包括耦合到静态随机存取存储器(sram)位单元电路和非易失性存储器(nvm)位单元电路的位线的存储器位单元电路以及存储器位单元阵列电路相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年12月9日提交的题为“memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory(sram)bit cell circuit and a non-volatile memory(nvm)bit cell circuit
包括耦合到静态随机存取存储器(sram)位单元电路和非易失性存储器(nvm)位单元电路的位线的存储器位单元电路以及存储器位单元阵列电路相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年12月9日提交的题为“memory bit cell circuit including a bit line coupled to a static random-access memory(sram)bit cell circuit and a non-volatile memory(nvm)bit cell circuit