具有增加带宽的RF滤波器以及滤波器部件的制作方法

技术特征：
1.半格型滤波器，包括：
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输入端口、输出端口、以及所述输入端口与所述输出端口之间的信号路径，
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所述信号路径中的第一分段，
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并联支路，与所述信号路径的所述第一分段并联电性连接；
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所述第一分段中的第一电声谐振器；
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所述并联支路中的阻抗元件；
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移相器，在所述并联支路中与所述阻抗元件串联电性连接，其中
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所述移相器包括两个电感耦合的电感元件。2.根据前述权利要求所述的滤波器，其中所述阻抗元件选自电容元件和电声谐振器。3.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，其中所述两个电感耦合的电感元件中的每个电感元件具有耦合到接地的一个连接。4.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，其中所述移相器包括第一电容元件，所述第一电容元件电性连接到所述移相器的第一端子和/或第二端子。5.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，其中所述移相器包括第二电容元件，所述第二电容元件电性连接到所述移相器的第二端子。6.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，其中所述移相器包括第三电容元件，所述第三电容元件将所述电感耦合的电感元件电性连接到接地。7.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，还包括第二电声谐振器，所述第二电声谐振器在所述信号路径中电性连接在所述第一电声谐振器与所述第二端口之间。8.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，还包括：
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第二电容元件，在所述并联支路中电性连接在所述第一电容元件与所述第二端口之间，以及
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第三电容元件，在所述并联支路中电性连接在所述第二电容元件与所述第二端口之间。9.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，还包括第四电容元件，所述第四电容元件电性连接在所述并联支路与接地之间。10.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，还包括：
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第一阻抗匹配电路，在所述信号路径中电性连接在所述第一端口与所述第一电声谐振器之间；和/或
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第二阻抗匹配电路，在所述信号路径中电性连接在所述第一电声谐振器与所述第二端口之间。11.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，其中所述电容元件在声学封装中与所述电声谐振器组合。12.根据前述权利要求中一项所述的滤波器，所述滤波器是具有13％<＝δf<＝24％的相对带宽δf的带通滤波器。13.一种滤波器部件，包括根据前述权利要求中一项所述的滤波器，其中所述电感耦合的电感元件建立在多层载体衬底中。14.根据前述权利要求所述的部件，其中所述载体衬底选自ltcc衬底、htcc衬底、层压
板、用于集成无源设备的衬底。15.根据前述权利要求的部件，其中所述电声谐振器选自baw谐振器、saw谐振器、gbaw谐振器、tf
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saw谐振器、tc
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saw谐振器。

技术总结
提供了一种具有增加带宽的RF滤波器。该滤波器包括半格型拓扑结构和移相器(PS)，该移相器包括并联支路中的电感耦合电感元件，该并联支路与滤波器的第一端口(P1)和第二端口(P2)之间的信号路径(SP)的第一分段(S1)平行。之间的信号路径(SP)的第一分段(S1)平行。之间的信号路径(SP)的第一分段(S1)平行。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：RF360欧洲有限责任公司
技术研发日：2020.03.16
技术公布日：2021/10/23