定部620取得与读出头15r1对应的dgain值和与读出头15r2对应的dgain值。判定部620基于与读出头15r1对应的dgain值来算出与读出头15r1对应的dgain变化率，基于与读出头15r2对应的dgain值来算出与读出头15r2对应的dgain变化率。判定部620判定与读出头15r1对应的dgain变化率和读出头15r2的dgain变化率是比增益变化率阈值大还是为增益变化率阈值以下。在判定为与读出头15r1对应的dgain变化率比增益变化率阈值大且判定为与读出头15r2对应的dgain变化率比增益变化率阈值大的情况下，判定部620将读出头15r1及15r2判定为判定对象读出头15r1及15r2。另外，判定部620判定与读出头15r1对应的asymmetry变化率和与读出头15r2对应的asymmetry值是比asymmetry变化率阈值大还是为asymmetry变化率阈值以下。在判定为与读出头15r1对应的asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大且判定为与读出头15r2对应的asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的情况下，判定部620将读出头15r1及15r2判定为判定对象读出头15r1及15r2。

例如，判定部620取得判定为dgain变化率比dgain变化率阈值大或判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的判定对象读出头15r1及15r2的阻值。另外，例如，判定部620取得与判定为dgain变化率比dgain变化率阈值大且判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的判定对象读出头15r1对应的阻值和与判定对象读出头15r2对应的阻值。判定部620基于与判定对象读出头15r1对应的阻值来算出与判定对象读出头15r1对应的阻值变化率。判定部620基于与判定对象读出头15r2对应的阻值来算出与判定对象读出头15r2对应的阻值变化率。判定部620判定与判定对象读出头15r1对应的阻值变化率和与判定对象读出头15r2对应的阻值变化率是比阻值变化率阈值大还是为阻值变化率阈值以下。判定部620将判定为阻值变化率比阻值变化率阈值大的判定对象读出头15r1判定为不良读出头。在将判定对象读出头15r1判定为不良读出头的情况下，判定部620从tdmr模式向单头模式切换，将读出头15r2定位于预定的磁道并仅利用读出头15r2来读出该磁道。换言之，在将判定对象读出头15r1判定为不良读出头的情况下，判定部620执行仅利用读出头15r2来读出预定的磁道的单头模式。此外，在前述的例子中，设为读出头15r1是不良读出头，但在读出头15r2是不良读出头的情况下，判定部620也执行与读出头15r1是不良读出头的情况同样的处理。

图5是示出本实施方式的读出处理方法的一例的流程图。

mpu60对判定位是on还是off进行判定(b501)。在判定为判定位是off的情况下(b501的否)，mpu60结束处理。在判定为判定位是on的情况下(b501的是)，mpu60取得与各读出头15r对应的数据品质值(b502)。例如，mpu60取得与各读出头15r对应的dgain值及asymmetry值。mpu60算出与各读出头15r对应的数据品质变化率(b503)。例如，mpu60算出与各读出头15r对应的dgain变化率及asymmetry变化率。mpu60判定与各读出头15r对应的各数据品质变化率是比品质变化率阈值大还是为品质变化率阈值以下(b504)。例如，mpu60判定与各读出头15r对应的各dgain变化率是比dgain变化率阈值大还是为dgain变化率阈值以下。另外，mpu50判定与各读出头15r对应的各asymmetry变化率是比asymmetry变化率阈值大还是为asymmetry变化率阈值以下。在与各读出头15r对应的各数据品质变化率为品质变化率阈值以下的情况下(b504的否)，mpu60进入b502的处理。例如，在判定为与各读出头15r对应的各dgain变化率为dgain变化率阈值以下且判定为与各读出头15r对应的各asymmetry变化率为asymmetry变化率阈值以下的情况下，mpu60进入b502的处理。

在判定为多个读出头15r分别对应的多个数据品质变化率的至少一个比品质变化率阈值大的情况下(b504的是)，mpu60取得与判定为数据品质变化率比品质变化率阈值大的至少一个判定对象读出头15r对应的读出特性值(b505)。例如，mpu60取得判定为dgain变化率比dgain变化率阈值大或判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的至少一个判定对象读出头15r的阻值。例如，mpu60取得判定为dgain变化率比dgain变化率阈值大且判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的至少一个判定对象读出头15r的阻值。例如，mpu60取得判定为dgain变化率比dgain变化率阈值大或判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的至少一个判定对象读出头15r的错误率。另外，例如，mpu60取得判定为dgain变化率比dgain变化率阈值大且判定为asymmetry变化率比asymmetry变化率阈值大的至少一个判定对象读出头15r的错误率。

mpu60算出至少一个判定对象读出头15r的读出特性变化率(b506)。例如，mpu60取得至少一个判定对象读出头15r的阻值变化率。另外，mpu60取得与至少一个判定对象读出头15r对应的错误率变化率。mpu60判定与至少一个判定对象读出头15r对应的读出特性变化率是比特性变化率阈值大还是为特性变化率阈值以下(b507)。例如，mpu60判定与至少一个判定对象读出头15r对应的阻值变化率是比阻值变化率阈值大还是为阻值变化率阈值以下。另外，mpu60判定与至少一个判定对象读出头15r对应的错误率变化率是比错误率变化率阈值大还是为错误率变化率阈值以下。在判定为与至少一个判定对象读出头15r对应的读出特性变化率为特性变化率阈值以下的情况下(b507的否)，mpu60进入b502的处理。例如，在判定为各判定对象读出头15r的阻值变化率为阻值变化率阈值以下且与各判定对象读出头15r对应的错误率变化率为错误率变化率阈值以下的情况下，mpu60进入b502的处理。在判定为与至少一个判定对象读出头15r对应的读出特性变化率比特性变化率阈值大的情况下(b507的是)，mpu60从tdmr模式向单头模式切换，利用判定为读出特性变化率比特性变化率阈值大的不良读出头以外的读出头15r进行读出，结束处理。例如，mpu60从tdmr模式向单头模式切换，利用判定为至少一个判定对象读出头15r的阻值变化率比阻值变化率阈值大或判定为与至少一个判定对象读出头15r对应的错误率变化率比错误率变化率阈值大的不良读出头以外的读出头15r来读出预定的磁道。另外，例如，mpu60从tdmr模式向单头模式切换，利用判定为至少一个判定对象读出头15r的阻值变化率比阻值变化率阈值大且判定为与至少一个判定对象读出头15r对应的错误率变化率比错误率变化率阈值大的不良读出头以外的读出头15r来读出预定的磁道。

根据本实施方式，磁盘装置1具备多个读出头15r。磁盘装置1取得dgain值及asymmetry值作为数据品质值。磁盘装置1针对每个读出头15r而算出数据品质变化率。磁盘装置1针对每个读出头15r而算出dgain变化率及asymmetry变化率。磁盘装置1判定与各读出头对应的各dgain变化率是比dgain变化率阈值大还是为dgain变化率阈值以下。另外，磁盘装置1判定与各读出头15r对应的各asymmetry变化率是比asymmetry变化率阈值大还是为asymmetry变化率阈值以下。磁盘装置1取得至少一个判定对象读出头15r的阻值和至少一个判定对象读出头15r的错误率变化率。磁盘装置1判定各判定对象读出头15r的阻值变化率是比阻值变化率阈值大还是为阻值变化率阈值以下，判定与各判定对象读出头15r对应的错误率变化率是比错误率变化率阈值大还是为错误率变化率阈值以下。磁盘装置1从tdmr模式向单头模式切换，利用判定为至少一个判定对象读出头15r的阻值变化率比阻值变化率阈值大或判定为与至少一个判定对象读出头15r对应的错误率变化率比错误率变化率阈值大的不良读出头以外的读出头15r来读出预定的磁道。另外，例如，磁盘装置1从tdmr模式向单头模式切换，利用判定为至少一个判定对象读出头15r的阻值变化率比阻值变化率阈值大且判定为至少一个判定对象读出头15r的错误率变化率比错误率变化率阈值大的不良读出头以外的读出头15r来读出预定的磁道。因而，磁盘装置1能够提高寿命。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

虽然说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式作为例而展示，并未意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其均等的范围。